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替代IRFB4110-半導(dǎo)體MOS管

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華鎂公司為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計(jì)公司。憑借著堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)品開發(fā)、營(yíng)銷業(yè)務(wù)及營(yíng)運(yùn)團(tuán)隊(duì)。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價(jià)比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù),已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片(鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動(dòng)芯片),產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計(jì)算機(jī)(個(gè)人計(jì)算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費(fèi)性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。

華鎂整個(gè)團(tuán)隊(duì)秉持著成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠(chéng)信正直、團(tuán)隊(duì)合作理念,并已累積15年以上的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗(yàn)及50余個(gè),期許華鎂產(chǎn)品能滿足客戶多方面的要求,讓華鎂能為電子產(chǎn)品的開發(fā)盡一份努力

華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)(302 新竹縣竹北市),國(guó)內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市,國(guó)內(nèi)市場(chǎng)主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。


MOS管,中低壓MOS管,MOSFET,場(chǎng)效應(yīng)管

產(chǎn)地類別 國(guó)產(chǎn) 應(yīng)用領(lǐng)域 醫(yī)療衛(wèi)生,能源,電子/電池,道路/軌道/船舶,電氣
通道類型 N VX 15-35-70-46-070

替代IRFB4110應(yīng)用電鉆MOS管工藝
IRFB4110EPI SGT MOSFET的器件結(jié)構(gòu)示意圖和在相同總體EPI厚度下及相同反向耐壓下單層、雙層及三層EPI結(jié)構(gòu)器件內(nèi)部的電場(chǎng)

分布仿真曲線6,可以看出無論在相同的EPI厚度下,還是在相同的耐壓下,三層EPI SGT MOSFET結(jié)構(gòu)器件內(nèi)部電場(chǎng)峰值均小于雙層和單層EPI結(jié)構(gòu),且電場(chǎng)分布更加均勻。對(duì)于150V器件,在總體10um的EPI厚度下,三層EPI的反向擊穿電壓BV和R8分別達(dá)到164.5V和67.8mΩ·m㎡,BV比雙層和單層EPI結(jié)構(gòu)分別提高了6.9%和25.6%,R比雙層和單層EPI結(jié)構(gòu)分別降低了30.4%和62%.

IRFB4110在早期的研究中,人們把Trench MOS研究的焦點(diǎn)集中在擊穿電壓在50V以下的應(yīng)用上。主要關(guān)注Trench MOS的特征導(dǎo)通電阻。通過增加單胞密度,縮短溝道長(zhǎng)度,降低閾值電壓等方法使得Trench MOS的源漏RpsON最小。1989年30V傳統(tǒng)Trench MOS(阻下簡(jiǎn)稱LIMOS)原胞密度可以做到1000uΩ.c㎡,1991年傳統(tǒng)UMOS就得到了長(zhǎng)足的發(fā)展,50V耐壓下原胞密度能達(dá)到580uΩ.c㎡7.隨著Trench MOS越來越廣泛的應(yīng)用。柵電容也逐漸成為人們關(guān)注的又一個(gè)焦點(diǎn)。由于柵電容直接關(guān)系到器件的開關(guān)速度,許多高頻的應(yīng)用希望Trench MOS的電容越低越好。但是,柵電容是隨著單胞密度的增加而增加,所以它和器件的特征導(dǎo)通電阻是矛盾的。于是接著,許多研究就開始集中在RDSON和Qgd乘積Fom值上。




替代IRFB4110常見問題
IRFB4110MOS管失效的6大原因:1)雪崩失效(電壓失效):也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOS管的額定電壓,并且超過達(dá)到了一定的能力從而導(dǎo)致MOS管失效。2)柵極電壓失效:由于柵極遭受異常電壓尖峰,而導(dǎo)致柵極柵氧層失效。3)靜電失效:在秋冬季節(jié),由于人體及設(shè)備靜電而導(dǎo)致的器件失效。4)諧振失效:在并聯(lián)使用的過程中,柵極及電路寄生參數(shù)導(dǎo)致震蕩引起的失效。

