產(chǎn)品介紹：感應耦合等離子（ICP）刻蝕及沉積、深反應離子刻蝕（DRIE）及低溫等離子體增強化學氣相沉積（PEVCD）

BM8-III 感應耦合等離子（ICP）刻蝕及沉積系統(tǒng)

高性能深反應離子刻蝕（DRIE）及低溫等離子體增強化學氣相沉積（PEVCD）等離子處理系統(tǒng)

BM8-III感應耦合等離子（ICP）處理系統(tǒng)是一款全新定義深反應離子刻蝕（DRIE）及低溫低損傷 等離子體增強化學氣相沉積（PEVCD）等離子處理新概念的等離子處理系統(tǒng)。

該感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)基于模塊化設計制造，采用一款通用的真空處理艙及機柜。等離子處理系統(tǒng)采用感應耦合等離子（ICP）電極及底部沉積電極模塊化設計理念，方便整體感應耦合等離子（ICP）刻蝕及沉積系統(tǒng)的組裝及配置。

該感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)帶給用戶方便操作，提供多種等離子處理工藝、方便維護及性價比高的系統(tǒng)比業(yè)內(nèi)其它感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)更具競爭力。

感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)主要性能簡介

等離子工藝處理的研發(fā)需要多功能且可靠的等離子處理設備。為了滿足等離子研究日新月異的要求，用戶選購的系統(tǒng)設備滿足zui大范圍的等離子工藝參數(shù)需要、工藝驗證需要極其高的可重復性、必須方便改造用于新的等離子工藝需要。我們相信BM8-III感應耦合等離子（ICP）蝕刻/沉積等離子系統(tǒng)滿足這些非常苛刻的要求。

BM8-III是一款用于研究、工藝開發(fā)及其小批量生產(chǎn)的感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)工具，用于zui大八英寸（203mm）基片的精密等離子刻蝕及沉積。該感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)也可以容納處理多塊晶圓片。

在設計BM8-III感應耦合等離子（ICP）蝕刻/沉積等離子系統(tǒng)之初，主導指示就是創(chuàng)造一款融合高質(zhì)量、可靠、重復性及其用于生產(chǎn)系統(tǒng)的工藝控制能力為一體的等離子系統(tǒng)；同時*的降低主機成本、維護成本及占地面積小等要求。

BM8-III感應耦合等離子（ICP）處理系統(tǒng)具有*的機體結(jié)構(gòu)和電極設計，方便安裝在層流模塊中或是超凈間。感應耦合等離子（ICP）處理系統(tǒng)的建造采用高質(zhì)量認可的部件、模塊化裝配、多功能真空艙體及其電極設計、結(jié)構(gòu)緊湊、自動化及業(yè)內(nèi)認可工藝程序使得BM8-III感應耦合等離子（ICP）處理系統(tǒng)成為工藝工程師*干法設備。

感應耦合等離子（ICP）處理系統(tǒng)特性

• 一體式真空艙體構(gòu)造

• 1000W@13.56MHz，射頻感應耦合等離子（ICP）電源

• 600W@13.56 MHz 射頻 偏壓電源

• Auto RF matching 自動射頻匹配器

• 下游壓力控制

• 基于Windows操作系統(tǒng)軟件的電腦控制

• 多款真空泵浦系統(tǒng)選配：機械泵及渦輪增壓泵浦用于蝕刻；機械泵浦配備羅茨風機用于沉積；

• 業(yè)內(nèi)認可的部件

• 認證的工藝程序

• 終點探測檢測（選配）

感應耦合等離子（ICP）處理系統(tǒng)應用

•  深反應離子刻蝕（DRIE）

• 低損傷高速蝕刻速率

• 亞微米級蝕刻

• SiO2 及 Si3N4的低溫、低損傷等離子體增強化學氣相沉積（PEVCD）

• 聚酰亞胺蝕刻、鈍化層蝕刻（Polyimide etching 、Passivation etching）

• 碳納米管沉積

感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)應用

基于感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積系統(tǒng)建造的高質(zhì)量處理模塊，BM8-III滿足廣泛的等離子處理工藝條件，無論是復雜的亞微米級反應離子刻蝕 （RIE）還是低溫下的高質(zhì)等離子體增強化學氣相沉積PEVCD薄膜的沉積。

基與眾多客戶群的緊密協(xié)作，我們開發(fā)出業(yè)內(nèi)認可的工藝程序，保證系統(tǒng)滿足用戶所需。用于生產(chǎn)制造的系統(tǒng)設備均采用zui高質(zhì)量的部件，保證我們的系統(tǒng)提供zui大可能的正常運行時間、 可靠性、重復性及耐用性。

