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這樣的高精密光學(xué)鍍膜機(jī)還真是好用2022/11/09: 高精密光學(xué)鍍膜機(jī)膜厚可以通過(guò)時(shí)間精確控制，滿足設(shè)計(jì)工藝要求，省去了晶控和光控環(huán)節(jié)，為客戶節(jié)省了大量的膜厚儀耗材；可以產(chǎn)生高折射率氮化物薄膜，提高薄膜的硬度；低溫成膜，可用于多種用途；自動(dòng)調(diào)節(jié)氣體流量的裝置，保持穩(wěn)定的靶電壓，保證成膜質(zhì)量。高精密光學(xué)鍍膜機(jī)的模塊化設(shè)計(jì)可與等離子體清洗單元、磁控濺射單元、等離子體增強(qiáng)化學(xué)反應(yīng)單元、原子層沉積單元和等離子體化學(xué)反應(yīng)刻蝕單元組合，擴(kuò)展為集群式微納加工中心，覆蓋半導(dǎo)體微納結(jié)構(gòu)加工的襯底清洗、薄膜沉積(包括超薄膜)和圖形化刻蝕的全過(guò)程。滿足嚴(yán)格的薄膜沉積均勻

半導(dǎo)體設(shè)備用靜電卡盤都有哪些尺寸？2022/10/12: 半導(dǎo)體設(shè)備用靜電卡盤有各種形狀、尺寸和材料可供選擇。它們通常是圓形的，比晶圓尺寸稍大。常見(jiàn)的尺寸從直徑50毫米到超過(guò)300毫米不等。大多數(shù)卡盤有一個(gè)圓形（同心）環(huán)形真空設(shè)計(jì)，通?？梢匀菁{小管芯、一些晶圓和整個(gè)晶圓。例如，150毫米（6英寸）卡盤將有一個(gè)真空環(huán)形圖案，可以?shī)A住單個(gè)芯片、50毫米、75毫米、100毫米和150毫米的晶圓。在半導(dǎo)體和液晶面板制造過(guò)程中，真空吸盤和機(jī)械吸盤系統(tǒng)經(jīng)常被用來(lái)固定加工用的基材。然而，由于吸附和變形的影響以及提高可靠性的要求，使用靜電的吸盤已被廣泛用于當(dāng)今一代半晶

橢偏儀根據(jù)測(cè)試原理的不同可分為這兩種2022/09/14: 器件的制造是通過(guò)一系列精確控制的加工過(guò)程完成的。為了保證每一道工序都能正確進(jìn)行，每一道工序都有多種測(cè)量和監(jiān)測(cè)技術(shù)，其中光學(xué)測(cè)量因其非接觸、無(wú)損、無(wú)污染的特點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用。光學(xué)測(cè)量的一個(gè)重要內(nèi)容是薄膜的特性——如厚度和光學(xué)特性。目前常用的光學(xué)測(cè)量技術(shù)按其原理可分為光吸收法、干涉監(jiān)測(cè)法、偏振光分析法等。橢偏儀采用偏振光分析法（又稱橢偏法），是通過(guò)偏振光在材料表面反射后改變相應(yīng)的偏振態(tài)來(lái)測(cè)量材料的光學(xué)性質(zhì)。橢偏儀根據(jù)測(cè)試原理的不同可分為消光型和光度型。一般可分為PCSA消光橢偏儀、旋轉(zhuǎn)偏振器橢偏儀、相

高純特氣閥門談?wù)勌胤N氣體安全運(yùn)行管理注意事項(xiàng)2022/08/10: 隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體和光伏產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，對(duì)高純氣體尤其是高純特種氣體的需求，對(duì)氣體質(zhì)量的要求也越來(lái)越高。大部分特殊氣體具有毒性、易燃易爆、強(qiáng)腐蝕性和強(qiáng)氧化性，如H2Se、SiH4、Cl2和NF3。因此，如何安全、穩(wěn)定、可靠地儲(chǔ)存和運(yùn)輸特殊氣體越來(lái)越受到企業(yè)的關(guān)注。下面高純特氣閥門就來(lái)談?wù)勌胤N氣體安全運(yùn)行管理注意事項(xiàng)。1、嚴(yán)格按照安全操作規(guī)程操作特種氣體系統(tǒng)在投入使用之前，已經(jīng)將安全設(shè)計(jì)理念貫穿其中，特種氣體系統(tǒng)的運(yùn)行和維護(hù)都有相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)操作規(guī)程。特種氣體系統(tǒng)的換瓶、維護(hù)等日常操作應(yīng)由兩人進(jìn)行，并進(jìn)行

