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半導(dǎo)體鍍膜冷卻用工業(yè)冷水機丨真空腔體冷卻

參考價 155000
訂貨量 ≥1
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 邁浦特機械(四川)有限公司
  • 品牌 邁浦特
  • 型號
  • 產(chǎn)地 江蘇省昆山市
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時間 2025/7/17 9:38:20
  • 訪問次數(shù) 6

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邁浦特科技2010年成立于香港,蘇州邁浦特機減有限公司是邁浦特機械在大陸設(shè)立的生產(chǎn)基地,并于2017年在南通成立南通邁浦特機械有限公司,于2021年在廣東深圳成立深圳浦特機械有限公司以及2024年在四川成立邁浦特機械有限公司公司一直致力于TCU溫控系統(tǒng),新能源溫控測試系統(tǒng)、高低溫一體機,模具溫度控制機,冷水機,冷熱一體機等溫度控制機的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)和技術(shù)咨詢,提供工業(yè)溫度控制技術(shù)及解決方案的供應(yīng)商,

邁浦特信助于多年成功經(jīng)驗,以專業(yè)技術(shù),在壓鑄,食品化工,醫(yī)療,印刷,包裝,復(fù)合材料,電池包、測試機,橡膠壓延等科研行業(yè)提供所需的各種溫控設(shè)備和技服務(wù),為客戶們提供各種應(yīng)用工藝過程中加熱或冷卻,恒溫的技術(shù)服務(wù),不僅僅是提供設(shè)備,我們提供更多的是解決方案以及對使用者的合理建議,注重客戶的使用感受,對設(shè)備品質(zhì)孜孜不的追求,得到業(yè)界和使用客戶一致認(rèn)可,是替代進(jìn)口設(shè)備的可靠選擇。



高低溫一體機,冷熱一體機,模溫機,油溫機,TCU溫控系統(tǒng),冷水機組

應(yīng)用領(lǐng)域 食品/農(nóng)產(chǎn)品,化工,生物產(chǎn)業(yè),制藥/生物制藥

一、產(chǎn)品概述
半導(dǎo)體鍍膜冷卻用工業(yè)冷水機是專為半導(dǎo)體晶圓鍍膜工藝(如濺射鍍膜、蒸鍍、化學(xué)氣相沉積 CVD)研發(fā)的專業(yè)制冷設(shè)備,核心作用是為鍍膜機的靶材、腔體、基片臺等關(guān)鍵部件提供 5℃-35℃的精準(zhǔn)冷卻,控制鍍膜過程中的溫度穩(wěn)定性,確保薄膜厚度均勻性、附著力及電學(xué)性能。在半導(dǎo)體鍍膜中,溫度波動 1℃可能導(dǎo)致薄膜厚度偏差超 2%,方塊電阻波動 5% 以上,傳統(tǒng)冷卻設(shè)備存在控溫精度低(±1℃)、潔凈度不足(微粒污染)、與鍍膜機聯(lián)動性弱等問題,導(dǎo)致晶圓報廢率超 1%.
二、產(chǎn)品描述
  1. 超高潔凈精準(zhǔn)冷卻系統(tǒng):實現(xiàn) 5℃-35℃寬域控溫(靜態(tài)精度 ±0.5℃)。針對鍍膜工藝的溫度均勻性要求,通過微通道分流技術(shù)與三維溫度場模擬優(yōu)化,確保晶圓表面(12 英寸晶圓)溫度均勻性偏差≤±0.5℃,靶材溫度穩(wěn)定性控制在 ±0.3℃。相比傳統(tǒng)設(shè)備,濺射鍍膜的薄膜厚度均勻性從 ±3% 提升至 ±0.8%,CVD 沉積的薄膜應(yīng)力(壓應(yīng)力)從 ±50MPa 降至 ±10MPa,有效減少因溫度波動導(dǎo)致的膜層缺陷(如針孔、開裂)。

  1. 智能鍍膜聯(lián)動技術(shù):搭載 PLC 與光纖溫度傳感器,實時采集靶材溫度、腔體真空度、鍍膜功率、冷卻水溫等 10 項參數(shù),通過鍍膜 - 熱負(fù)荷模型動態(tài)調(diào)節(jié)制冷量。支持與鍍膜機控制系統(tǒng)對接,根據(jù)鍍膜階段(如預(yù)熱→沉積→退火)自動切換冷卻模式,實現(xiàn) “高功率濺射 - 強冷卻”“精密鍍膜 - 恒溫控制” 的智能匹配。操作人員通過無塵觸摸屏預(yù)設(shè) 20 組鍍膜工藝程序(適配不同材料、膜層厚度),系統(tǒng)自動記錄溫度 - 膜層性能關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù),符合 SEMI 標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)據(jù)追溯要求。

  1. 超高潔凈安全設(shè)計:與冷卻介質(zhì)接觸部件采用 316L 不銹鋼(電解拋光 Ra≤0.4μm),水路系統(tǒng)配備超純水過濾裝置(電阻率≥18.2MΩ?cm),滿足 ISO 5 級潔凈室要求(0.5μm 微?!?520 粒 /m3)。設(shè)備外殼采用無磁不銹鋼,表面防靜電處理(表面電阻 10?-10?Ω),防護等級達(dá) IP65,適應(yīng)半導(dǎo)體潔凈車間環(huán)境。配備多重安全保護:超溫聯(lián)鎖(靶材溫度超設(shè)定值 2℃立即報警)、流量不足保護(響應(yīng)時間≤0.5s)、微粒濃度監(jiān)測(超標(biāo)自動停機),符合 SEMI S2 安全標(biāo)準(zhǔn)。

三、應(yīng)用場景
  1. 12 英寸晶圓濺射車間:用于 7nm 邏輯芯片的銅互聯(lián)層濺射鍍膜冷卻,控制靶材溫度在 20℃±0.3℃,基片臺溫度在 30℃±0.2℃,使銅膜厚度均勻性偏差≤±0.5%,電阻率穩(wěn)定在 1.7μΩ?cm,滿足制程的電學(xué)性能要求。

  1. 化合物半導(dǎo)體鍍膜工廠:在 GaN-on-SiC 外延片的 MOCVD 鍍膜中,為反應(yīng)腔體提供 15℃±0.3℃冷卻,控制外延層厚度偏差≤±1%,晶體缺陷密度降至 10?cm?2 以下,適應(yīng) 5G 射頻器件的高性能需求。

  1. 存儲芯片鍍膜生產(chǎn)線:針對 3D NAND 閃存的 ALD(原子層沉積)工藝,通過 8℃±0.2℃精準(zhǔn)冷卻,使氧化層 / 氮化層交替生長的厚度控制精度達(dá) ±0.1nm,存儲單元閾值電壓偏差≤±5mV,提升芯片存儲密度。

  1. 半導(dǎo)體封裝鍍膜車間:用于晶圓級封裝(WLP)的濺鍍凸點工藝?yán)鋮s,控制基片溫度在 25℃±0.5℃,使凸點高度偏差≤±1μm,焊接強度提升 10%,滿足高密度封裝的可靠性要求。



















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