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材料兼容性

來源:耐馳科學(xué)儀器商貿(mào)(上海)有限公司   2018年11月15日 12:35  

下列物質(zhì)將損壞白金(坩堝和傳感器)

l  鹵素(Cl2,F(xiàn)2,Br2),王水

l  Li2CO3 ,CO2釋出之前

l  PbO,F(xiàn)eCl3

l  Be 合金(在熔點以上即開始揮發(fā))

l  HCl與氧化性物質(zhì)(如鉻酸,錳酸鹽,三價鐵鹽,熔融鹽)混合

l  還原性氣氛

l  金屬和金屬蒸汽,如Pb,Zn,Sn,Ag,Au,Hg,Li,Na,K,Sb,Bi,Ni,F(xiàn)e,steel,As,Si

l  P, B

l  Se在320℃以上(建議在測試完成后立即冷卻并移去樣品,以防止硒的揮發(fā))

l  金屬氧化物與還原性物質(zhì)混合,如C、有機化合物或H2

l  高溫下氧化物在惰性氣體中(還原反應(yīng))

l  S(使表面粗糙、脆化)

l  較高溫度下,堿金屬類氫氧化物,堿金屬碳酸鹽、堿金屬硫酸鹽、堿金屬Cyanide以及堿金屬硫Cyanide

l  KHSO4,較高溫度下

l  碳黑或單體碳,1000℃以上

l  SiO2,還原性條件下

l  SiC和Si3N4,1000℃以上(元素Si的釋放)

l  HBr,KCN溶液,較高溫度下

l  耐高溫氧化物,1000℃以上

l  新加入:PbTe

白金(坩堝和傳感器)對下列物質(zhì)不具備抵抗力

l  KNO3與NaOH混合物,700℃,無空氣存在情況下

l  KOH與K2S混合物,700℃,無空氣存在情況下

l  LiCl,600℃

l  Na2O2,500℃,無空氣存在情況下

l  MgCl2,Ba(NO3)2,700℃

l  HBr,HI,H2O2(30%)與HNO3,100℃

l  KCl(熔融過程中的分解產(chǎn)物具有破壞性,熔點:768℃)

白金(坩堝和傳感器)對下列物質(zhì)抵抗力有限

l  KHF2,LiF,NaCl,900℃

l  NaOH與NaNO3的混合物,700℃,無空氣存在情況下

下列物質(zhì)將損壞氧化鋁

l  N2在碳的存在下:形成AlN。因此較高溫度下在氮氣氣氛中用Al2O3坩堝測試碳黑是危險的。

l  F2:將形成AlF3與O2

l  Cl2:在700℃以上形成AlCl3

l  S:與液態(tài)硫不反應(yīng),若氣相中存在碳,則在較高溫度下形成硫化物。

l  H2S:在加熱情況下將形成高至3%的Al2S3

l  C:約從1400℃起將形成碳化物與Al。

l  HF:在較高溫度下定量生成AlF3與H2O

l  CuSO4:約從1000℃起擴散滲透坩堝底部

l  含Si化合物(如MoSi2):在惰性氣氛下約從1200℃起污染氧化鋁坩堝;在空氣氣氛下將在接觸點發(fā)生反應(yīng)。

l  金屬氟化物:熔融后發(fā)生反應(yīng),形成AlF6陰離子與類似于冰晶石的無機鹽。

l  SiO2玻璃:熔融后的玻璃將溶解Al2O3

l  堿金屬與堿土金屬的硫酸氫鹽

l  HCl:600℃之前無反應(yīng),600℃后在碳的存在下反應(yīng)程度逐漸增加。

l  B2O3或硼砂:熔體將溶解Al2O3,形成硼酸鋁與硼化鋁

l  堿金屬與堿土金屬的氧化物,以及其含揮發(fā)性陰離子的鹽類:熔融物與氧化鋁反應(yīng)形成鋁酸鹽或復(fù)氧化物,這對于氫氧化物、氮化物、硝酸鹽、碳酸鹽、過氧化物等尤為重要。

l  CaC2:加熱后形成Al4C3

l  PbO:700℃以上發(fā)生反應(yīng)。對于更高價的鉛氧化物以及帶揮發(fā)性酸根的鉛鹽同樣如此。

l  UO3:450℃以上開始反應(yīng),與PbO情況相似。

l  MeIIO:Me = Fe2+,Co2+,Ni2+ 等,形成尖晶石,1200℃以上形成CaO。

l  堿金屬與堿土金屬的鐵酸鹽:熔融物將溶解氧化鋁

l  LiF

l  熔融范圍在800℃~1200℃之間的鋯合金:緩慢微弱的反應(yīng)

l  某些金屬合金,如Fe與4%的Al

l  鈦合金(*的氧氣親和性)

l  在高溫下可能與Fe-Ni合金和Mg合金反應(yīng)

下列物質(zhì)將損壞石墨

l  O2,400℃以上

l  熔融金屬,如Fe,Co,Ni,Na

l  N2,1700℃開始反應(yīng)(形成少量的Cyanide)

l  氧化物(在直接接觸情況下可能被還原)

l  水蒸氣

l  F2,Br2,室溫下

l  S

l  Si,1400℃(形成SiC)

l  鉻酸(含水)

l  ClSO2OH Cl-SO3H

l  SiO2:通過中間產(chǎn)物SiO形成SiC(1800℃以上得到技術(shù)意義上的SiC產(chǎn)物;也就是說,SiO2與C之間的反應(yīng)必定在較低的溫度下即已開始進行)

l  氧化氮氣體(NO,NO2)

l  濃縮硫酸H2SO4,在約150℃。高濃度硫酸H2SO4,室溫

l  稀釋硝酸HNO3,在約90℃。高濃度HNO3,室溫。

l  SO3,100℃以上

l  與高氯酸HClO4混合有爆炸危險。

l  NaOCl,50℃以上

備注:

1.以上列表不保證羅列了所有可能對坩堝有害的物質(zhì)或反應(yīng)。

2. 所給出的各溫度主要為文獻值。由此,在實際的測試條件下可能在較低的溫度下就會出現(xiàn)反應(yīng)。建議對于可能有危害性的樣品,先在其它爐體中作預(yù)試驗。


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