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實驗室用快速退火爐是在管式爐的基礎上開發(fā)的，它不僅具有更快的500℃/S的升溫速率，而且在冷卻速率上達到100℃/S的質(zhì)的飛躍。它巧妙地使用了冷壁技術，從而達到了如此快的冷卻速度，真正實現(xiàn)了快速加熱和快速冷卻！
實驗室用快速退火爐的腔室采用*的雙層石英管結構，外管用于進氣，內(nèi)管用于排氣，從而使反應氣氛與被處理物充分均勻地接觸。樣本。加熱燈管可以使硅芯片快速加熱的原因是，光源的波長在0.3-4微米之間，石英管壁無法有效吸收該波段的輻射，而晶片只是對面的。因此，晶片可以吸收輻射能并迅速加熱，而此時石英管壁仍保持低溫，即所謂的冷壁工藝。
1、快速升溫100℃/S，快速降溫100℃/S；
2、雙層爐管結構，氣氛與樣品接觸更均勻；
3、直接測量樣品表面溫度，溫度測量更準確；
4、爐子可以根據(jù)設定自動左右移動，可以滿足更多的實驗應用；
5、真空度可達7.4×10-4Pa。
基于處理的實驗室用快速退火爐可以存儲程序，每個程序可以支持100個設置步驟，并帶有接口，附帶的軟件與操作系統(tǒng)兼容。使用此軟件，可以通過鏈接到計算機輕松地實現(xiàn)程序編輯和數(shù)據(jù)記錄。
1、快速熱退火(RTA);離子注入后退火；
2、石墨烯等氣象沉積，碳納米管等外延生長；
3、快速熱氧化(,RTO);熱氮化(RTN);
4、硅化(Silicidation);
5、擴散(Diffusion);
6、離子注入后退火(ImplantAnnealing);
7、電極合金化(ContactAlloying);
8、晶向化和堅化(CrystallizationandDensification)。
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