微波等離子化學氣相沉積系統(tǒng)-MPCVD

應用域

● 大尺寸寶石單晶鉆石

● 高取向度金剛石晶體

● 納米結晶金剛石

● 碳納米管/類金剛石碳（DLC）

● MPCVD同樣適用于其它硬質材料如Al₂O₃，c-BN的薄膜沉積和晶體合成。

MPCVD等離子化學氣相沉積設備點  

1.CYRANNUS^®技術無需在樣品腔內安裝內部電，在沉積腔內，沒有工作氣體以外的任何物質，潔凈，無污染源。等離子發(fā)生器可以保持長壽命，并可以確保腔內的等離子體的均勻分布，進步生成晶體的純凈度和生長周期。

2.CYRANNUS^®技術的腔外多電設置，確保等離子團穩(wěn)定生成于腔內中心位置，對腔壁、窗口等無侵蝕作用，減少雜質來源，提高晶體純度。由CYRANNUS®系統(tǒng)合成的金剛石，純度均在VVS別以上。

3電子溫度和離子溫度對中性氣體溫度之比非常高，運載氣體保持合適的溫度，因此可使基底的溫度不會過高。

4.微波發(fā)生器穩(wěn)定易控，能在從10 mbar到室壓的高壓強環(huán)境下維持等離子體，在氣流、氣壓、氣體成分、電壓出現(xiàn)波動時，確保等離子體狀態(tài)的穩(wěn)定，保證單晶生長的過程不被上述干擾而中斷，有于獲得大尺寸單晶金剛石。

5.可以采用磁約束的方法，約束在等離子團在約定的空間內，微波結和磁路可以兼容。

6.安全因素高。高壓源和等離子體發(fā)生器互相隔離，微波泄漏小，容易達到輻射安全標準。

7.可搭配多種功率微波源和不同尺寸腔體，滿足從實驗室小型設備到工業(yè)大型裝置的不同需要?？梢詫χ睆竭_300mm的襯底沉積金剛石薄膜。

設備選件

多種等離子發(fā)生器選擇：   頻率：2.45 GHz, 915 MHz 功率：1-2 kW, 1-3 kW, 3-6 kW,1-6 kW，5-30 kW 等離子團直徑：70 mm, 145 mm, 250 mm, 400 mm 工作其他范圍：0-1000 mBar
其他應用：   MPCVD同樣適用于平面基體，或曲面顆粒的其它硬質材料如Al2O3，c-BN的薄膜沉積和晶體合成。德國iplas公司憑借幾十年在等離子技術域的積累，可以為用戶提供高度定制的設備，滿足用戶不同的應用需要。

發(fā)表文章

1. Use of optical spectroscopy methods to determine the solubility limit for nitrogen in diamond single crystals synthesized by chemical vapor deposition, Journal of Applied Spectroscopy, Vol. 82, No. 2, May, 2015 (Russian Original Vol. 82, No. 2, March–April, 2015).

2. Large Area Deposition of Polycrystalline Diamond Coatings by Microwave Plasma CVD. Trans. Ind. Ceram. Soc., vol. 72, no. 4, pp. 225-232 (2013).

用戶單位

中科院沈陽金屬所

吉林大學