手機(jī)版
化工儀器網(wǎng)手機(jī)版
化工儀器網(wǎng)小程序
官方微信
公眾號(hào)：chem17
掃碼關(guān)注視頻號(hào)
原位薄膜應(yīng)力測(cè)試儀的主要特點(diǎn)及測(cè)試功能
原位薄膜應(yīng)力測(cè)試儀的主要特點(diǎn)：
1、MOS 多光束傳感器技術(shù)。
2、單Port(樣品正上方)和雙Port(對(duì)稱窗口)系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
3、適合MOCVD, MBE, Sputter，PLD、蒸収系統(tǒng)等各種真空薄膜沉積系統(tǒng)以及熱處理設(shè)備等。
4、薄膜應(yīng)力各向異性測(cè)試和分析功能。
5、生長速率和薄膜厚度測(cè)量。（選件）
6、光學(xué)常數(shù)n&k 測(cè)量。（選件）
7、多基片測(cè)量功能。（選件）
8、基片旋轉(zhuǎn)追蹤測(cè)量功能。（選件）
9、實(shí)時(shí)光學(xué)反饋控制技術(shù)，系統(tǒng)安裝時(shí)可設(shè)置多個(gè)測(cè)試點(diǎn)。
10、專業(yè)設(shè)計(jì)免除了測(cè)量丌受真空系統(tǒng)振動(dòng)影響。
原位薄膜應(yīng)力測(cè)試儀的測(cè)試功能：
1、實(shí)時(shí)原位薄膜應(yīng)力測(cè)量。
2、實(shí)時(shí)原位薄膜曲率測(cè)量。
3、實(shí)時(shí)原位應(yīng)力*薄膜厚度曲線測(cè)量。
4、實(shí)時(shí)原位薄膜生長全過程應(yīng)力監(jiān)控等。
1、MOS 多光束傳感器技術(shù)。
2、單Port(樣品正上方)和雙Port(對(duì)稱窗口)系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
3、適合MOCVD, MBE, Sputter，PLD、蒸収系統(tǒng)等各種真空薄膜沉積系統(tǒng)以及熱處理設(shè)備等。
4、薄膜應(yīng)力各向異性測(cè)試和分析功能。
5、生長速率和薄膜厚度測(cè)量。（選件）
6、光學(xué)常數(shù)n&k 測(cè)量。（選件）
7、多基片測(cè)量功能。（選件）
8、基片旋轉(zhuǎn)追蹤測(cè)量功能。（選件）
9、實(shí)時(shí)光學(xué)反饋控制技術(shù)，系統(tǒng)安裝時(shí)可設(shè)置多個(gè)測(cè)試點(diǎn)。
10、專業(yè)設(shè)計(jì)免除了測(cè)量丌受真空系統(tǒng)振動(dòng)影響。
原位薄膜應(yīng)力測(cè)試儀的測(cè)試功能：
1、實(shí)時(shí)原位薄膜應(yīng)力測(cè)量。
2、實(shí)時(shí)原位薄膜曲率測(cè)量。
3、實(shí)時(shí)原位應(yīng)力*薄膜厚度曲線測(cè)量。
4、實(shí)時(shí)原位薄膜生長全過程應(yīng)力監(jiān)控等。
相關(guān)產(chǎn)品
免責(zé)聲明
- 凡本網(wǎng)注明“來源：化工儀器網(wǎng)”的所有作品，均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品，未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的，應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用，并注明“來源：化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者，本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
- 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來源（非化工儀器網(wǎng)）的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé)，不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí)，必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源，并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
- 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題，請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
采購中心