半導(dǎo)體鍍膜冷卻用工業(yè)冷水機丨真空腔體冷卻
參考價 | ¥ 155000 |
訂貨量 | ≥1臺 |
- 公司名稱 邁浦特機械(四川)有限公司
- 品牌 邁浦特
- 型號
- 產(chǎn)地 江蘇省昆山市
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時間 2025/7/17 9:38:20
- 訪問次數(shù) 6
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 食品/農(nóng)產(chǎn)品,化工,生物產(chǎn)業(yè),制藥/生物制藥 |
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超高潔凈精準(zhǔn)冷卻系統(tǒng):實現(xiàn) 5℃-35℃寬域控溫(靜態(tài)精度 ±0.5℃)。針對鍍膜工藝的溫度均勻性要求,通過微通道分流技術(shù)與三維溫度場模擬優(yōu)化,確保晶圓表面(12 英寸晶圓)溫度均勻性偏差≤±0.5℃,靶材溫度穩(wěn)定性控制在 ±0.3℃。相比傳統(tǒng)設(shè)備,濺射鍍膜的薄膜厚度均勻性從 ±3% 提升至 ±0.8%,CVD 沉積的薄膜應(yīng)力(壓應(yīng)力)從 ±50MPa 降至 ±10MPa,有效減少因溫度波動導(dǎo)致的膜層缺陷(如針孔、開裂)。
智能鍍膜聯(lián)動技術(shù):搭載 PLC 與光纖溫度傳感器,實時采集靶材溫度、腔體真空度、鍍膜功率、冷卻水溫等 10 項參數(shù),通過鍍膜 - 熱負(fù)荷模型動態(tài)調(diào)節(jié)制冷量。支持與鍍膜機控制系統(tǒng)對接,根據(jù)鍍膜階段(如預(yù)熱→沉積→退火)自動切換冷卻模式,實現(xiàn) “高功率濺射 - 強冷卻”“精密鍍膜 - 恒溫控制” 的智能匹配。操作人員通過無塵觸摸屏預(yù)設(shè) 20 組鍍膜工藝程序(適配不同材料、膜層厚度),系統(tǒng)自動記錄溫度 - 膜層性能關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù),符合 SEMI 標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)據(jù)追溯要求。
超高潔凈安全設(shè)計:與冷卻介質(zhì)接觸部件采用 316L 不銹鋼(電解拋光 Ra≤0.4μm),水路系統(tǒng)配備超純水過濾裝置(電阻率≥18.2MΩ?cm),滿足 ISO 5 級潔凈室要求(0.5μm 微?!?520 粒 /m3)。設(shè)備外殼采用無磁不銹鋼,表面防靜電處理(表面電阻 10?-10?Ω),防護等級達(dá) IP65,適應(yīng)半導(dǎo)體潔凈車間環(huán)境。配備多重安全保護:超溫聯(lián)鎖(靶材溫度超設(shè)定值 2℃立即報警)、流量不足保護(響應(yīng)時間≤0.5s)、微粒濃度監(jiān)測(超標(biāo)自動停機),符合 SEMI S2 安全標(biāo)準(zhǔn)。
12 英寸晶圓濺射車間:用于 7nm 邏輯芯片的銅互聯(lián)層濺射鍍膜冷卻,控制靶材溫度在 20℃±0.3℃,基片臺溫度在 30℃±0.2℃,使銅膜厚度均勻性偏差≤±0.5%,電阻率穩(wěn)定在 1.7μΩ?cm,滿足制程的電學(xué)性能要求。
化合物半導(dǎo)體鍍膜工廠:在 GaN-on-SiC 外延片的 MOCVD 鍍膜中,為反應(yīng)腔體提供 15℃±0.3℃冷卻,控制外延層厚度偏差≤±1%,晶體缺陷密度降至 10?cm?2 以下,適應(yīng) 5G 射頻器件的高性能需求。
存儲芯片鍍膜生產(chǎn)線:針對 3D NAND 閃存的 ALD(原子層沉積)工藝,通過 8℃±0.2℃精準(zhǔn)冷卻,使氧化層 / 氮化層交替生長的厚度控制精度達(dá) ±0.1nm,存儲單元閾值電壓偏差≤±5mV,提升芯片存儲密度。
半導(dǎo)體封裝鍍膜車間:用于晶圓級封裝(WLP)的濺鍍凸點工藝?yán)鋮s,控制基片溫度在 25℃±0.5℃,使凸點高度偏差≤±1μm,焊接強度提升 10%,滿足高密度封裝的可靠性要求。