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巨力光電(北京)科技有限公司

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  • 2024

    05-14

    壓電系數(shù)測試儀是通過什么原理工作的?

    壓電系數(shù)測試儀是為測量壓電材料的d33常數(shù)而設(shè)計的儀器,壓電效應(yīng)是指某些晶體或陶瓷在受到外力作用時,會產(chǎn)生電荷的現(xiàn)象。而d33壓電系數(shù)就是用來描述材料受到力作用時,產(chǎn)生電荷的程度的指標。壓電系數(shù)測試儀的工作原理基于壓電效應(yīng)。當施加外力(壓力)作用在壓電材料上時,會引起其表面電荷發(fā)生改變。測試儀利用壓電材料產(chǎn)生的電荷量與施加的壓力之間的關(guān)系,來測量材料的壓電系數(shù)d33。通常,壓電系數(shù)測試儀由機械加載系統(tǒng)和電荷測量系統(tǒng)組成。機械加載系統(tǒng)用于施加精確定義的機械應(yīng)力,而電荷測量系統(tǒng)則用于測量材料在受到機
  • 2024

    04-25

    薄膜應(yīng)力測量系統(tǒng)的原理是怎樣的?

    在硅片等基板上附膜時,由于基板和薄膜的物理定數(shù)有異,產(chǎn)生應(yīng)力,進而引起基板變形。由涂抹均勻的薄膜引起的變形的表現(xiàn)為基板的翹曲,而薄膜應(yīng)力測量系統(tǒng)可從這個翹曲(曲率半徑)的變化量測量其應(yīng)力。薄膜應(yīng)力測量系統(tǒng)是一種用于物理學(xué)、材料科學(xué)領(lǐng)域的工藝試驗儀器。其工作原理基于薄膜材料的內(nèi)應(yīng)力對薄膜表面形態(tài)的影響。當薄膜被沉積在基底表面上時,薄膜材料的內(nèi)應(yīng)力會對薄膜表面的形態(tài)產(chǎn)生影響,而薄膜應(yīng)力測量系統(tǒng)則通過測量薄膜表面形態(tài)的變化來間接反映薄膜材料內(nèi)部應(yīng)力的大小、方向和分布狀況。薄膜應(yīng)力測量系統(tǒng)的發(fā)展方向包括
  • 2024

    04-10

    香港理工Joule:原位構(gòu)建互穿網(wǎng)絡(luò)p-i-n結(jié)構(gòu)實現(xiàn)19%PCE的有機太陽能電池!

    GPT-LBL策略通過受體的聚合調(diào)整來增強p-i-n結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了PCE為19.41%(認證為19.0%)的高效GPT-LBL器件GPT-LBL策略增強了OSCs的運行穩(wěn)定性主要內(nèi)容由于供體-受體結(jié)構(gòu)域的混合,具有體異質(zhì)結(jié)(BHJ)的OSCs容易產(chǎn)生電荷復(fù)合。逐層沉積(LBL)有助于控制垂直分布,從而形成p-i-n結(jié)并改善電荷傳輸。香港理工大學(xué)李剛教授、美國加州大學(xué)楊陽教授等人添加了客體聚合物PY-IT來增強垂直分離,從而產(chǎn)生更明顯的p-i-n結(jié),得到了具有更高遷移率和平衡電荷傳輸?shù)腛SC。研究表明
  • 2024

    03-20

    原位薄膜應(yīng)力測試儀在薄膜材料研究中的應(yīng)用和發(fā)展

    隨著材料科學(xué)技術(shù)的快速發(fā)展,薄膜材料因其特別的物理和化學(xué)性質(zhì),在電子、光學(xué)、航空航天等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。薄膜應(yīng)力是評估薄膜質(zhì)量和性能的重要指標之一,而原位薄膜應(yīng)力測試儀則是準確測量薄膜應(yīng)力的關(guān)鍵工具。原位薄膜應(yīng)力測試儀基于光學(xué)干涉、X射線衍射等原理,通過非接觸方式對薄膜應(yīng)力進行高精度測量。儀器通常采用光學(xué)顯微鏡或X射線衍射儀等核心部件,通過觀測薄膜表面反射或衍射光線的變化,結(jié)合相關(guān)算法和數(shù)據(jù)處理技術(shù),實現(xiàn)對薄膜應(yīng)力的定量測量。原位薄膜應(yīng)力測試儀具有以下幾個顯著的技術(shù)特點與優(yōu)勢:1.高精度測量:
  • 2024

