替代IRF530應(yīng)用電摩p溝道m(xù)os管工藝
IRF530芯片封裝技術(shù)越來越*，管角間距越來越小，管腳密度卻越來越高，芯片封裝對(duì)溫度變化的耐受性越來越好，可靠性越來越高。另外一個(gè)重要的指標(biāo)就是看芯片與封裝面積的比例。此外，封裝技術(shù)中的一個(gè)主要問題是芯片占用面積，即芯片占用的印刷電路板（PCB）的面積。從早期的 DIP 封裝，當(dāng)前主流的 CSP 封裝，芯片與封裝的面積比可達(dá) 1:1.14，已經(jīng)十分
接近 1:1 的理想值。而更* MCM 到 SIP 封裝，從平面堆疊到垂直堆疊，芯片與封裝的面積相同的情況下進(jìn)一步提高性能

IRF530功率 MOSFET 是 70 年代在經(jīng)典 MOSFET 的基礎(chǔ)上發(fā)展起來，主要作為功率電子開關(guān)使用。與經(jīng)典 MOSFET 不同，功率 MOSFET 著重發(fā)展和提高其功率特性，增大器件的工作電壓和工作電流（功率 MOSFET 也稱為電力 MOSFET）。功率 MOSFET 圍繞如何解決耐壓和功耗之間的矛盾產(chǎn)生了許多新工藝結(jié)構(gòu)，由LD MOSFET 結(jié)構(gòu)起步經(jīng)歷了 VV MOSFET、VU MOSFET、VD MOSFET、SJ MOSFET、Trench MOSFET、SGT MOSFET 結(jié)構(gòu)的演化。

替代IRF530常見問題
1、IRF530mos管小電流發(fā)熱的原因：
  1）電路設(shè)計(jì)的問題：就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)狀態(tài)，這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。
如果N-MOS做開關(guān)，G級(jí)電壓要比電源高幾V，才能*導(dǎo)通，P-MOS則相反。沒有*打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發(fā)熱。這是設(shè)計(jì)電路的最忌諱的錯(cuò)誤。
  2）頻率太高：主要是有時(shí)過分追求體積，導(dǎo)致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了。
  3）沒有做好足夠的散熱設(shè)計(jì)：電流太高，MOS管標(biāo)稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以ID小于電流，也可能發(fā)熱嚴(yán)重，需要足夠的輔助散熱片。
  4）IRF530MOS管的選型有誤：對(duì)功率判斷有誤，MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮，導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大。

2、IRF530mos管小電流發(fā)熱嚴(yán)重怎么解決：
做好MOS管的散熱設(shè)計(jì)，添加足夠多的輔助散熱片。
貼散熱膠。

3、IRF530MOS管為什么可以防止電源反接？
電源反接，會(huì)給電路造成損壞，不過，電源反接是不可避免的。所以，我們就需要給電路中加入保護(hù)電路，達(dá)到即使接反電源，也不會(huì)損壞的目的。
一般可以使用在電源的正極串入一個(gè)二極管解決，不過，由于二極管有壓降，會(huì)給電路造成不必要的損耗，尤其是電池供電場合，本來電池電壓就3.7V，你就用二極管降了0.6V，使得電池使用時(shí)間大減。
MOS管防反接，好處就是壓降小，小到幾乎可以忽略不計(jì)?，F(xiàn)在的MOS管可以做到幾個(gè)毫歐的內(nèi)阻，假設(shè)是6.5毫歐，通過的電流為1A（這個(gè)電流已經(jīng)很大了），在他上面的壓降只有6.5毫伏。
由于MOS管越來越便宜，所以人們逐漸開始使用MOS管防電源反接了。

4、電池保護(hù)板MOS管放電過程中燒壞的原因
IRF530MOS管燒壞的情況在焊接過程中有短路現(xiàn)象，放電過程中MOS管沒有*打開，處于關(guān)閉或半打開狀態(tài)，PCBA內(nèi)阻變大，長時(shí)間大電流放電，發(fā)熱燒壞、燒糊。
生產(chǎn)組裝過程有靜電殘留，或在充放電過程中有外部異常電流／大電壓充放電過程導(dǎo)致MOS管被損壞、燒糊。
保護(hù)板MOS管燒壞處理方法：建議在焊接串線過程時(shí)先焊B4-線（因?yàn)榭拷麭2串的R19短路的風(fēng)險(xiǎn)大）然后在焊接B2串，這樣可以規(guī)避B2和B4短路引起的不良。
IRF530MOS管燒壞防護(hù)措施：生產(chǎn)過程各環(huán)節(jié)做好ESD防護(hù)工作，焊接過程中特別是帶電崗位防止觸碰元器件或線路，建議在焊接串線過程中先焊B4再焊B2線。

