代換AOT290應(yīng)用增強型mos管-華鎂工廠優(yōu)勢
1)代換AOT290自主研發(fā) 自主生產(chǎn)
從研發(fā)、設(shè)計到工廠制造一體化（IDM+Foundry模式），并與晶圓廠達成戰(zhàn)略合作，80%由中芯國際、中國臺灣力積電提供。
來自國內(nèi)廠家的數(shù)名15年以上研發(fā)經(jīng)驗的工程師和FAE工程師，專注于電源保護（鋰電池保護、儲能方面）、電機驅(qū)動市場上的應(yīng)用，并提供個性化開發(fā)，產(chǎn)品更新迭代。
公司是國內(nèi)推出量產(chǎn)級1200V 1700V SiC MOSFET的單位之一，目前擁有SiC MOSFET 量產(chǎn)產(chǎn)品 7款。Trench MOSFET和 SGT MOSFET量產(chǎn)產(chǎn)品達千款，現(xiàn)貨庫存充足，中低壓型號規(guī)格齊全。
交期快，無論是新老產(chǎn)品更新到出品，還是量產(chǎn)產(chǎn)品出貨。

代換AOT290常見問題
AOT290皆振失效：功率MOS管并聯(lián)而不插入柵極電阻但直接連接時發(fā)生的柵極寄生振蕩。
漏源電壓在高速下反復(fù)接通和斷開時，這種寄生振蕩發(fā)生在由柵極漏極電容Cgd(Crss)和柵極pin電感Lg構(gòu)成的諧振電路中。
建立共振條件（ωL=1/ωC)時，在柵極和源極之間施加遠大于驅(qū)動電壓Vgs(in)的振動電壓，柵極因超過柵極源額定電壓而損壞，漏源電壓開關(guān)時的振動電壓通過柵極漏極電容器Cgd和Vgs的重疊波形產(chǎn)生正反饋，可能引起故障引起振蕩破壞。
皆振失效預(yù)防措施：且力可以抑制由于阻尼引起的振蕩。然而，將一個小電阻串聯(lián)到柵極上并不能解決振蕩阻尼問題，主要原因是驅(qū)動電路的阻抗匹配和功率管開關(guān)時間的周整。

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