    03-14

    聚光太陽光模擬器的操作方法

    隨著科技的不斷發(fā)展,人們對于太陽光的利用越來越高效。聚光太陽光模擬器作為一種高科技設(shè)備,可以模擬太陽光的特性,以便于各種應(yīng)用。使用聚光太陽模擬器能避免室外測量的環(huán)境、氣候、時間等因素限制,而廣泛應(yīng)用于新能源產(chǎn)品檢測、光電材料特性測試、生物化學(xué)相關(guān)測試、環(huán)境研究等領(lǐng)域。聚光太陽光模擬器的操作步驟:1、需要將模擬器放置在恰當?shù)奈恢?,確保其能夠正常工作,并與電源線接通。然后,需要打開設(shè)備并進行預(yù)熱,使其達到可操作狀態(tài)。2、在進行實驗之前,需要根據(jù)需求設(shè)定好模擬器的參數(shù),如光照強度、光譜分布等。這些參數(shù)
  • 2024

    03-14

    KSA BandiT 實時襯底溫度測試儀為半導(dǎo)體工藝帶來的改變

    隨著半導(dǎo)體行業(yè)的迅猛發(fā)展,精確控制生產(chǎn)過程中的各項參數(shù)變得尤為重要。其中,襯底溫度作為影響材料生長、晶體結(jié)構(gòu)以及最終器件性能的關(guān)鍵因素,其準確測量與控制顯得尤為重要。在這樣的背景下,KSABandiT實時襯底溫度測試儀應(yīng)運而生,以其*的性能和創(chuàng)新的設(shè)計,為半導(dǎo)體工藝帶來了革命性的變革。實時襯底溫度測試儀,以其特別的優(yōu)勢,在半導(dǎo)體工藝中發(fā)揮著不可替代的作用。首先,其高精度測量技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)對襯底溫度的實時監(jiān)測,確保生產(chǎn)過程中溫度的微小變化都能被捕捉到。這對于半導(dǎo)體材料的生長和器件性能的穩(wěn)定性至關(guān)重
  • 2024

    02-28

    EES:識別上升時間常數(shù)以量化鈣鈦礦太陽能電池中的電荷載流子提取

    主要內(nèi)容鈣鈦礦太陽能電池(PSCs)的小擾動分析突出了一個基本難題,即時域測量產(chǎn)生了與光電壓或光電流的上升和隨后衰減相對應(yīng)的兩個時間常數(shù),但相應(yīng)的頻域方法僅從傳遞函數(shù)的負虛部分析中產(chǎn)生一個時間常數(shù)。為了解決這個問題,研究團隊提出了一種頻域傳遞函數(shù)的修改,該函數(shù)側(cè)重于在高頻下向負值的轉(zhuǎn)變。在使用漂移擴散模擬和等效電路分析進行驗證后,將該方法應(yīng)用于PSC實驗強度調(diào)制光電壓譜數(shù)據(jù),可以計算隱藏的上升時間常數(shù),顯示出與瞬態(tài)光電壓測量獲得上升時間常量的良好一致性。將這些測量與瞬態(tài)光致發(fā)光測量相結(jié)合可以計算
  • 2024

    02-28

    薄膜應(yīng)力測量系統(tǒng)的重要性

    隨著科技的不斷發(fā)展,薄膜材料在各領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛,如微電子、生物醫(yī)學(xué)、光學(xué)等。然而,薄膜在制備和使用過程中會產(chǎn)生應(yīng)力,這對其性能和穩(wěn)定性有著重要影響。因此,精確測量薄膜應(yīng)力成為了一個關(guān)鍵問題。薄膜應(yīng)力測量系統(tǒng)基于各種物理原理,如光學(xué)干涉、X射線衍射、電子顯微鏡等,可對薄膜應(yīng)力進行非破壞性、高精度測量。其中,X射線衍射是應(yīng)用較廣泛的方法之一。通過測量X射線衍射花樣,可以獲取薄膜晶格常數(shù)、應(yīng)力等重要信息。此外,光學(xué)干涉技術(shù)也廣泛應(yīng)用于薄膜應(yīng)力的測量,它利用光干涉現(xiàn)象,通過測量干涉條紋的變化來計算薄
  • 2024

