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廈門超新芯科技有限公司

7
  • 2022

    06-15

    什么是高真空存桿儀?

    高真空存桿儀可自由設(shè)置為原位樣品臺提供高真空存放環(huán)境,避免樣品臺受到污染,更可清潔樣品臺,尤其適用于原位樣品臺。方便研究人員對不同樣品臺的切換,觸屏控制最多可實(shí)現(xiàn)10路樣品臺單獨(dú)存取。系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)真空度檢測及真空度智能維持及漏氣報警功能。高真空存桿儀的結(jié)構(gòu)介紹:1.腔體靠近樣品區(qū)的位置為可視化窗口設(shè)計,可直接觀察樣品桿上的樣品、芯片等,方便操作。接口模塊包含真空閥,用以在電源關(guān)閉時保持真空狀態(tài),或在取桿時實(shí)現(xiàn)氣體快速通入,加速樣品桿取出過程。高真空存桿腔體采用模塊化設(shè)計,支持多個廠家樣品桿,適用廠
  • 2022

    05-12

    CHIP-NOVA原位透射電鏡力-熱系統(tǒng)解決方案及應(yīng)用案例(一)

    力-熱系統(tǒng)系統(tǒng)組成圖1技術(shù)指標(biāo)力-熱樣品臺高精度力學(xué)傳感芯片加熱芯片高精度控溫模塊三維運(yùn)動控制模塊力學(xué)數(shù)據(jù)采集及計算模塊力學(xué)測試:壓縮、拉伸、恒定力、恒位移設(shè)備工作流程圖2圖2視頻測試前,利用FIB將樣品焊接加熱芯片端,將金剛石焊接在力學(xué)傳感端,力學(xué)測試過程中,加熱芯片跟隨運(yùn)動控制模塊向前運(yùn)動,并力學(xué)傳感芯片接觸受力,樣品在加熱條件下發(fā)生壓縮或拉伸。力學(xué)傳感器圖3技術(shù)指標(biāo)20uN,k=7(nN/nm)85uN,k=29(nN/nm)150uN,k=50(nN/nm)500uN,k=169(nN/
  • 2022

    05-10

    原位TEM力學(xué)加熱樣品臺概述

    樣品臺作為一種常用的實(shí)驗檢測設(shè)備,常常需要對樣品進(jìn)行加熱,現(xiàn)有的樣品臺在加熱時,往往是在底部加熱,或者采用水浴加熱,而這些加熱方式都是傳導(dǎo)加熱,熱量需要從邊沿向中間傳遞,這樣存在加熱不均勻,而為了解決加熱均勻性的問題,一般會在樣品臺上增設(shè)攪拌設(shè)備或者在底部做磁攪拌,增設(shè)機(jī)械攪拌在需要攪拌時需要調(diào)整攪拌槳的位置在攪拌完成后又需要挪走,操作麻煩。原位TEM力學(xué)加熱樣品臺可解決現(xiàn)有的樣品臺加熱設(shè)備加熱不均勻,操作不方便的問題。原位TEM力學(xué)加熱樣品臺上的MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))力學(xué)芯片可外接力學(xué)控制器,
  • 2022

    04-21

    CHIP-NOVA原位液相電化學(xué)解決方案—見微知著,助力科研

    公司簡介CHIPNOVA超新芯是早期原位芯片及技術(shù)開拓人創(chuàng)辦的高新技術(shù)企業(yè),致力于原位電鏡技術(shù)的發(fā)展及應(yīng)用開拓,一直與UCBerkeley、廈大等高校和科研單位緊密合作。公司同時擁有芯片制造和原位技術(shù)兩方面的資深技術(shù)團(tuán)隊,已通過ISO9001質(zhì)量管理體系認(rèn)證。特制的芯片潔凈室和豐富的檢測設(shè)備不斷提升芯片制造水平,包括原位電鏡芯片、生化分析醫(yī)療芯片、集成傳感芯片等。其中的原位電鏡芯片業(yè)界優(yōu)秀,在晶體生長、材料、能源、催化、環(huán)境、化學(xué)、生物等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,在高檔次期刊發(fā)表論文近200篇:Scienc
  • 2022

