可飽和吸收體SA透射鎖模saturable absorber

產(chǎn)品簡介                                                                                                     >> 可飽和吸收體SA工作原理？

SA可飽和吸收體透射鎖模器件saturable absorber可以被應(yīng)用于環(huán)形激光器實(shí)現(xiàn)模式鎖定。另外透射型可飽和吸收體可以被應(yīng)用于固體二極管泵浦長波長（>1600nm）固體激光器，因?yàn)闇?zhǔn)備一個(gè)帶有布拉格光柵的可飽和吸收鏡價(jià)格會(huì)比較昂貴。

主要參數(shù)

SA 1020: 適用波長 λ = 980 nm – 1040 nm; 吸收率 A0 = 40 %; 調(diào)制深度 ΔT = 25 %; 弛豫時(shí)間 τ ~ 500 fs; 飽和通量 Φsat = 300 µJ/cm2

SA 1064: 適用波長 λ = 1030 nm – 1090 nm; 吸收率 A0 = 40 %; 調(diào)制深度 ΔT = 25 %; 弛豫時(shí)間 τ ~ 500 fs; 飽和通量 Φsat = 300 µJ/cm2

SA 1550: 適用波長 λ = 1500 nm – 1600 nm; 吸收率 A0 = 25 %; 調(diào)制深度 ΔT = 15 %; 弛豫時(shí)間 τ ~ 2 ps;  飽和通量 Φsat = 300 µJ/cm2

SA 2000: 適用波長 λ = 1900 nm – 2100 nm; 吸收率 A0 = 1 %; 調(diào)制深度 ΔT = 0.6 %; 弛豫時(shí)間 τ ~ 500 fs; 飽和通量 Φsat = 300 µJ/cm2

產(chǎn)品規(guī)格

可飽和吸收體SA透射鎖模saturable absorber封裝形式

x = 5.0-0

•單芯片，無封裝
•芯片面積5.0 mm x 5.0 mm
•芯片厚度625 µm，雙面鍍AR

x = 1.0b-0
•一批4個(gè)，裸芯片，無封裝
•芯片面積1.0 mm x 1.0 mm
•芯片厚度150 µm，用于光纖激光對接

x = 1.3b-0
•一批4個(gè)，裸芯片，無封裝
•芯片面積1.3 mm x 1.3 mm
•芯片厚度150 µm，用于光纖激光對接

x = 5.0-12.7gc / 5.0-12.7ge
•芯片面積5.0mmx 5.0mm
•芯片厚度625 µm，雙面鍍AR
•粘貼在直徑12.7mm，孔4mm的銅散熱器上
•中心安裝：x = 5.0-12.7gc
•邊緣安裝：x = 5.0 -12.7ge

x = 5.0-25.0gc / 5.0-25.0ge
•芯片面積5.0mmx 5.0mm
•芯片厚度625 µm，雙面鍍AR
•粘貼在直徑25.0mm，孔4mm的銅散熱片上
•中心安裝：x = 5.0-25.0gc
•邊緣安裝：x = 5.0 -25.0ge

x = 5.0-25.4gc / 5.0-25.4ge
•芯片面積5.0mmx 5.0mm
•芯片厚度625 µm，雙面鍍AR
•粘貼在直徑25.4mm，孔4mm的銅散熱器上
•中心安裝：x = 5.0-25.4gc
•邊緣安裝：x = 5.0 -25.4ge

更多可飽和吸收體產(chǎn)品

>> 半導(dǎo)體可飽和吸收鏡 SESAM

>> 可飽和輸出耦合器 SOC

>> 共振可飽和吸收鏡 RSAM

>> 可飽和噪聲抑制器 SANOS

>> 透射型可飽和吸收體 SA

上海屹持光電技術(shù)有限公司