高溫真空燒結(jié)爐正確操作在使用中是很有必要的2022/07/11: 高溫真空燒結(jié)爐的具體結(jié)構(gòu)和性能：1、需要燒結(jié)的燒結(jié)爐內(nèi)膽采用濕釉涂層和一涂一燒工藝。燒結(jié)溫度840～880℃，干燥溫度100～150℃，燒結(jié)時(shí)間約8～10min。燒結(jié)爐（含干燥爐）裝機(jī)功率850kW（±5%）；爐機(jī)、風(fēng)機(jī)能耗約25kW；烘干線備用加熱器功率60kW；2、爐體采用型鋼結(jié)構(gòu)。主要保溫材料為1050級(jí)硅酸鋁纖維，高溫區(qū)厚度≥340mm；中溫區(qū)厚度≥200mm；100k礦棉氈用于低溫地區(qū)的隔熱。空氣絕緣層和鋁箔絕緣反射層是專門設(shè)計(jì)的。爐體表面安裝0.75mm彩色波紋鋼板，美觀耐用；3、安

高溫真空燒結(jié)爐的真空泵該怎么維護(hù)？2022/06/14: 高溫真空燒結(jié)爐的真空泵該怎么維護(hù)？泵油與真空燒結(jié)爐內(nèi)的真空泵運(yùn)轉(zhuǎn)不良，需要通過(guò)油窗查明污染程度和粘度，更換泵內(nèi)的泵油。真空燒結(jié)爐更換泵油的周期：每六個(gè)月更換一次油并清洗一次。高溫真空燒結(jié)爐泵油更換步驟如下：1、打開(kāi)泵的吸水管，5秒后運(yùn)行。真空燒結(jié)爐內(nèi)泵內(nèi)剩余的泵油容易排出。2、先拆下排氣管，再打開(kāi)油閥，將泵油倒出。3、關(guān)閉放油閥，從注油口注入新的真空泵油。4、如果真空燒結(jié)爐內(nèi)泵油污染很嚴(yán)重，必須在運(yùn)行幾分鐘后添加一些新的泵油并清洗干凈。如果清洗不到位，必須清洗幾次。5、更換新泵油后，啟動(dòng)真空燒結(jié)

石墨鍍碳化硅涂層設(shè)備主要有哪些產(chǎn)品應(yīng)用？2022/05/12: 石墨鍍碳化硅涂層具有耐高溫、抗氧化、純度高、耐酸堿、耐有機(jī)試劑等特點(diǎn)，理化性能穩(wěn)定。與高純石墨相比，高純石墨在400℃開(kāi)始發(fā)生強(qiáng)烈氧化。即使溫度不高，長(zhǎng)期使用也會(huì)因氧化而去除粉末，從而附著在工件和工作臺(tái)上或污染使用環(huán)境。因此，碳化硅包覆石墨基作為一種新型耗材，在MOVCD設(shè)備、粉末燒結(jié)等工藝中逐漸取代了高純石墨基。石墨鍍碳化硅涂層設(shè)備在高溫條件下從特殊氣體中釋放出硅，使硅與碳直接結(jié)合，以特定形狀包裹石墨基體，形成SiC保護(hù)層。形成的SiC與石墨基體結(jié)合牢固，賦予石墨基體特殊的性能，從而使石墨基體

高溫真空燒結(jié)爐可適應(yīng)不同材料的熱壓燒結(jié)2022/04/13: 隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，市場(chǎng)上的真空燒結(jié)爐種類繁多，大部分功能都比較*?，F(xiàn)在基本可以自動(dòng)控制溫度，自動(dòng)化程度非常高，在很大程度上節(jié)省了人力和物力。高溫真空燒結(jié)爐在一些科研項(xiàng)目中被廣泛使用，真空燒結(jié)爐運(yùn)行時(shí)，在真空下注入氫氣，利用化學(xué)原理產(chǎn)生高溫進(jìn)行傳導(dǎo)。高溫真空燒結(jié)爐采用石墨作為發(fā)熱體或中頻感應(yīng)加熱，工作溫度可達(dá)2400℃～2600℃，廣泛用于在真空或保護(hù)氣氛中燒結(jié)無(wú)機(jī)材料（如陶瓷密封件、碳化硅、氧化鋯、氧化鋅、氧化鋁等）和金屬材料（如硬質(zhì)合金）。還可用于稀土元素及其氧化物的提純和藍(lán)寶石的退火。

