產(chǎn)品名稱：無掩膜光刻機

產(chǎn)品型號：ABN-MLM-001

產(chǎn)品簡介：無掩膜光刻系統(tǒng)利用計算機生成的數(shù)字掩膜圖形，并通過聲光調(diào)制器（AOM）輸出，經(jīng)過聲光掃描器和反射鏡將光束引導至光學投影系統(tǒng)。系統(tǒng)將高精度、強度可調(diào)的激光束投射到晶圓或掩膜模板的表面，實現(xiàn)對抗蝕材料的可變劑量曝光。激光束根據(jù)預(yù)設(shè)的設(shè)計圖形直接對基片表面進行曝光，顯影后在抗蝕層上形成所需的圖案。這種技術(shù)無需傳統(tǒng)的物理掩膜，因此大大縮短了制作周期，同時降低了設(shè)計和生產(chǎn)成本。尤其是在快速迭代設(shè)計的場景中，顯現(xiàn)出極大的靈活性和效率。通過計算機控制，可以實現(xiàn)亞微米級別的精確加工，適用于微納米結(jié)構(gòu)制造。

無掩膜光刻技術(shù)廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：

· 大規(guī)模集成電路（IC）掩膜版制作：實現(xiàn)高精度、快速迭代的掩模版設(shè)計與制作。

· 微納加工：適用于MEMS（微機電系統(tǒng)）元件的精密圖形寫入。

· LED產(chǎn)業(yè)：在高精度LED芯片設(shè)計與制造中具有重要作用。

· 生物芯片：用于生物芯片中微結(jié)構(gòu)的快速成像與制備。

相較于傳統(tǒng)掩膜光刻技術(shù)，無掩膜光刻系統(tǒng)具有更高的靈活性、更短的開發(fā)周期以及更低的運營成本，使其成為現(xiàn)代微納制造中的重要工具之一。

設(shè)備技術(shù)指標：
•工作波長：405 nm
• 激光功率：最大300mW
• 分辨率：0.3 μm
• 對準精度：正面0.1μm（1mm圖形范圍內(nèi))，背面1um(2.5寸)
• 掃描速度：3-150 mm2/min
• 樣品尺寸：最大 8英寸
• 具有灰度曝光功能