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*，特種材料靶材的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)與下游應(yīng)用行業(yè)薄膜技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)密切相關(guān)。隨著應(yīng)用行業(yè)對(duì)薄膜產(chǎn)品或組件技術(shù)的改進(jìn)，目標(biāo)技術(shù)也應(yīng)發(fā)生變化。另外，近年來(lái)，平板顯示器（FPD）已大大取代了初基于陰極射線管（CRT）的計(jì)算機(jī)顯示器和電視。它還將顯著增加對(duì)ITO目標(biāo)的技術(shù)和市場(chǎng)需求。另外在存儲(chǔ)技術(shù)方面。對(duì)高密度，大容量硬盤和高密度可重寫光盤的需求持續(xù)增長(zhǎng)。所有這些都導(dǎo)致了應(yīng)用行業(yè)對(duì)目標(biāo)材料的需求發(fā)生了變化。下面我們將分別介紹目標(biāo)的主要應(yīng)用領(lǐng)域和這些領(lǐng)域中目標(biāo)的發(fā)展趨勢(shì)。
特種材料靶材在濺射靶材（陰極）和陽(yáng)極之間添加正交磁場(chǎng)和電場(chǎng)，并在高真空室內(nèi)填充所需的惰性氣體（通常為Ar氣體）。永磁體在目標(biāo)材料的表面上形成250-350高斯的磁場(chǎng)，該磁場(chǎng)與高壓電場(chǎng)形成正交的電磁場(chǎng)。在電場(chǎng)的作用下，氬氣會(huì)電離成正離子和電子。某個(gè)負(fù)高電壓被施加到目標(biāo)。從靶發(fā)射的電子受到磁場(chǎng)的影響，工作氣體的電離概率增加，在陰極附近形成高密度等離子體。在洛倫茲力的作用下，Ar離子加速到目標(biāo)表面并高速轟擊目標(biāo)表面，從而使濺射出目標(biāo)的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理，并以較高的動(dòng)能從目標(biāo)表面飛離。將基材沉積到薄膜中。磁控濺射一般分為兩種：直流濺射和射頻濺射。其中，直流濺射設(shè)備的原理很簡(jiǎn)單，金屬濺射時(shí)速率也很快。射頻濺射的應(yīng)用范圍更廣。除了濺射導(dǎo)電材料之外，還可以濺射非導(dǎo)電材料。同時(shí)，反應(yīng)濺射可用于制備復(fù)合材料，例如氧化物，氮化物和碳化物。如果射頻的頻率增加，則變成微波等離子體濺射。如今，普遍使用電子回旋共振（ECR）型微波等離子體濺射。
特種材料靶材種類：
金屬濺射靶，合金濺射靶，陶瓷濺射靶，硼化物陶瓷濺射靶，碳化物陶瓷濺射靶，氟陶瓷濺射靶，氮化物陶瓷濺射靶，氧化物陶瓷靶，硒化物陶瓷濺射靶，硅化物陶瓷濺射靶，硫化物陶瓷濺射靶，碲化物陶瓷濺射靶材料，其他陶瓷靶，鉻摻雜的一氧化硅陶瓷靶（Cr-SiO），磷化銦靶（InP），砷化鉛靶（PbAs）），砷化銦靶（InAs）。
相關(guān)產(chǎn)品
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