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2024
01-24全自動掃描電鏡成像分析在優(yōu)化電池正極材料質(zhì)量管理中的應(yīng)用
全自動掃描電鏡成像分析在優(yōu)化電池正極材料質(zhì)量管理中的應(yīng)用電動汽車電池組由數(shù)千個單獨的電池組成，這些電池的每個電極都包含著數(shù)百萬個顆粒。在充電和放電過程中，重要的是這些顆粒要一同發(fā)揮作用。正極材料及其前驅(qū)體的粒徑分布和微觀結(jié)構(gòu)對電池的能量密度和安全性至關(guān)重要，這就意味著，在生產(chǎn)過程中需要嚴格監(jiān)控這些顆粒的質(zhì)量。掃描電子顯微鏡（SEM）用于制造過程質(zhì)量控制，能夠識別原材料及其中間產(chǎn)物的質(zhì)量波動。掃描電鏡（SEM）能夠提供直觀全面的形態(tài)統(tǒng)計結(jié)果，在正極顆粒的質(zhì)量控制過程中發(fā)揮著重要作用。在本文中，對N2024
01-232024
01-22離子研磨儀和掃描電鏡在半導體失效分析中的應(yīng)用案例分享
失效分析是對于電子元件失效原因進行診斷，在進行失效分析的過程中，往往需要借助儀器設(shè)備，以及化學類手段進行分析，以確認失效模式，判斷失效原因，研究失效機理，提出改善預(yù)防措施。其方法可以分為有損分析，無損分析，物理分析，化學分析等。其中在進行微觀形貌檢測的時候，尤其是需要觀察斷面或者內(nèi)部結(jié)構(gòu)時，需要用到離子研磨儀+掃描電鏡結(jié)合法，來進行失效分析研究。離子研磨儀目前是普遍使用的制樣工具，可以進行不同角度的剖面切削以及表面的拋光和清潔處理，以制備出適合半導體故障分析的掃描電鏡用樣品。離子研磨儀的基本原理2024
01-192024
01-182024
01-172024
01-162024
01-15高通量粉末原子層沉積技術(shù)開發(fā)高性能鋰離子電池
高通量粉末原子層沉積技術(shù)開發(fā)高性能鋰離子電池隨著低成本和環(huán)保能源需求的不斷增加，可充電鋰離子電池（LIB）作為可靠的儲能設(shè)備在電動汽車、便攜式電子設(shè)備和空間衛(wèi)星中扮演著重要角色。電池活性組件包括正極、負極、電解質(zhì)和隔膜，在鋰離子電池功能中發(fā)揮著重要作用。鋰離子電池的主要問題是充放電過程中電解質(zhì)和電極材料及其成分的降解。原子層沉積（ALD）技術(shù)可以在原子水平上沉積厚度和成分可控的均勻薄膜，能夠在活性電極和固體電解質(zhì)材料的表面沉積各種金屬薄膜，以在電極界面處生成保護層。原子層沉積ALD技術(shù)具有改變電2024
01-122024
01-11離子精修儀和低能離子槍有效去除FIB制樣產(chǎn)生的非晶層和損傷層
離子精修儀和低能離子槍有效去除FIB制樣產(chǎn)生的非晶層和損傷層前面我們介紹了FIB制樣是透射電鏡中常用的制樣方法，但是使用離子束時可能會引起一些意想不到的樣品損傷，改變了樣品表面的特性，產(chǎn)生的非晶層或損傷層在使用FIB系統(tǒng)制備的TEM樣品中非常明顯，可能會影響到最終的觀察結(jié)果。常用的FIB制樣缺陷解決方案有三種方法：1.氣體輔助蝕刻；2.低能量FIB；3.氬離子研磨精修；本文主要介紹通過氬離子精修儀和低能離子槍(LEGtoFIB)兩種技術(shù)來修復(fù)非晶層問題的解決方案氬離子研磨精修非晶層使用低加速電壓2024
01-102024
01-102024
01-09顯微 CT 技術(shù)在電子設(shè)備的應(yīng)用分享
顯微CT技術(shù)在電子設(shè)備的應(yīng)用分享引言隨著技術(shù)的發(fā)展和不斷創(chuàng)新，電子設(shè)備的功能不斷增強，體積不斷縮小，對電子設(shè)備的制造技術(shù)也提出了更高要求。電子設(shè)備作為一個組裝好的裝置，內(nèi)部的電子元器件往往難以直接觀察或檢測。顯微CT技術(shù)能夠以非破壞性的方式，利用X射線透射成像，穿透電子設(shè)備的外部殼體，獲取其內(nèi)部的高分辨率三維圖像。01.顯微CT技術(shù)X射線源和探測器不動，樣品臺旋轉(zhuǎn)顯微CT技術(shù)利用X射線對物體進行透射成像，通過旋轉(zhuǎn)掃描并收集大量X射線投影圖像，最終通過計算重建輸出物體的三維結(jié)構(gòu)。顯微CT技術(shù)成像具2024
01-082024
01-052024
01-042024
01-032024
01-022023
12-292023
12-27掃描電鏡和氬離子拋光儀在電子器件失效分析中的應(yīng)用案例
掃描電鏡和氬離子拋光儀在電子器件失效分析中的應(yīng)用案例電子器件失效的原因千千萬，其中引線框架表面的氧化狀態(tài)，對器件的焊接有直接的影響。銅基框架表面接觸氧氣和水氣，極容易被氧化，對后期器件焊接或者打線會產(chǎn)生負面的影響，所以需要關(guān)注框架銅表面的狀態(tài)，借助掃描電鏡（SEM）和能譜（EDS）抽檢以保證品質(zhì)極其重要。在進行電子器件失效分析時，首先觀察失效件表面的微觀形貌，飛納臺式掃描電鏡集成有背散射（BSD，明暗襯度明顯的成分像）和二次電子（SED，立體形貌像）兩種成像模式，兩種模式各有特點，可以呈現(xiàn)不同的掃一掃訪問手機商鋪
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