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硅光電晶體管型號(hào)結(jié)構(gòu)和工作原理
基本結(jié)構(gòu)
·硅光電晶體管型號(hào)和普通晶體管類似，也有電流放大作用。只是它的集電極電流不只是受基極電路的電流控制，也可以受光的控制。
· 光電晶體管的外形，有光窗、集電極引出線、發(fā)射極引出線和基極引出線（有的沒有）。
· 制作材料一般為半導(dǎo)體硅，管型為NPN型，
· 光電晶體管的靈敏度比光電二極管高，輸出電流也比光電二極管大，多為毫安級(jí)。
· 但它的光電特性不如光電二極管好，在較強(qiáng)的光照下，光電流與照度不成線性關(guān)系。
· 所以光電晶體管多用來作光電開關(guān)元件或光電邏輯元件。
· 正常運(yùn)用時(shí)，集電極加正電壓。因此，集電結(jié)為反偏置，發(fā)射結(jié)為正偏置，集電結(jié)為光電結(jié)。
· 當(dāng)光照到集電結(jié)上時(shí)，集電結(jié)即產(chǎn)生光電流Ip向基區(qū)注入，同時(shí)在集電極電路即產(chǎn)生了一個(gè)被放大的電流Ic（=Ie=（1+β）Ip）β為電流放大倍數(shù)。
因此，光電晶體管的電流放大作用與普通晶體管在上偏流電路中接一個(gè)光電二極管的作用是*相同的。
工作原理
這是由于硅元件較鍺元件有小得多的暗電流和較小的溫度系數(shù)。硅光電三極管是用N型硅單晶做成N—P—N結(jié)構(gòu)的。管芯基區(qū)面積做得較大，發(fā)射區(qū)面積卻做得較小，入射光線主要被基區(qū)吸收。與光電二極管一樣，入射光在基區(qū)中激發(fā)出電子與空穴。在基區(qū)漂移場(chǎng)的作用下，電子被拉向集電區(qū)，而空穴被積聚在靠近發(fā)射區(qū)的一邊。由于空穴的積累而引起發(fā)射區(qū)勢(shì)壘的降低，其結(jié)果相當(dāng)于在發(fā)射區(qū)兩端加上一個(gè)正向電壓，從而引起了倍率為β+1(相當(dāng)于三極管共發(fā)射極電路中的電流增益)的電子注入，這就是硅光電晶體管型號(hào)的工作原理。
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