5、超過GS或DS耐壓造成MOS擊穿
設(shè)計(jì)時(shí)要對(duì)GS和DS的耐壓有足夠的余量。不要太靠近臨界值，否則在實(shí)際應(yīng)用中，電壓的波動(dòng)或者溫度的變化可能會(huì)使電壓超過耐壓值而損壞MOS。

6、持續(xù)大電流造成熱擊穿
長時(shí)間的大電流，例如D8540NX一直以33A持續(xù)過電流，芯片的內(nèi)核會(huì)逐漸升溫到170度以上，芯片的內(nèi)核即可能會(huì)被擊穿。

7、瞬間高壓
尤其是配合電機(jī)使用時(shí)，當(dāng)電機(jī)突然停止時(shí)，會(huì)產(chǎn)生瞬時(shí)的反向電壓，如果續(xù)流二極管不夠大，則可能會(huì)損傷MOS。

8、IRF530瞬間短路電流
當(dāng)短路瞬間電流超過了MOS的IDM，如果持續(xù)時(shí)間超過前述表9的邊界范圍，則有可能導(dǎo)致MOS瞬間擊穿。

9、IRF530ESD影響
冬天尤其要注意，ESD高發(fā)時(shí)，Ciss電容越小，越容易受到ESD的影響。

10、高頻開關(guān)損耗過大
高頻開關(guān)，尤其是調(diào)速或無刷應(yīng)用時(shí)，MOS處于高頻開關(guān)狀態(tài)，如果驅(qū)動(dòng)和MOS的開關(guān)速度沒有配合好，導(dǎo)致開關(guān)損耗過大，也同樣容易使MOS升溫導(dǎo)致?lián)p壞。

11、IRF530GS驅(qū)動(dòng)電壓不匹配
對(duì)于高開啟的MOS，卻使用5V，甚至3.3V的電源來驅(qū)動(dòng)，或者驅(qū)動(dòng)電阻分壓不當(dāng)，例如滿電時(shí)GS分壓為10V，但接近空電時(shí)只有5V左右的電壓，導(dǎo)致MOS開啟不*，內(nèi)阻成倍增加，通過電流時(shí)會(huì)快速產(chǎn)生熱量導(dǎo)致MOS燒壞。

12、IRF530MOS 損壞主要原因：

過流 ---------- 持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結(jié)溫過高而燒毀；

過壓 ---------- 源漏過壓擊穿、源柵極過壓擊穿；

靜電 ---------- 靜電擊穿，CMOS 電路都怕靜電；


例

鋰電池保護(hù)板做充放電開關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關(guān)速度，會(huì)在整體電路上設(shè)計(jì)了快速關(guān)閉回路。
要注意以下幾個(gè)點(diǎn)：
1，注意DS電壓，設(shè)計(jì)選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護(hù)電流，經(jīng)驗(yàn)值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點(diǎn)。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。
5，驅(qū)動(dòng)電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對(duì)于單片機(jī)驅(qū)動(dòng)的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時(shí)要注意溝道類型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項(xiàng)參數(shù)。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計(jì)公司。憑借著堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)品開發(fā)、營銷業(yè)務(wù)及營運(yùn)團(tuán)隊(duì)。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價(jià)比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動(dòng)芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計(jì)算機(jī)(個(gè)人計(jì)算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費(fèi)性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個(gè)團(tuán)隊(duì)秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠信正直、團(tuán)隊(duì)合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗(yàn)及50余個(gè)。
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國內(nèi)市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。

替代IRF530應(yīng)用電摩p溝道m(xù)os管封裝
IRF530SO-8內(nèi)部封裝結(jié)構(gòu)
IRF530這四種限制對(duì)其電學(xué)和熱學(xué)性能有著極大的影響。隨著電流密度的提高，MOSFET廠商在采用SO-8尺寸規(guī)格時(shí)，同步對(duì)焊線互連形式進(jìn)行了改進(jìn)，用金屬帶、或金屬夾板代替焊線，以降低封裝電阻、電感和熱阻。
IRF530增加漏極散熱板
IRF530標(biāo)準(zhǔn)的SO-8封裝采用塑料將芯片包圍，低熱阻的熱傳導(dǎo)通路只是芯片到PCB的引腳。而底部緊貼PCB的塑料外殼是熱的不良導(dǎo)體，故而影響了漏極的散熱。
IRF530技術(shù)改進(jìn)就是要除去引線框下方的塑封化合物，方法是讓引線框金屬結(jié)構(gòu)直接或加一層金屬板與PCB接觸，并焊接到PCB焊盤上，這樣就提供了更多的散熱接觸面積，把熱量從芯片上帶走；同時(shí)也可以制成更薄的器件。



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