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2023
11-13

國產(chǎn)實時頻譜分析儀的EMI預測試方案
需求背景：理論上講，大量電子設備安置在一個極其緊湊的空間中，且差異巨大，就有可能對外界發(fā)出EMI。EMI測試部分包括CE測試和RE測試，前者是傳導干擾，后者是輻射干擾，都是評估對外界的干擾，只不過CE是電路上的干擾，RE是空間電磁場的干擾。為了使電子產(chǎn)品符合相應的標準，在開發(fā)過程中進行必要的EMI診斷測試不僅可以提升產(chǎn)品的性能質量，同時可以節(jié)約成本。一、主要運用場景：（1）電路板（2）家用電器/電動工具（3）汽車電子/航空電子（4）電源（5）燈具二、測試方案實時頻譜分析儀+EMI附件+軟件：傳導
2023
11-10

泰克光隔離探頭TIVM1L的產(chǎn)品介紹
一、概述IsoVu光隔離探頭發(fā)現(xiàn)非隔離探頭隱藏的快速震蕩的信號。IsoVu™探頭技術實際上通過光學隔離消除了共模干擾。這樣就可以按100V/ns或更快的速度在±60kV的基準電壓上提供精確的差分測量。借助我們的IsoVuGeneration2設計，您能獲得IsoVu技術的所有優(yōu)勢，但大小僅為原來探頭尺寸的1/5。IsoVuGen2探頭憑借多功能MMCX連接器以及帶寬、動態(tài)范圍和共模抑制組合，為隔離探頭技術設定新的標準。二、應用（1）開關模式電源設計（2）寬禁帶GaN和SiC設備的功率FET設計/
2023
11-09

泰克光隔離探頭TIVM1的產(chǎn)品介紹
一、概述IsoVu光隔離探頭發(fā)現(xiàn)非隔離探頭隱藏的快速震蕩的信號。IsoVu™探頭技術實際上通過光學隔離消除了共模干擾。這樣就可以按100V/ns或更快的速度在±60kV的基準電壓上提供精確的差分測量。借助我們的IsoVuGeneration2設計，您能獲得IsoVu技術的所有優(yōu)勢，但大小僅為原來探頭尺寸的1/5。IsoVuGen2探頭憑借多功能MMCX連接器以及帶寬、動態(tài)范圍和共模抑制組合，為隔離探頭技術設定新的標準。二、應用（1）開關模式電源設計（2）寬禁帶GaN和SiC設備的功率FET設計/
2023
11-09

泰克光隔離探頭TIVH08L的產(chǎn)品介紹
一、概述IsoVu光隔離探頭發(fā)現(xiàn)非隔離探頭隱藏的快速震蕩的信號。IsoVu™探頭技術實際上通過光學隔離消除了共模干擾。這樣就可以按100V/ns或更快的速度在±60kV的基準電壓上提供精確的差分測量。借助我們的IsoVuGeneration2設計，您能獲得IsoVu技術的所有優(yōu)勢，但大小僅為原來探頭尺寸的1/5。IsoVuGen2探頭憑借多功能MMCX連接器以及帶寬、動態(tài)范圍和共模抑制組合，為隔離探頭技術設定新的標準。二、應用（1）開關模式電源設計（2）寬禁帶GaN和SiC設備的功率FET設計/
2023
11-09

泰克光隔離探頭TIVH08的產(chǎn)品介紹
一、概述IsoVu光隔離探頭發(fā)現(xiàn)非隔離探頭隱藏的快速震蕩的信號。IsoVu™探頭技術實際上通過光學隔離消除了共模干擾。這樣就可以按100V/ns或更快的速度在±60kV的基準電壓上提供精確的差分測量。借助我們的IsoVuGeneration2設計，您能獲得IsoVu技術的所有優(yōu)勢，但大小僅為原來探頭尺寸的1/5。IsoVuGen2探頭憑借多功能MMCX連接器以及帶寬、動態(tài)范圍和共模抑制組合，為隔離探頭技術設定新的標準。二、應用（1）開關模式電源設計（2）寬禁帶GaN和SiC設備的功率FET設計/
2023
11-09

泰克光隔離探頭TIVH05L的產(chǎn)品介紹
一、概述IsoVu光隔離探頭發(fā)現(xiàn)非隔離探頭隱藏的快速震蕩的信號。IsoVu™探頭技術實際上通過光學隔離消除了共模干擾。這樣就可以按100V/ns或更快的速度在±60kV的基準電壓上提供精確的差分測量。借助我們的IsoVuGeneration2設計，您能獲得IsoVu技術的所有優(yōu)勢，但大小僅為原來探頭尺寸的1/5。IsoVuGen2探頭憑借多功能MMCX連接器以及帶寬、動態(tài)范圍和共模抑制組合，為隔離探頭技術設定新的標準。二、應用（1）開關模式電源設計（2）寬禁帶GaN和SiC設備的功率FET設計/
2023
11-09