體二極管失效:在橋式、LLC等有用到體二極管進(jìn)行續(xù)流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中,由于體二極管遭受破壞而導(dǎo)致的失效。5)SOA失效(電流失效):既超出MOS管安全工作區(qū)引起失效,分為ld超出器件規(guī)格失效以及l(fā)d過大,損耗過高器件長(zhǎng)時(shí)間熱積累而導(dǎo)致的失效。

雪崩失效(電壓失效):底什么是雪崩失效呢?簡(jiǎn)單來說MOS管在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOS管漏源之間,導(dǎo)致的一種失效模式。簡(jiǎn)而言之就是MOS管漏源極的電壓超過其規(guī)定電壓值并達(dá)到一定的能量限度而導(dǎo)致的一種常見的失效模式。

雪崩破壞的預(yù)防措施:理降額使用。目前,行業(yè)內(nèi)降額一般選擇80%-95%的降額。具體情況根據(jù)公司保修條款和電路重點(diǎn)來選擇。理的變壓器反射電壓。理的RCD和TVS吸收電路設(shè)計(jì)。大電流接線盡量采用大、小布置,以減小接線寄生電感。

選擇一個(gè)合理的門電阻Rg.在大功率電源中,可以根據(jù)需要增加RC阻尼或齊納二極管吸收。

冊(cè)極電壓失效:造成柵極電壓異常高的主要原因有三:產(chǎn)、運(yùn)輸、裝配過程中的靜電;電力系統(tǒng)運(yùn)行中設(shè)備和電路寄生參數(shù)引起的高壓諧振;通過Gad傳檢到網(wǎng)




鋰電池保護(hù)板做充放電開關(guān)使用

一般情況下,MOS都處于開或關(guān)的狀態(tài),不用考慮MOS的開關(guān)速度,會(huì)在整體電路上設(shè)計(jì)了快速關(guān)閉回路。

要注意以下幾個(gè)點(diǎn):

1,注意DS電壓,設(shè)計(jì)選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS

2,注意工作電流與保護(hù)電流,經(jīng)驗(yàn)值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。

3,多顆MOS并聯(lián),電流的余量盡量再大一點(diǎn)。

4,走大電流的方案,要綜合考慮封裝散熱,內(nèi)阻。

5,驅(qū)動(dòng)電壓要了解,盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài),對(duì)于單片機(jī)驅(qū)動(dòng)的方案,盡量推薦低開啟的MOS。

另外在選用MOS管時(shí)要注意溝道類型,BVDDS ,ID導(dǎo)通電流,VGS(th),RDSON這幾項(xiàng)參數(shù)。



公司介紹


華鎂公司,為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計(jì)公司。憑借著堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)品開發(fā)、營(yíng)銷業(yè)務(wù)及營(yíng)運(yùn)團(tuán)隊(duì)。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價(jià)比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù),已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片(鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動(dòng)芯片),產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計(jì)算機(jī)(個(gè)人計(jì)算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費(fèi)性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個(gè)團(tuán)隊(duì)秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠(chéng)信正直、團(tuán)隊(duì)合作”理念,并已累積15年以上的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗(yàn)及50余個(gè)世界
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)(302 新竹縣竹北市),國(guó)內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市,國(guó)內(nèi)市場(chǎng)主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。

替代IRFB4110應(yīng)用電鉆MOS管封裝
IRFB4110有些電子系統(tǒng)受制于PCB的尺寸和內(nèi)部的高度,如通信系統(tǒng)的模塊電源由于高度的限制通常采用DFN5*6、DFN3*3的封裝;在有些ACDC的電源中,使用超薄設(shè)計(jì)或由于外殼的限制,適于裝配TO220封裝的功率MOS管,此時(shí)引腳可直接插到根部,而不適于使用TO247封裝的產(chǎn)品;也有些超薄設(shè)計(jì)需要將器件管腳折彎平放,這會(huì)加大MOS管選用的復(fù)雜度。


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