特種材料靶材為什么這么重要？2022/03/16: 靶材和半導(dǎo)體材料可分為晶圓材料和封裝材料。與晶圓制造材料相比，封裝材料的技術(shù)壁壘相對(duì)較低。晶圓的生產(chǎn)主要涉及七種半導(dǎo)體材料和化學(xué)品，其中一種是特種材料靶材。特種材料靶材的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)與下游應(yīng)用行業(yè)薄膜技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)密切相關(guān)。隨著薄膜產(chǎn)品或元件在應(yīng)用行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步，目標(biāo)技術(shù)也應(yīng)該發(fā)生變化。簡(jiǎn)而言之，靶材就是被高速帶電粒子轟擊的靶材。通過(guò)更換不同的靶材（如鋁、銅、不銹鋼、鈦??、鎳靶材等）可以獲得不同的膜系（如超硬、耐磨、防腐合金膜）。按應(yīng)用領(lǐng)域不同可分為：半導(dǎo)體芯片靶材、平板顯示器靶材、太陽(yáng)能電池

燒結(jié)真空爐使用注意2022/01/21: 在粉末冶金的生產(chǎn)過(guò)程中，燒結(jié)是一道重要工序，而且是所有工序的關(guān)鍵工藝。燒結(jié)的目的是使多孔的粉末壓坯變?yōu)榫哂幸欢ńY(jié)構(gòu)和性能的合金。燒結(jié)過(guò)程中，合金的變化比較復(fù)雜，而正確的燒結(jié)I藝是制取質(zhì)量?jī)?yōu)良粉末冶金的重要保證，若燒結(jié)方法不當(dāng)，會(huì)造成各種難以挽回的損失，以致成為廢品?，F(xiàn)階段工藝的進(jìn)化采用了真空燒結(jié)法。因?yàn)檎婵諣t可使氣氛穩(wěn)定不變，還可降低產(chǎn)品生產(chǎn)成本,提高產(chǎn)品質(zhì)量,所以,在粉末冶金生產(chǎn)中，特別是硬質(zhì)合金生產(chǎn)中。采用真空燒結(jié)的方法，將越來(lái)越多的受到重視。燒結(jié)真空爐主要用于硬質(zhì)合金、粉沫冶金行業(yè)生產(chǎn)各種

磁控濺射鍍膜技術(shù)的發(fā)展及應(yīng)用2021/11/30: 近年來(lái)，隨著新材料的開(kāi)發(fā)，尤其是薄膜材料的發(fā)展和應(yīng)用，帶動(dòng)控濺射沉積技術(shù)的飛速發(fā)展，在科學(xué)研究領(lǐng)域和工業(yè)生產(chǎn)中有著不可替代的重要作用。本文主要介紹了控濺射沉積鍍膜技術(shù)的工藝過(guò)程及其發(fā)展情況，各種主要磁控濺射鍍術(shù)的特點(diǎn)，并介紹磁控濺射技術(shù)在各個(gè)領(lǐng)域的主要應(yīng)用。濺射鍍膜過(guò)程主要是將欲沉積成薄膜的材料制成靶材，固定在濺射沉積系統(tǒng)的陰極上，待沉積薄膜的基片放在正對(duì)靶面的陽(yáng)極上。濺射系統(tǒng)抽至高真空后充入氬氣等，在陰極和陽(yáng)極之間加載高壓，陰陽(yáng)極之間會(huì)產(chǎn)生低壓輝光放電。放電產(chǎn)生的等離子體中，氬氣正離子在電場(chǎng)作

這個(gè)了解透徹了還怕你不會(huì)用高溫真空燒結(jié)爐嗎？2021/10/13: 高溫真空燒結(jié)爐以加熱棒為加熱元件，采用雙層外殼結(jié)構(gòu)和pid30段程序溫控系統(tǒng)，移相觸發(fā)器和晶閘管控制，爐膛采用軟硬碳纖維材料，可以快速升高和降低溫度。外殼整體密封，蓋板和爐門采用高溫硅膠O型圈密封，爐門配有水冷系統(tǒng)。爐子必須在真空下燒結(jié)。爐膛采用2x-30機(jī)械泵（配有電磁放空閥）和K-200油擴(kuò)散泵，并配有冷阱和機(jī)組。該爐具有體積小、溫度場(chǎng)平衡、表面溫度低、升溫降溫速度快、*、節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)。1、爐體：高溫真空燒結(jié)爐為立式爐殼，內(nèi)層為不銹鋼制成的圓柱體，外層為碳鋼。兩層之間形成夾套，將通過(guò)冷卻水傳遞