化工儀器網(wǎng) 泰克光隔離探頭TIVH05的產(chǎn)品介紹
一、概述IsoVu光隔離探頭發(fā)現(xiàn)非隔離探頭隱藏的快速震蕩的信號。IsoVu™探頭技術實際上通過光學隔離消除了共模干擾。這樣就可以按100V/ns或更快的速度在±60kV的基準電壓上提供精確的差分測量。借助我們的IsoVuGeneration2設計，您能獲得IsoVu技術的所有優(yōu)勢，但大小僅為原來探頭尺寸的1/5。IsoVuGen2探頭憑借多功能MMCX連接器以及帶寬、動態(tài)范圍和共模抑制組合，為隔離探頭技術設定新的標準。二、應用（1）開關模式電源設計（2）寬禁帶GaN和SiC設備的功率FET設計/
2023
11-08

CWT60B/4/700英國羅氏線圈的產(chǎn)品介紹
英國PEMCWT系列交流羅氏線圈是實實在在為您解決電力電子的電流測量問題的轉換工具：高帶寬、大容量的測量范圍，配合高質量的測量指標，保證您的測量要求；纖細、柔軟的感應套環(huán)，讓您輕而易舉地與實際測量對象相連接。一.主要特點：（1）測量范圍：300mA～300,000A；（2）典型帶寬：1Hz～16MHz；（3）纖細、柔軟的高性能感應套環(huán)：（4）近乎為零的干擾：在測量過程中，實際負載電流僅為幾個皮亨；（5）輕而易舉地與實際的測量對象相連接；（6）感應套環(huán)的峰值電壓絕緣能力可達10KV；（7）感應套環(huán)
2023
11-08

CWT60B/4/700柔性電流探頭的產(chǎn)品介紹
英國PEMCWT系列交流電流探頭是實實在在為您解決電力電子的電流測量問題的轉換工具：高帶寬、大容量的測量范圍，配合高質量的測量指標，保證您的測量要求；纖細、柔軟的感應套環(huán)，讓您輕而易舉地與實際測量對象相連接。一.主要特點：（1）測量范圍：300mA～300,000A；（2）典型帶寬：1Hz～16MHz；（3）纖細、柔軟的高性能感應套環(huán)：（4）近乎為零的干擾：在測量過程中，實際負載電流僅為幾個皮亨；（5）輕而易舉地與實際的測量對象相連接；（6）感應套環(huán)的峰值電壓絕緣能力可達10KV；（7）感應套環(huán)
2023
11-08

泰克光隔離探頭TIVH02L的產(chǎn)品介紹
一、概述IsoVu光隔離探頭發(fā)現(xiàn)非隔離探頭隱藏的快速震蕩的信號。IsoVu™探頭技術實際上通過光學隔離消除了共模干擾。這樣就可以按100V/ns或更快的速度在±60kV的基準電壓上提供精確的差分測量。借助我們的IsoVuGeneration2設計，您能獲得IsoVu技術的所有優(yōu)勢，但大小僅為原來探頭尺寸的1/5。IsoVuGen2探頭憑借多功能MMCX連接器以及帶寬、動態(tài)范圍和共模抑制組合，為隔離探頭技術設定新的標準。二、應用（1）開關模式電源設計（2）寬禁帶GaN和SiC設備的功率FET設計/
2023
11-07

電感的發(fā)展及電感飽和測試方案
電感功率越來越大，從電感到大電流電感，到電抗器的發(fā)展進程，是電子工程領域的一個重要發(fā)展歷程。這一發(fā)展歷程主要經(jīng)歷了以下幾個階段：電感階段：電感是基本的電子元件之一，它能夠存儲電能并產(chǎn)生磁場。電感通常由線圈組成，線圈的圈數(shù)越多，電感的電感量就越大。電感在電路中能夠起到濾波、儲能、延遲等作用。在早期電子設備中，電感被廣泛應用于各種模擬電路和數(shù)字電路中。大電流電感階段：隨著電力電子技術的不斷發(fā)展，大電流電感成為了一個重要的電子元件。大電流電感具有較高的電感量，能夠承受較大的電流，因此被廣泛應用于電力電
2023
11-07