    04-18

    超新芯原位電鏡解決方案

    CreateWorld-LeadingIn-SituElectronMicroscopySolutions公司簡介CHIPNOVA超新芯是早期原位芯片及技術(shù)開拓人創(chuàng)辦的高新技術(shù)企業(yè),致力于原位電鏡技術(shù)的發(fā)展及應(yīng)用開拓,一直與UCBerkeley、廈大等高校和科研單位緊密合作。公司同時擁有芯片制造和原位技術(shù)兩方面的資深技術(shù)團(tuán)隊,已通過ISO9001質(zhì)量管理體系認(rèn)證。特制的芯片潔凈室和豐富的檢測設(shè)備不斷提升芯片制造水平,包括原位電鏡芯片、生化分析醫(yī)療芯片、集成傳感芯片等。其中的原位電鏡芯片業(yè)界優(yōu)秀,
  • 2022

    04-14

    冷凍樣品臺對樣品的要求及作用

    隨著電子顯微鏡在生命科學(xué)、材料科學(xué)、地質(zhì)等諸多研究領(lǐng)域的應(yīng)用,對樣品在低溫情況下的形貌特征、相變等成為熱點(diǎn)和不可獲取的手段,通過采用液氦和液氮樣品臺來開展低溫或溫度相關(guān)研究,從而更好地了解您的樣品。低溫樣品臺的應(yīng)用也進(jìn)一步拓展了各種檢測技術(shù)的應(yīng)用范圍,尤其是電子顯微鏡領(lǐng)域,冷凍樣品臺可以使得不耐輻照、植物樣品等原位觀察和低溫條件下的加工成為可能。掃描電鏡的塊狀樣品制備:較簡便的,對于塊狀導(dǎo)電材料,除了大小要適合儀器樣品座尺寸外,基本上不需進(jìn)行什么制備,用導(dǎo)電膠把樣品粘結(jié)在樣品座上,即可放在掃描電
  • 2022

    03-23

    SEM加熱樣品臺的這些功能還不知道?快來看看吧

    掃描電鏡全稱掃描電子顯微鏡,簡稱SEM,是一種超高速、高分辨、全自動、快速成像、場發(fā)射電子顯微分析設(shè)備,是根據(jù)電子光學(xué)原理,用聚焦很細(xì)的電子束照射到要檢測的樣品表面,電子束與樣品相互作用產(chǎn)生各種信息,使物質(zhì)的細(xì)微結(jié)構(gòu)在非常高的放大倍數(shù)下成像的儀器。SEM加熱樣品臺可用于電鏡樣品在不同的高溫條件下的結(jié)構(gòu)表征。具體功能如下:1、采用四電極反饋控制系統(tǒng)對加熱區(qū)域的樣品進(jìn)行精準(zhǔn)均勻、安全控溫;2、高精度、高頻反饋控溫模式,具有實(shí)時溫度控制及精確測量功能,內(nèi)置絕對溫標(biāo),并可軟件自動標(biāo)定,對任一芯片的每次升
  • 2022

    02-23

    TEM氣體加熱樣品臺可實(shí)現(xiàn)實(shí)時控溫功能

    氣體加熱樣品臺可用于電鏡樣品在不同的高溫條件下的結(jié)構(gòu)表征。模塊化設(shè)計避免了不同實(shí)驗之間的交叉污染,樣品制備簡單易行。主要在多相催化、納米材料合成、能源材料及金屬合金的腐蝕等研究領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用。TEM氣體加熱樣品臺是在原位樣品臺內(nèi)部構(gòu)建小型的氣氛納米實(shí)驗室,在氣體環(huán)境內(nèi)對材料進(jìn)行原子分辨高時空精度分析。可以根據(jù)客戶需求結(jié)合MEMS微加工工藝內(nèi)置加熱模塊、光學(xué)模塊和偏壓模塊,通過微納芯片對單個納米結(jié)構(gòu)進(jìn)行外場控制進(jìn)行熱學(xué)、光學(xué)及電學(xué)性質(zhì)的測量,并可在物性測量的同時,動態(tài)、高分辨地對樣品的晶體結(jié)構(gòu)、化
  • 2022

    01-14

    您了解TEM三維重構(gòu)樣品臺嗎?

