替代IRFR5305應(yīng)用電動(dòng)助力車(chē)mos開(kāi)關(guān)管工藝
IRFR5305封裝工程：是封裝與實(shí)裝工程及基板技術(shù)的總和。即將半導(dǎo)體、電子元器件所具有的電子的、物理的功能，轉(zhuǎn)變?yōu)檫m用于機(jī)器或系統(tǒng)的形式，并使之為人類(lèi)社會(huì)服務(wù)的科學(xué)技術(shù)，統(tǒng)稱為電子封裝工程。

IRFR5305在SGT MOSFET研究中存在的主要問(wèn)題有以下兩點(diǎn)，一是目前絕大部分研究都采用計(jì)算機(jī)仿真程序來(lái)模擬得出研究結(jié)論，部分研究成果缺少器件物理層面的機(jī)理分析與理論解析，以至于影響對(duì)器件工作機(jī)理的深入理解；二是目前對(duì)SGT MOSFET

研究主要以元胞結(jié)構(gòu)為主，對(duì)終端部分的研究有所欠缺，另外部分結(jié)構(gòu)在實(shí)際工藝實(shí)現(xiàn)方面也存在一定的難度。

未來(lái)，SGT MOSFET研究的重點(diǎn)應(yīng)以目前的元胞結(jié)構(gòu)改進(jìn)和性能優(yōu)化為基礎(chǔ)，進(jìn)一步拓展到對(duì)器件終端區(qū)域結(jié)構(gòu)，并加強(qiáng)對(duì)器件在各類(lèi)應(yīng)力下的可靠性和極限能力研究；隨著SGT MOSFET的特性和工藝的不斷改進(jìn)優(yōu)化，未來(lái)SGT MOSFET有望同

200V-400V電壓段的平面技術(shù)和超結(jié)技術(shù)器件競(jìng)爭(zhēng)并取得勝出。

替代IRFR5305常見(jiàn)問(wèn)題
IRFR5305MOS 開(kāi)關(guān)原理（簡(jiǎn)要）。MOS 是電壓驅(qū)動(dòng)型器件，只要柵極和源級(jí)間給一個(gè)適當(dāng)電壓，源級(jí)和漏級(jí)間通路就形成。這個(gè)電流通路的電阻被成為 MOS 內(nèi)阻，就是導(dǎo)通電阻。這個(gè)內(nèi)阻大小基本決定了 MOS 芯片能承受的導(dǎo)通電流（當(dāng)然和其它因素有關(guān)，關(guān)的是熱阻）。內(nèi)阻越小承受電流越大（因?yàn)榘l(fā)熱?。?/p>

IRFR5305MOS 問(wèn)題遠(yuǎn)沒(méi)這么簡(jiǎn)單，麻煩在它的柵極和源級(jí)間，源級(jí)和漏級(jí)間，柵極和漏級(jí)間內(nèi)部都有等效電容。所以給柵極電壓的過(guò)程就是給電容充電的過(guò)程（電容電壓不能突變），所以 MOS 源級(jí)和漏級(jí)間由截止到導(dǎo)通的開(kāi)通過(guò)程受柵極電容的充電過(guò)程制約。

然而，這三個(gè)等效電容是構(gòu)成串并聯(lián)組合關(guān)系，它們相互影響，并不是獨(dú)立的，如果獨(dú)立的就很簡(jiǎn)單了。其中一個(gè)關(guān)鍵電容就是柵極和漏級(jí)間的電容 Cgd，這個(gè)電容業(yè)界稱為米勒電容。這個(gè)電容不是恒定的，隨柵極和漏級(jí)間電壓變化而迅速變化。這個(gè)米勒電容是柵極和源級(jí)電容充電的絆腳石，因?yàn)闁艠O給柵 - 源電容 Cgs 充電達(dá)到一個(gè)平臺(tái)后，柵極的充電電流必須給米勒電容 Cgd 充電，這時(shí)柵極和源級(jí)間電壓不再升高，達(dá)到一個(gè)平臺(tái)，這個(gè)是米勒平臺(tái)（米勒平臺(tái)就是給 Cgd 充電的過(guò)程），米勒平臺(tái)大家首先想到的麻煩就是米勒振蕩。（即，柵極先給 Cgs 充電，到達(dá)一定平臺(tái)后再給 Cgd 充電）

因?yàn)檫@個(gè)時(shí)候源級(jí)和漏級(jí)間電壓迅速變化，內(nèi)部電容相應(yīng)迅速充放電，這些電流脈沖會(huì)導(dǎo)致 MOS 寄生電感產(chǎn)生很大感抗，這里面就有電容，電感，電阻組成震蕩電路（能形成 2 個(gè)回路），并且電流脈沖越強(qiáng)頻率越高震蕩幅度越大。所以最關(guān)鍵的問(wèn)題就是這個(gè)米勒平臺(tái)如何過(guò)渡。

Gs 極加電容，減慢 MOS 管導(dǎo)通時(shí)間，有助于減小米勒振蕩。防止 MOS 管燒毀。

例

鋰電池保護(hù)板做充放電開(kāi)關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開(kāi)或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開(kāi)關(guān)速度，會(huì)在整體電路上設(shè)計(jì)了快速關(guān)閉回路。

要注意以下幾個(gè)點(diǎn)：

1，注意DS電壓，設(shè)計(jì)選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS

2，注意工作電流與保護(hù)電流，經(jīng)驗(yàn)值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。

3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點(diǎn)。

4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。

5，驅(qū)動(dòng)電壓要了解，盡量使MOS工作在*開(kāi)啟狀態(tài)，對(duì)于單片機(jī)驅(qū)動(dòng)的方案，盡量推薦低開(kāi)啟的MOS。

另外在選用MOS管時(shí)要注意溝道類(lèi)型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項(xiàng)參數(shù)。

公司介紹

華鎂公司，為一家專(zhuān)業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計(jì)公司。憑借著堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、營(yíng)銷(xiāo)業(yè)務(wù)及營(yíng)運(yùn)團(tuán)隊(duì)。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價(jià)比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動(dòng)芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計(jì)算機(jī)(個(gè)人計(jì)算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費(fèi)性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個(gè)團(tuán)隊(duì)秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠(chéng)信正直、團(tuán)隊(duì)合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)及50余個(gè)
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國(guó)內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)主要以成品及Wafer銷(xiāo)售和配套服務(wù)為主。

替代IRFR5305應(yīng)用電動(dòng)助力車(chē)mos開(kāi)關(guān)管封裝
IRFR5305封裝內(nèi)部的互連技術(shù)
IRFR5305TO、D-PAK、SOT、SOP等采用焊線式的內(nèi)部互連封裝技術(shù)，當(dāng)CPU或GPU供電發(fā)展到低電壓、大電流時(shí)代，焊線式的SO-8封裝就受到了封裝電阻、封裝電感、PN結(jié)到PCB和外殼熱阻等因素的限制。

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