手機(jī)版
化工儀器網(wǎng)手機(jī)版
化工儀器網(wǎng)小程序
官方微信
公眾號(hào)：chem17
掃碼關(guān)注視頻號(hào)
IGBT器件的發(fā)展趨勢(shì)是減小體積和降低功耗，以節(jié)省能源和促進(jìn)環(huán)保。下一代功率器件將向低功耗、高速開關(guān)、高EMC、高可靠性、智能化以及表面安裝等方面發(fā)展。這有賴于芯片自身的改善，包括結(jié)構(gòu)的改善、性能的改善以及采用新型的半導(dǎo)體材料。東芝電子亞洲有限公司半導(dǎo)體部工程師郭樹坤稱，Toshiba對(duì)其未來功率器件提出的目標(biāo)就是節(jié)省能源。該公司正在研制新一代功率器件IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)，通過注入少數(shù)載流子減小體電阻，并增加功率(高電壓/大電流)，其特性包括自保持功能和高速開關(guān)，將廣泛應(yīng)用于大功率設(shè)備，如牽引機(jī)車、工業(yè)設(shè)備和功率控制系統(tǒng)。
相關(guān)產(chǎn)品
免責(zé)聲明
- 凡本網(wǎng)注明“來源：化工儀器網(wǎng)”的所有作品，均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品，未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的，應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用，并注明“來源：化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者，本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
- 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來源（非化工儀器網(wǎng)）的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé)，不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí)，必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源，并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
- 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題，請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
采購中心