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實(shí)驗(yàn)室用低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備使用注意事項(xiàng)
實(shí)驗(yàn)室用低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備是通過(guò)加熱使氣態(tài)化合物在低壓下反應(yīng)并沉積在基板表面，形成穩(wěn)定的固體薄膜。由于工作壓力低，氣體分子的平均自由程和擴(kuò)散系數(shù)大，可以采用密集加載，提高生產(chǎn)率，在基板表面獲得均勻性好的薄膜沉積層。LPCVD用于沉積多晶硅、Si3N4、SiO2、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅和難熔金屬硅化物。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路、電力電子、光電、MEMS等行業(yè)。
1、溫度控制采用串級(jí)控制方式，實(shí)時(shí)控制實(shí)際基板溫度。
2、裝載采用碳化硅懸臂槳，避免與工藝管道摩擦產(chǎn)生粉塵。
3、反應(yīng)氣分子供氣和群發(fā)供氣，避免氣相反應(yīng)產(chǎn)生粉塵，提高均勻性。
4、工作壓力閉環(huán)自動(dòng)控制，提高工藝穩(wěn)定性和重復(fù)性。
實(shí)驗(yàn)室用低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備采用雙層外殼和風(fēng)冷系統(tǒng)，使?fàn)t體表面溫度低于55℃，并在爐體底部安裝一對(duì)滑軌。爐體可手動(dòng)滑動(dòng)，以滿足特殊工藝快速升溫和降溫的要求。使用注意事項(xiàng)如下：
1、爐管內(nèi)氣壓不得高于0.02MPa
2、爐體溫度高于1000℃時(shí)，爐管不得處于真空狀態(tài)。爐管內(nèi)的氣壓應(yīng)與大氣壓相等。常壓下進(jìn)入爐管的氣體流量應(yīng)小于200sccm，以免冷空氣流對(duì)加熱的石英管產(chǎn)生影響
3、石英管長(zhǎng)期使用溫度小于1100℃
4、實(shí)驗(yàn)室用低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備對(duì)于樣品加熱實(shí)驗(yàn)，不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進(jìn)水閥。如果需要關(guān)閉氣閥來(lái)加熱樣品，請(qǐng)隨時(shí)注意壓力表的指示。如果氣壓指示大于0.02MPa，必須立即打開(kāi)放空閥，以防發(fā)生意外（如爐管破裂、法蘭飛揚(yáng)等）。
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