    TEM三維重構(gòu)技術(shù)是電子顯微術(shù)、電子衍射與計算機(jī)圖像處理相結(jié)合而形成的一種有效且高分辨率的三維重構(gòu)方法,用以表征材料三維空間結(jié)構(gòu)。TEM三維重構(gòu)的基本原理基于中心截面定理:任何實(shí)空間的三維物體沿電子束方向投影的傅立葉變換是該物體所對應(yīng)的傅立葉空間中通過中心且垂直于投影方向的一個截面,換言之,只要收集樣品在不同方向的投影或同一樣品在不同角度的投影,對每張投影圖進(jìn)行傅立葉變換,按照投影方向填充到三維傅里葉空間對應(yīng)的切面,再進(jìn)行反傅立葉變換,就可得到實(shí)空間的三維結(jié)構(gòu)。TEM三維重構(gòu)樣品臺為實(shí)現(xiàn)樣品的三
  • 2021

    12-29

    SEM冷凍樣品臺的知識點(diǎn)介紹

    隨著電子顯微鏡在生命科學(xué)、材料科學(xué)、地質(zhì)等諸多研究領(lǐng)域的應(yīng)用,對樣品在低溫情況下的形貌特征、相變等成為熱點(diǎn)和不可獲取的手段,通過采用液氦和液氮樣品臺來開展低溫或溫度相關(guān)研究,從而更好地了解您的樣品。冷凍樣品臺的應(yīng)用也進(jìn)一步拓展了各種檢測技術(shù)的應(yīng)用范圍,尤其是電子顯微鏡領(lǐng)域,冷凍樣品臺可以使得不耐輻照、植物樣品等原位觀察和低溫條件下的加工成為可能。SEM冷凍樣品臺是在標(biāo)準(zhǔn)樣品臺的基礎(chǔ)上設(shè)計冷凍模塊、PID溫控模塊及冷卻循環(huán)模塊,無需改造電鏡,在掃描電鏡內(nèi)實(shí)現(xiàn)對樣品冷凍,大大減緩了樣品水分的蒸發(fā),使
  • 2021

    07-22

    原位液相TEM實(shí)時觀察析氫過程中光催化活性位點(diǎn)的形成

    許多催化反應(yīng)因其反應(yīng)過程不穩(wěn)定,催化活性位點(diǎn)會相應(yīng)地發(fā)生遷移,團(tuán)聚和重構(gòu)等變化。催化劑表面結(jié)構(gòu)、組成及催化活性與反應(yīng)條件密切相關(guān),因此,在催化反應(yīng)過程中原位識別活性位點(diǎn)十分關(guān)鍵。原位液相透射電子顯微技術(shù)的發(fā)展,使人們可以對液相反應(yīng)過程中催化劑的結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變過程進(jìn)行原子尺度的直接觀察,并探索催化劑的轉(zhuǎn)變機(jī)理。圖1.Cu2O在不同輻照時間下的HRTEM圖及結(jié)構(gòu)變化示意圖近期,廈門大學(xué)廖洪鋼教授和南京大學(xué)董林教授通過利用自主研發(fā)的原位液相TEM光學(xué)樣品桿與原位液體芯片,實(shí)現(xiàn)了TEM原位觀察光輻照下Cu2O
  • 2021

    05-31

    高真空檢漏儀在實(shí)驗中有什么作用?

    高真空檢漏儀用于對有密封要求的封裝器件進(jìn)行真空檢漏,以便發(fā)現(xiàn)漏孔位置。特別適合于對真空保持有很高要求的器件進(jìn)行檢測,可以確定出器件漏率大小,判斷器件真空壽命。適用原位反應(yīng)艙芯片:自組裝鍵合一體式芯片,加熱芯片,納流體芯片。高真空檢漏儀在將樣品放進(jìn)電鏡前,仔細(xì)檢驗樣品芯片安放是否存在泄露是必要的,這可以提高原位樣品臺的使用效率,保護(hù)透射電鏡。該設(shè)備是專門用于TEM樣品臺真空儲存和密封檢查。它能夠在5min內(nèi)將系統(tǒng)內(nèi)真空度抽至10^(-5)mbar,即TEM內(nèi)的真空環(huán)境。搭配的超高分辨數(shù)字顯微系統(tǒng),
  • 2021

    05-20

    TEM液體電化學(xué)樣品桿可以用在哪些實(shí)驗中?

