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實(shí)驗(yàn)室用快速退火爐可提供準(zhǔn)確和可重復(fù)的熱控制
實(shí)驗(yàn)室用快速退火爐基于SolarisGUI的PID處理控制器，可以存儲(chǔ)程序，每個(gè)程序多可以支持100個(gè)設(shè)置步驟，并帶有USB2.0接口。包含與MicrosoftWindows操作系統(tǒng)兼容的SolarisGUI軟件。使用此軟件，可以通過鏈接到計(jì)算機(jī)輕松地實(shí)現(xiàn)程序編輯和數(shù)據(jù)記錄。
實(shí)驗(yàn)室用快速退火爐可以滿足大學(xué)，研究實(shí)驗(yàn)室和小規(guī)模生產(chǎn)的需求，它是高度可靠且具有成本效益的。處理腔室采用殼狀設(shè)計(jì)，可以*進(jìn)入底板，便于基板的裝卸，并可以對腔體進(jìn)行實(shí)際清潔?？焖俚臄?shù)字PID溫度控制器可在整個(gè)溫度范圍內(nèi)提供準(zhǔn)確且可重復(fù)的熱控制。
1、處理室：使用不銹鋼冷室壁技術(shù)。
2、溫度范圍的標(biāo)準(zhǔn)配置：高1250°C。
3、高溫配置：高1450°C。
4、溫度控制標(biāo)準(zhǔn)配置：使用熱電偶和高溫計(jì)測量溫度。
5、真空和氣體：使用MFC多可處理5種處理氣體和一種清潔氣體。
6、計(jì)算機(jī)控制：*PC計(jì)算機(jī)控制，每個(gè)公式100步，完整的數(shù)據(jù)記錄和處理歷史人機(jī)界面設(shè)計(jì)。
實(shí)驗(yàn)室用快速退火爐快速熱處理技術(shù)（RTP）可用于硅和化合物半導(dǎo)體材料的離子注入，消除/激活雜質(zhì)，硅化物形成，歐姆/肖特基接觸制備以及快速氧化/氮化的缺陷消除，消除膜應(yīng)力，改善漆膜附著力等方面。該設(shè)備具有良好的長期工作穩(wěn)定性，快速的溫度上升和下降以及緩慢的溫度上升和下降功能，因此還可以用于PVD/CVD工藝中各種半導(dǎo)體材料的熱處理。
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