想更了解橢偏儀，就要知道它的發(fā)展歷程2021/09/15: 橢偏儀使用偏振光來(lái)測(cè)量薄膜或界面參數(shù)，通過(guò)測(cè)量被測(cè)樣品反射（或透射）光偏振態(tài)的變化，并沒(méi)有得到樣品參數(shù)，是一種集光、機(jī)、電、計(jì)算機(jī)等多學(xué)科于一體的薄膜無(wú)損分析智能儀器，主要用于測(cè)量光學(xué)膜厚和光學(xué)常數(shù)、多層膜厚和光學(xué)常數(shù)、碳鍍盤的碳層厚度和光學(xué)常數(shù)、潤(rùn)滑層的厚度和表面粗糙度、各種半導(dǎo)體及其氧化物的組成、化合物的組成半導(dǎo)體、梯度膜和透明膜的折射率和厚度等。在早期的消光橢偏儀中，偏光片和偏光片的消光位置是手動(dòng)控制的，系統(tǒng)的測(cè)量時(shí)間為幾十分鐘。如果我們需要獲取大量的測(cè)量數(shù)據(jù)，比如多入射角測(cè)量，手動(dòng)控制消

實(shí)驗(yàn)室用低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備使用注意事項(xiàng)2021/08/17: 實(shí)驗(yàn)室用低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備是通過(guò)加熱使氣態(tài)化合物在低壓下反應(yīng)并沉積在基板表面，形成穩(wěn)定的固體薄膜。由于工作壓力低，氣體分子的平均自由程和擴(kuò)散系數(shù)大，可以采用密集加載，提高生產(chǎn)率，在基板表面獲得均勻性好的薄膜沉積層。LPCVD用于沉積多晶硅、Si3N4、SiO2、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅和難熔金屬硅化物。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路、電力電子、光電、MEMS等行業(yè)。1、溫度控制采用串級(jí)控制方式，實(shí)時(shí)控制實(shí)際基板溫度。2、裝載采用碳化硅懸臂槳，避免與工藝管道摩擦產(chǎn)生粉塵。3、反應(yīng)氣分子供氣和群發(fā)供

GaAs/GaN用快速退火爐使用注意細(xì)節(jié)2021/07/16: GaAs/GaN用快速退火爐的產(chǎn)品特點(diǎn)：1、控制電路采用模糊PID程序控制技術(shù)，控溫精度高，熱慣性小，無(wú)溫度沖擊，性能可靠，操作簡(jiǎn)單。2、中真空系統(tǒng)具有真空度上下限自動(dòng)控制功能。高真空系統(tǒng)采用高壓耐沖擊分子泵，防止意外漏氣損壞分子泵，延長(zhǎng)系統(tǒng)使用壽命。GaAs/GaN用快速退火爐使用細(xì)節(jié)：1、爐子使用或長(zhǎng)期不用后，應(yīng)120℃烘烤1小時(shí)，300℃烘烤2小時(shí)，以免爐裂。2、爐溫盡量不要超過(guò)額定溫度，以免損壞加熱元件和爐襯。3、嚴(yán)禁將各種液體和溶解金屬直接倒入爐內(nèi)，保持爐內(nèi)清潔。4、如果在爐內(nèi)使用石英

淺析高溫真空燒結(jié)爐結(jié)構(gòu)都有哪些改進(jìn)？2021/06/09: 高溫真空燒結(jié)爐是在真空環(huán)境下對(duì)被加熱物體進(jìn)行保護(hù)性燒結(jié)的爐子。加熱方式有多種，如電阻加熱、感應(yīng)加熱、微波加熱等。真空感應(yīng)爐是一種利用感應(yīng)加熱來(lái)保護(hù)被加熱物體的爐子，可分為工頻、中頻、高頻等類型，又可歸為真空燒結(jié)爐的一個(gè)子類。真空感應(yīng)燒結(jié)爐是利用中頻感應(yīng)加熱原理在真空或保護(hù)氣氛條件下燒結(jié)硬質(zhì)合金刀頭和各種金屬粉末壓塊的成套設(shè)備，是硬質(zhì)合金、金屬鏑、陶瓷材料的成套設(shè)備。真空感應(yīng)鎢燒結(jié)爐是利用中頻感應(yīng)加熱原理，在抽真空后的氫氣保護(hù)狀態(tài)下，在線圈內(nèi)的鎢坩堝內(nèi)產(chǎn)生高溫，通過(guò)熱輻射將熱量傳導(dǎo)到工件上。其主要