    原位液相電化學(xué)芯片電極采用三電極方式,即工作電極(WE),參比電極(RE)和輔助電極(CE),且電極材料可定制。*的設(shè)計和芯片池內(nèi)的保護(hù)性涂層保證了電學(xué)測量的低噪音和精確性。此外,用戶還可以選擇加熱模塊,實(shí)現(xiàn)電熱外場耦合反應(yīng)。TEM液體電化學(xué)樣品桿是在原位液體樣品桿內(nèi)置電化學(xué)模塊,結(jié)合MEMS微加工工藝制備微納原位芯片,可在液體環(huán)境內(nèi)對材料進(jìn)行電化學(xué)反應(yīng)過程中的小電流定量分析和埃米級高時空精度分析。TEM液體電化學(xué)樣品桿的應(yīng)用場合有:1、電池(1)電極表面鋰化和脫鋰的過程(2)鋰硫電池中多硫化鋰
  • 2021

    04-27

    TEM固體熱-電樣品桿在實(shí)驗中有什么作用?

    TEM固體熱-電樣品桿是在標(biāo)準(zhǔn)樣品臺基礎(chǔ)上搭建兩電極反饋控溫的加熱模塊、兩電極電學(xué)模塊,在透射電鏡中實(shí)現(xiàn)樣品的皮米級高分辨成像。能夠在透射電鏡(TEM)內(nèi)為樣品提供可加熱的氣氛環(huán)境。使得TEM能夠觀察樣品的微觀結(jié)構(gòu)(例如原子結(jié)構(gòu))在氣氛環(huán)境中的演變過程,以直接揭示樣品結(jié)構(gòu)與其氣固界面反應(yīng)性質(zhì)之間的科學(xué)關(guān)系??捎行嵘蒲腥藛T科研水平,極大拓展透射電鏡TEM應(yīng)用范圍。加熱模塊:精準(zhǔn)、均勻、安全控溫,溫度精度優(yōu)于0.1K,最高溫度1300℃。通過精確熱場模擬及芯片設(shè)計,實(shí)現(xiàn)無漂移加熱過程,可在加熱升
  • 2021

    04-25

    TEM氣體加熱樣品桿的工作流程

    TEM氣體加熱樣品桿是通過MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))微加工工藝,在透射電鏡內(nèi)部搭建可視化NANO-LAB(納米實(shí)驗室)和四電極反饋控溫模塊,加熱區(qū)覆蓋整個觀測區(qū)域,升溫快、熱場穩(wěn)定且均勻,實(shí)現(xiàn)樣品的氣氛環(huán)境皮米級高分辨成像和精準(zhǔn)、均勻、安全控溫。設(shè)備的氣體流道采用惰性材料防腐設(shè)計,進(jìn)氣采用納流體微分控制方式,可以有效防止?jié)B漏,革命性提升原位設(shè)備安全性,保障實(shí)驗過程電鏡安全。對應(yīng)電鏡原位觀察而言,可觀察范圍基本在微米級別,整體可觀察體積小于納升,因此過量氣體對實(shí)驗毫無幫助,且引入巨大安全風(fēng)險,超新芯提
  • 2021

    04-22

    什么是TEM固體超高溫加熱樣品桿?

    TEM固體超高溫加熱樣品桿是針對納米材料超高溫性能研究所開發(fā)的一款性價比高的原位產(chǎn)品,可對樣品進(jìn)行超高溫加熱,并保持較高的加熱精度。TEM固體超高溫加熱樣品桿是在標(biāo)準(zhǔn)樣品桿的基礎(chǔ)上搭載高溫加熱模塊,能夠?qū){米粉體材料進(jìn)行超高溫加熱,*高溫度1500℃。高溫加熱模塊拆卸和組裝方便快捷,性價比高。另外,為了方便科研人員尋找合適樣品和觀察樣品加熱過程的變化,超新芯設(shè)計了具有多個平坦的樣品承載平臺的方形彈簧加熱元件,通過該設(shè)計,可極大地提高實(shí)驗效率。樣品桿加熱模塊采用具有耐高溫且惰性材料的鎢絲作為加熱元
  • 2021