感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)技術(shù)規(guī)格

BM8-III感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)的廣泛使用得益于其高性價比、多功能設計模塊、提供其他同類感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)沒有的工藝優(yōu)勢。這些包括層流安裝、安裝占地面積小，多款電極配置，及其zui大可滿足8英寸基片處理等。

感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)基本模塊

BM8-III感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)的基本部件包括一款基于Windows的PC控制器及其菜單存儲、數(shù)碼質(zhì)量流量控制的四路通道控制（zui大可擴展至六通道）、溫度補償式電容壓力計用于測量工藝真空度、100毫米真空通道用于zui大工藝氣體電導、KF或ISO標準管件便于維護；及其它工藝及服務特性。工藝氣體導管未不銹鋼操作，配備VCE連接件。

感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)真空處理艙

BM8-III感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)的真空處理艙采用整塊陽極氧化鋁合金建造成一體式設計。感應耦合等離子（ICP）刻蝕、等離子體增強化學氣相沉積（PEVCD）系統(tǒng)均采用同樣的真空處理艙設計。真空處理艙上部部包括一個感應耦合等離子（ICP）線圈及陶瓷窗；真空艙下部包括基片電極，真空泵浦接口及氣體必要的真空閥及其真空監(jiān)控設備。自動升降臺抬舉真空艙上部便于接近底部電極。

感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)電極配置

感應耦合等離子（ICP）線圈及陶瓷窗同樣用于感應耦合等離子（ICP）蝕刻機沉積系統(tǒng)之中。

感應耦合等離子（ICP）蝕刻電極特別為低真空范圍的*等離子性能設計。

不銹鋼材質(zhì)底部電極通過可選配冷卻循環(huán)器來控制溫度。感應耦合等離子（ICP）線圈陽極采用暗區(qū)屏障設計，使等離子在兩塊電極之間產(chǎn)生。

感應耦合等離子（ ICP）及等離子體增強化學氣相沉積（ PECVD） 底部電極采用類似的設計，電極zui大可耐400℃高溫。

感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)電源

1000W@13.56MHz射頻電源給電感應耦合等離子（ICP）線圈，在低等離子電位下產(chǎn)生等離子密度高達5 x 1011 eV/cm3（氬氣等離子），而第二套600W@13.56MHz 射頻電源給電基片電極產(chǎn)生射頻偏壓。所有的電源采用固態(tài)、風冷式，配備自動匹配器。這樣離子能量及離子密度可以分別控制。感應耦合等離子（ICP）線圈位于真空艙外部，由陶瓷窗隔離；感應耦合等離子（ICP）線圈處于大氣壓下，而非等離子產(chǎn)生環(huán)境中。

感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)工藝處理真空泵浦

根據(jù)用戶的工藝需要，BM8-III感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)配備機械泵、機械泵及渦輪分子泵，或是帶魯氏鼓風機的機械泵。也可根據(jù)所需真空處理級別配備不同尺寸大小的真空泵浦。

感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)壓力控制

下游壓力控制提供了更加精密的工藝控制。閉環(huán)式壓力控制系統(tǒng)集成在真空處理艙和工藝處理真空泵浦之間。該控制系統(tǒng)包括一套100mm伺服電磁閥及壓力控制器與位于真空處理艙內(nèi)的電容壓力計相連接；提供了工藝壓力控制的*自動化控制。

感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)控制器

控制器采用電腦控制整個系統(tǒng)?；赪indows的控制軟件采用多屏幕顯示系統(tǒng)設備控制、數(shù)據(jù)記錄、稱呼設定及存儲，系統(tǒng)連鎖應需配備。

感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)可在自動或手動模式下運行。

感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)選配件

為了增強系統(tǒng)的工藝處理能力，BM8-III感應耦合等離子（ICP）系統(tǒng)提供廣泛的工藝處理選項，包括終點檢測、水冷器（用于冷卻電極）、油霧分離器及吹掃系統(tǒng)、下周壓力控制、硬質(zhì)陽極氧化真空艙。工藝廢氣處理系統(tǒng)也可提供。

感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)外觀尺寸

寬: 118cm

深: 95cm

機柜高度:  91cm

整機高度: 137cm

重量: 約227公斤

感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)安裝條件

感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)主機 220V, 50/60Hz, 20A

感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)真空泵浦: 220V, 60Hz, 10 Amps （*機械真空泵浦） 220V, 50Hz, 5 Amps

冷卻水:用于電極冷卻5.5L/min （20℃）

大氣: 用于電磁閥控制 （0.55MPa）

氮氣：N2: 0.1~0.14MPa （用于真空處理艙吹掃））

氣源: 等離子處理工藝氣體, VCR 管件

如果您對GIK感應耦合等離子（ICP）刻蝕及等離子沉積處理系統(tǒng)感興趣，請索取更詳盡資料！
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