實(shí)驗(yàn)室用快速退火爐實(shí)現(xiàn)真正的極速升溫和降溫！2021/05/18: 實(shí)驗(yàn)室用快速退火爐是在管式爐的基礎(chǔ)上開(kāi)發(fā)的，它不僅具有更快的500℃/S的升溫速率，而且在冷卻速率上達(dá)到100℃/S的質(zhì)的飛躍。它巧妙地使用了冷壁技術(shù)，從而達(dá)到了如此快的冷卻速度，真正實(shí)現(xiàn)了快速加熱和快速冷卻！實(shí)驗(yàn)室用快速退火爐的腔室采用*的雙層石英管結(jié)構(gòu)，外管用于進(jìn)氣，內(nèi)管用于排氣，從而使反應(yīng)氣氛與被處理物充分均勻地接觸。樣本。加熱燈管可以使硅芯片快速加熱的原因是，光源的波長(zhǎng)在0.3-4微米之間，石英管壁無(wú)法有效吸收該波段的輻射，而晶片只是對(duì)面的。因此，晶片可以吸收輻射能并迅速加熱，而此時(shí)石英

高純特氣閥門的使用竟然還有這些門道2021/04/15: 高純度氣體管道系統(tǒng)的質(zhì)量將直接影響高純度氣體的純度，清潔度和干燥度。因此，嚴(yán)格控制高純度氣體輸送系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，材料選擇，加工制造，清潔處理以及安裝和使用中的每個(gè)環(huán)節(jié)都具有重要意義。下面我們就來(lái)介紹一下高純特氣閥門。高純度氣體對(duì)系統(tǒng)中使用的閥門的密封性有非常嚴(yán)格的要求。目前，高純特氣閥門基本由SS304或SS316L不銹鋼制成。閥門類型包括隔膜閥，波紋管閥和球閥。波紋管閥的密封性好于球閥的密封性。氣體流經(jīng)閥門時(shí)，沒(méi)有與外部環(huán)境接觸的填料，因此沒(méi)有泄漏。除了隔膜閥的密封性外，它還具有很小的閥體死體積。

如何延長(zhǎng)高溫真空燒結(jié)爐的使用期限？2021/03/23: 如何延長(zhǎng)高溫真空燒結(jié)爐的使用壽命？1、適當(dāng)?shù)沫h(huán)境濕度實(shí)驗(yàn)電爐和控制器的相對(duì)濕度不得超過(guò)85％，且不得有導(dǎo)電性的浮塵，爆炸性氣體和腐蝕性刺激物，以免破壞金屬絕緣和電子部件。碳化硅棒應(yīng)放置在干燥的地方，以防止鋁頭吸收水分并發(fā)生變化。在施工過(guò)程中，如果發(fā)現(xiàn)某些桿呈白色，而有些桿呈深紅色，則表明每個(gè)桿的電阻都不同，因此有必要在重新施加之前用相似的電阻值更換該桿。2、合適的溫度高溫真空燒結(jié)爐的運(yùn)行與工作溫度有很大關(guān)系?？刂破鞯墓ぷ鳝h(huán)境溫度限制在0-50℃，不能太高或太低。3、確保設(shè)備連接正確在實(shí)驗(yàn)電爐的運(yùn)

實(shí)驗(yàn)室用快速退火爐可提供準(zhǔn)確和可重復(fù)的熱控制2021/03/09: 實(shí)驗(yàn)室用快速退火爐基于SolarisGUI的PID處理控制器，可以存儲(chǔ)程序，每個(gè)程序多可以支持100個(gè)設(shè)置步驟，并帶有USB2.0接口。包含與MicrosoftWindows操作系統(tǒng)兼容的SolarisGUI軟件。使用此軟件，可以通過(guò)鏈接到計(jì)算機(jī)輕松地實(shí)現(xiàn)程序編輯和數(shù)據(jù)記錄。實(shí)驗(yàn)室用快速退火爐可以滿足大學(xué)，研究實(shí)驗(yàn)室和小規(guī)模生產(chǎn)的需求，它是高度可靠且具有成本效益的。處理腔室采用殼狀設(shè)計(jì)，可以*進(jìn)入底板，便于基板的裝卸，并可以對(duì)腔體進(jìn)行實(shí)際清潔?？焖俚臄?shù)字PID溫度控制器可在整個(gè)溫度范圍內(nèi)提供準(zhǔn)確

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