    02-26

    原子層沉積系統(tǒng)正逐漸成為科研和工業(yè)界關(guān)注的焦點

    隨著科技的飛速發(fā)展,人類對新型材料的需求也日益增強。原子層沉積系統(tǒng),作為材料制備領(lǐng)域的一種創(chuàng)新技術(shù),正逐漸成為科研和工業(yè)界關(guān)注的焦點。原子層沉積系統(tǒng),簡稱ALD,是一種先進的材料制備技術(shù)。該系統(tǒng)通過將物質(zhì)以單原子層的形式逐層沉積在基底上,實現(xiàn)材料的精確控制和優(yōu)化。與傳統(tǒng)的物理氣相沉積和化學(xué)氣相沉積技術(shù)相比,原子層沉積系統(tǒng)具有更高的沉積精度和更廣泛的材料選擇范圍。原子層沉積系統(tǒng)的技術(shù)優(yōu)勢1.高度均勻性:該系統(tǒng)能夠在大面積基底上實現(xiàn)高均勻性的薄膜沉積,這對于制造高性能電子器件、光電器件等至關(guān)重要。2
  • 2024

    02-23

    AFM:將MR-TADF發(fā)射器引入發(fā)光電化學(xué)cells中以實現(xiàn)窄帶高效發(fā)射

    主要內(nèi)容通過多共振熱激活延遲熒光(MR-TADF)過程發(fā)射的有機半導(dǎo)體可以提供窄帶和高效的電致發(fā)光,同時可由溶劑和無金屬加工。這使得它們作為可持續(xù)發(fā)光電化學(xué)電池(LECs)中的發(fā)射器具有重要作用,但到目前為止,還沒有關(guān)于LEC器件的窄帶和高效MR-TADF發(fā)射的報道。在這篇文章中,研究團隊通過系統(tǒng)的材料選擇和設(shè)備開發(fā)展開研究。結(jié)果表明,原型剛性和平面咔唑基MR-TADF發(fā)射體的有害聚集趨勢可以通過其分散到相容的咔唑基混合主體和離子液體電解質(zhì)中來抑制,并且進一步證明,這種活性材料的調(diào)整導(dǎo)致所需平衡
  • 2024

    01-30

    為什么選擇雙燈太陽光模擬器?

    太陽能是一種可再生能源,利用太陽能可以產(chǎn)生電力和熱能。雙光源太陽光模擬器可以模擬不同日照條件下的太陽光譜,幫助研究人員評估太陽能設(shè)備的性能和效率。這對于太陽能技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用具有重要意義。雙燈太陽光模擬器的主要組成部分包括光源、控制系統(tǒng)、光學(xué)系統(tǒng)和測試環(huán)境。光源是產(chǎn)生太陽光譜的核心部件,其性能直接影響到太陽光模擬器的精確度??刂葡到y(tǒng)用于調(diào)整光源的輸出,以滿足不同測試條件的需求。光學(xué)系統(tǒng)負責將光源產(chǎn)生的光譜進行整形和調(diào)整,使其符合太陽光的分布特征。測試環(huán)境是專門為測試太陽能設(shè)備而設(shè)計的,以確保設(shè)備
  • 2024

