氮化硅陶瓷結構件，精密陶瓷加工制造
氮化硅陶瓷結構件采用反應燒結工藝，通過添加硬脂酸，制備孔 徑為0.8 mm，孔隙率在55%左右的具有宏觀球形 孔的低密度多孔氮化硅陶瓷，研究了α/β 相變對多孔氮化硅陶瓷介電性能的影響通過調(diào)節(jié)氮化溫度和時間，可得到具有不同β 相相對含量(質量分數(shù)，下同)的多晶氮化硅陶瓷
氮化硅陶瓷結構件極耐高溫，強度一直可以維持到1200℃的高溫而不下降，受熱后不會熔成融體，一直到1900℃才會分解，并有驚人的耐化學腐蝕性能，能耐幾乎所有的無機酸和30%以下的燒堿溶液，也能耐很多有機酸的腐蝕；同時又是一種高性能電絕緣材料由于氮化硅是鍵強高的共價化合物，并在氮化硅陶瓷結構件空氣中能形成氧化物保護膜，所以還具有良好的化學穩(wěn)定性，1200℃以下不被氧化，1200~1600℃生成保護膜可防止進一步氧化
在氧化氣氛中可使用到1400℃，在中性或還原氣氛中一直可使用到1850℃
相對分子質量140.28，灰色、白色或灰白色
要求材料同時保持較高的致密度和優(yōu)良的抗熱震性,通常是一個難以調(diào)和的矛盾但是,上述提到的三種改善材料抗熱震性能的方法,都不是以犧牲材料的致密度為代價的 對于氧化鋯材料,在所提到的三種方法中,利用相變改善材料的抗熱震性顯然有更大的余地但是,要真正實現(xiàn)氧化鋯相變設計改善氧化鋯材料的抗熱震性還有許多工作要做

氮化硅陶瓷可做高溫絕緣材料，其性能指標的優(yōu)劣主要取決于合成方式與純度，材料內(nèi)未被氮化的游離硅，在制備中帶入的堿金屬、堿土金屬、鐵、鈦、鎳等雜志，均可惡化氮化硅陶瓷的電性能，一般氮化硅陶瓷在室溫下、在干燥介質中的比電阻為1015～1016歐姆，介電常數(shù)是9.4～9.5，在高溫下，氮化硅陶瓷仍保持較高的比電阻值，隨著工藝條件的提高，氮化硅可以進入常用電介質行列
彈性模量 拼音:tanxingmoliang 英文名稱：modulusofelasticity 定義：材料在彈性變形階段，其應力和應變成正比例關系（即符合胡克定律），其比例系數(shù)稱為彈性模量單位：達因每平方厘米
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