    04-19

    力學(xué)樣品臺的詳細(xì)介紹

    SEM力學(xué)樣品臺是在標(biāo)準(zhǔn)樣品臺的基礎(chǔ)上設(shè)計力學(xué)控制模塊和控制單元。該系統(tǒng)采用感應(yīng)微壓頭,在掃描電鏡內(nèi)可直接觀察納米機(jī)械測試,不僅可以對納米材料進(jìn)行機(jī)械擠壓的成像,而且同時可以獲取載荷-位移數(shù)據(jù)。在使用SEM力學(xué)樣品臺實(shí)驗時,用戶選擇Push-to-Pull模塊可實(shí)現(xiàn)樣品拉伸實(shí)驗,或者選擇加熱模塊可實(shí)現(xiàn)熱場和力場耦合實(shí)驗,加熱模塊可選搭載push-to-pull模塊的程序升溫方式(RT-1000℃,1K),或者選擇加電模塊(*大電壓±50V,電流范圍:pA~mA)。SEM力學(xué)樣品臺可以應(yīng)用的范圍有
  • 2021

    04-14

    SEM液體電化學(xué)樣品臺是怎么對樣品進(jìn)行觀察的?

    SEM液體電化學(xué)樣品臺是通過MEMS微加工工藝,在標(biāo)準(zhǔn)的掃描電鏡樣品臺基礎(chǔ)上設(shè)計電路,搭建可視化NANO-LAB和電學(xué)控制模塊,配合外接法蘭可與電化學(xué)工作站連接通信。原位掃描電化學(xué)反應(yīng)系統(tǒng)在標(biāo)準(zhǔn)樣品臺內(nèi)置三電極電學(xué)模塊,可在掃描電鏡中實(shí)現(xiàn)液體樣品的電化學(xué)反應(yīng)過程的實(shí)時動態(tài)成像。SEM液相電化學(xué)樣品臺可以同時對四個液體樣品(三個靜態(tài)和一個流體)進(jìn)行觀察,每個樣品都被密封在各自的芯片內(nèi),且互不影響。芯片采用與原位透射電子顯微系統(tǒng)一樣的上下兩片芯片,通過鍵合內(nèi)封和環(huán)氧樹脂外封與電鏡的真空分隔,以確保液
  • 2021

    04-09

    TEM液體光學(xué)樣品桿的系統(tǒng)組成介紹

    TEM原位液體樣品桿是一種用于電子與通信技術(shù)領(lǐng)域的分析儀器,TEM原位液光學(xué)樣品桿是在原位與液體桿的基礎(chǔ)上內(nèi)置光學(xué)模塊,實(shí)現(xiàn)在液體環(huán)境中進(jìn)行加光研究。超新芯為原位液體電鏡應(yīng)用提供了一個納升級別液體封裝的原位池容器(Chips),可確保電鏡的使用安全。在使用時,液體樣品會被封裝在樣品臺支架尖的端微液體池中,通過鍵合內(nèi)封和環(huán)氧樹脂外封與電鏡的真空分隔。在多外場的作用下實(shí)現(xiàn)對液態(tài)環(huán)境中納米材料的物理、化學(xué)特性的原位動態(tài)表征。實(shí)現(xiàn)液相反應(yīng)的原位TEM原子級高分辨成像。TEM液體光學(xué)樣品桿的優(yōu)點(diǎn):1、模塊
  • 2021

    03-31

    原位液體加熱加電樣品桿有哪些優(yōu)勢?

    原位液體加熱加電樣品桿通過MEMS微加工工藝,在透射電鏡內(nèi)部搭建可視化NONA-LAB和兩電極超高頻控溫方式,加熱區(qū)覆蓋整個觀測區(qū)域,升溫快、熱場穩(wěn)定且均勻,實(shí)現(xiàn)樣品的液氛環(huán)境皮米級高分辨成像和準(zhǔn)確、均勻、安全控溫。針對芯片自身的差異性,全面升級的溫度控制系統(tǒng)可對芯片的每次升溫進(jìn)行自動校正和模擬出*優(yōu)的升溫曲線,而非統(tǒng)計學(xué)的擬合曲線升溫,更好地反映熱場實(shí)情,準(zhǔn)確熱場模擬及*的芯片設(shè)計,實(shí)現(xiàn)視窗區(qū)的樣品無漂移升溫加熱,可在升溫過程中實(shí)時觀測成像,無需通過移動電子束跟蹤或移動樣品桿進(jìn)行樣品的熱漂移補(bǔ)
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