    01-26

    壓電系數(shù)測試儀探索壓電現(xiàn)象

    壓電效應(yīng),是指某些材料在受到機械壓力或拉力時,會在其內(nèi)部產(chǎn)生電荷的現(xiàn)象。這種現(xiàn)象在自然界中并不少見,如水晶的壓電效應(yīng)就是一種典型代表。然而,對于科技領(lǐng)域來說,精確測量材料的壓電系數(shù)至關(guān)重要,因為這直接影響到電子器件的性能。為此,壓電系數(shù)測試儀的出現(xiàn)成為了解決這一問題的關(guān)鍵工具。壓電系數(shù)測試儀的基本原理基于壓電效應(yīng)。在測試過程中,儀器對樣品施加一定的壓力,并測量由此產(chǎn)生的電信號。通過分析這些信號,我們可以得到材料的壓電系數(shù)。這種儀器的精確度較高,能夠測量出微小的壓電效應(yīng),對于研究和開發(fā)新型壓電材料
  • 2024

    01-23

    高分子壓電系數(shù)測試儀揭示了高分子材料的壓電性能

    在現(xiàn)代科技的各個領(lǐng)域中,高分子材料的應(yīng)用日益廣泛。然而,了解和掌握高分子材料的性能是確保其有效應(yīng)用的先決條件。這其中,壓電性能是高分子材料的一個重要特性,對于許多應(yīng)用領(lǐng)域如傳感器、能源轉(zhuǎn)換和醫(yī)學(xué)診斷等具有深遠的影響。因此,精確測量高分子材料的壓電系數(shù)至關(guān)重要。近年來,高分子壓電系數(shù)測試儀的出現(xiàn)為這一需求提供了強有力的支持。高分子壓電系數(shù)測試儀是專門設(shè)計用來測量高分子材料壓電性能的設(shè)備。它采用了先進的傳感技術(shù)和信號處理技術(shù),能夠精確測量微小的壓電系數(shù),并保證測試結(jié)果的準確性和可靠性。在測試過程中,
  • 2024

    01-12

    OLED非極性染料在發(fā)光Guest–Host體系中的取向機制

    主要內(nèi)容有機Host體系中發(fā)射躍遷偶極子的對齊是增強有機發(fā)光二極管光輸出耦合的有力工具。在這篇文章中,研究團隊通過了解四種非極性染料在純薄膜和染料摻雜的Host體系中取向機制。發(fā)現(xiàn)控制它們在熱蒸發(fā)薄膜中排列的關(guān)鍵因素是它們的形狀各向異性以及生長薄膜的襯底溫度與Guest-Host體系玻璃化轉(zhuǎn)變溫度之間的比率。然而,當使用玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)不同的混合升醇體系時需小心。在這種情況下,發(fā)射極取向可能不遵循混合有效Tg,mix。此外,建議使用分子的主慣性矩來判斷其resiliencetowardre
  • 2023

    12-27

    什么是瞬態(tài)光電壓測試?

    瞬態(tài)光電壓技術(shù),可以用來研究光生電荷分高的動力學(xué)信息,包括光生電荷分寓過程中的漂移和擴散過程:漂移過程一般指發(fā)生在顆粒內(nèi)的快速分高過程;而主廣散過程一般為長時同范圍內(nèi)顆粒間的電荷傳輸。另外,通過分析瞬態(tài)光電壓譜的形狀、時同尺度、符號、強度等方面可以得到光生電荷分離和復(fù)合的快慢、分離方向、分離模式、分離程度等一系列信息。瞬態(tài)光電壓測試系統(tǒng)是多功能載流子遷移率綜合分析系統(tǒng)的一個具有代表性的測試。本公司提供的瞬態(tài)光電壓測試系統(tǒng)整合了DC,AC和瞬態(tài)測試,用于太陽能電池瞬態(tài)光電流譜TPC,瞬態(tài)光電壓譜T
  • 2023

    12-26

    太陽能電池IV測試儀的主要功能

    隨著全球能源危機的加劇和環(huán)境污染問題的日益嚴重,太陽能作為一種清潔、可再生的能源越來越受到人們的關(guān)注。太陽能電池作為太陽能發(fā)電系統(tǒng)的核心部件,其性能的優(yōu)劣直接影響到整個發(fā)電系統(tǒng)的效率。因此,對太陽能電池的性能進行準確的測試和評估至關(guān)重要。太陽能電池IV測試儀正是為此而設(shè)計的一種關(guān)鍵工具。太陽能電池IV測試儀,又稱為太陽能電池特性曲線測試儀,主要用于測量太陽能電池的電流-電壓(I-V)特性曲線。通過測量不同光照強度下的電池輸出電壓和電流,可以計算出電池的短路電流(Isc)、開路電壓(Voc)、最大
  • 2023

    12-20

    界面工程有機近紅外光電探測器在成像方面的應(yīng)用

    主要內(nèi)容研究團隊報道了一種高速低暗電流近紅外(NIR)有機光電探測器(OPD),該探測器在硅襯底上以非晶銦鎵氧化鋅(a-IGZO)作為電子傳輸層(ETL)。通過精細的表征技術(shù),與溫度相關(guān)的電流-電壓測量、基于電流的深能級瞬態(tài)光譜(Q-DLTS)和瞬態(tài)光電壓衰減測量,可以深入了解暗電流的起源。這些表征結(jié)果與從紫外光電子能譜推導(dǎo)出的能帶結(jié)構(gòu)相輔相成?;谙葳遢o助場增強熱發(fā)射(Poole–Frenkel發(fā)射)的暗電流機制,陷阱態(tài)的存在和激活能對所施加的反向偏置電壓產(chǎn)生強烈依賴性。通過在供體:受體共混物
  • 2023

    12-20

    OLED光電性能測量系統(tǒng)的重要性

    近年來,有機發(fā)光二極管(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)技術(shù)迅猛發(fā)展,成為顯示技術(shù)領(lǐng)域的一顆明星。為了實現(xiàn)OLED的高效、穩(wěn)定和可靠運行,需要對其光電性能進行準確測量。本文將介紹OLED光電性能測量系統(tǒng)的重要性,并探討其在促進OLED技術(shù)進步中的關(guān)鍵作用。1.什么是OLED光電性能測量系統(tǒng)?OLED光電性能測量系統(tǒng)是一種用于評估和表征OLED性能的測試設(shè)備。它可以測量OLED的光電特性,如亮度、發(fā)光效率、色彩均勻性、壽命等。該系統(tǒng)通常由光源、光電轉(zhuǎn)換器、數(shù)據(jù)采集單
  • 2023

    12-13

    化學(xué)所李永舫等人Nat. Commun.: 巨分子受體的精確合成及其光伏特性

    主要內(nèi)容在這篇文章中,化學(xué)所李永舫等人采用分步合成的方法合成了一系列具有兩個、三個和四個小分子受體亞基的巨分子受體DY、TY和QY,系統(tǒng)研究了亞基數(shù)量對小分子受體YDT到巨分子受體和聚合小分子受體PY-IT的結(jié)構(gòu)-性質(zhì)關(guān)系的影響。在這些基于受體的器件中,基于TY的薄膜顯示出適當?shù)慕o體/受體相分離、更高的電荷轉(zhuǎn)移態(tài)產(chǎn)率和更長的電荷轉(zhuǎn)移狀態(tài)壽命。結(jié)合更高的電子遷移率、更有效的激子離解和更低的電荷載流子復(fù)合特性,基于TY的器件表現(xiàn)出高達16.32%的功率轉(zhuǎn)換效率。研究結(jié)果表明,這些受體中的亞基數(shù)量對其
  • 2023

    12-11

    水溶性NaCl薄膜上GaAs模板的分子束外延

    主要內(nèi)容目前III-V族化合物襯底費用普遍偏高,許多技術(shù)由此受到了其成本的限制。因此,能夠重復(fù)使用原始襯底是一種可行的解決方法,但現(xiàn)有的襯底再利用技術(shù)存在明顯缺陷。在這篇文章中,研究人員討論了一種通過分子束外延在常用(001)GaAs襯底上沉積水溶性NaCl薄膜的新方法。利用原位電子束和低溫成核層,在連續(xù)的NaCl層上生長單晶GaAs模板。模板層可以通過NaCl的溶解而從襯底上快速去除,Lift-off(剝離工藝)后的原始晶片rms表面粗糙度僅增加了0.2nm。其中研究過程中使用巨力光電代理的k
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