PEM電流探頭CWTUM60B/1/80的產(chǎn)品介紹
CWTUltramini（CWTUM）是目前市場上超微型的Rogowski線圈。特征線圈橫截面直徑為1.7mm，小到足以穿過半導體的管腳。寬帶寬高達30MHz（-3dB）和寬溫度范圍內(nèi)的高頻性能使CWTUltraMini成為測量電力電子應用中脈沖電流和正弦波形的理想選擇。一.主要特點：（1）測量AC電流范圍：1A～12000A；（2）高頻帶寬：30MHz；（3）DC補償不大于2mV在高于操作溫度范圍時；（4）極其微細和柔軟有彈性的圍繞型線圈長80mm—其他長度可選；（5）所有內(nèi)部設計采用Rogo
2023
11-07

PEM羅氏線圈CWTUM60B/1/80的產(chǎn)品介紹
CWTUltramini（CWTUM）是目前市場上超微型的Rogowski線圈。特征線圈橫截面直徑為1.7mm，小到足以穿過半導體的管腳。寬帶寬高達30MHz（-3dB）和寬溫度范圍內(nèi)的高頻性能使CWTUltraMini成為測量電力電子應用中脈沖電流和正弦波形的理想選擇。一.主要特點：（1）測量AC電流范圍：1A～12000A；（2）高頻帶寬：30MHz；（3）DC補償不大于2mV在高于操作溫度范圍時；（4）極其微細和柔軟有彈性的圍繞型線圈長80mm—其他長度可選；（5）所有內(nèi)部設計采用Rogo
2023
11-07

CWTUM60B/1/80柔性電流探頭的產(chǎn)品介紹
CWTUltramini（CWTUM）是目前市場上超微型的Rogowski線圈。特征線圈橫截面直徑為1.7mm，小到足以穿過半導體的管腳。寬帶寬高達30MHz（-3dB）和寬溫度范圍內(nèi)的高頻性能使CWTUltraMini成為測量電力電子應用中脈沖電流和正弦波形的理想選擇。一.主要特點：（1）測量AC電流范圍：1A～12000A；（2）高頻帶寬：30MHz；（3）DC補償不大于2mV在高于操作溫度范圍時；（4）極其微細和柔軟有彈性的圍繞型線圈長80mm—其他長度可選；（5）所有內(nèi)部設計采用Rogo
2023
11-07

泰克光隔離探頭TIVH02的產(chǎn)品介紹
一、概述IsoVu光隔離探頭發(fā)現(xiàn)非隔離探頭隱藏的快速震蕩的信號。IsoVu™探頭技術實際上通過光學隔離消除了共模干擾。這樣就可以按100V/ns或更快的速度在±60kV的基準電壓上提供精確的差分測量。借助我們的IsoVuGeneration2設計，您能獲得IsoVu技術的所有優(yōu)勢，但大小僅為原來探頭尺寸的1/5。IsoVuGen2探頭憑借多功能MMCX連接器以及帶寬、動態(tài)范圍和共模抑制組合，為隔離探頭技術設定新的標準。二、應用（1）開關模式電源設計（2）寬禁帶GaN和SiC設備的功率FET設計/
2023
11-03

TEK光隔離探頭的產(chǎn)品介紹
一、概述IsoVu光隔離探頭發(fā)現(xiàn)非隔離探頭隱藏的快速震蕩的信號。IsoVu™探頭技術實際上通過光學隔離消除了共模干擾。這樣就可以按100V/ns或更快的速度在±60kV的基準電壓上提供精確的差分測量。借助我們的IsoVuGeneration2設計，您能獲得IsoVu技術的所有優(yōu)勢，但大小僅為原來探頭尺寸的1/5。IsoVuGen2探頭憑借多功能MMCX連接器以及帶寬、動態(tài)范圍和共模抑制組合，為隔離探頭技術設定新的標準。二、應用（1）開關模式電源設計（2）寬禁帶GaN和SiC設備的功率FET設計/
2023
11-03

泰克光隔離探頭的產(chǎn)品介紹
一、概述IsoVu光隔離探頭發(fā)現(xiàn)非隔離探頭隱藏的快速震蕩的信號。IsoVu™探頭技術實際上通過光學隔離消除了共模干擾。這樣就可以按100V/ns或更快的速度在±60kV的基準電壓上提供精確的差分測量。借助我們的IsoVuGeneration2設計，您能獲得IsoVu技術的所有優(yōu)勢，但大小僅為原來探頭尺寸的1/5。IsoVuGen2探頭憑借多功能MMCX連接器以及帶寬、動態(tài)范圍和共模抑制組合，為隔離探頭技術設定新的標準。二、應用（1）開關模式電源設計（2）寬禁帶GaN和SiC設備的功率FET設計/
2023
11-03

光隔離探頭的產(chǎn)品介紹
一、概述IsoVu光隔離探頭發(fā)現(xiàn)非隔離探頭隱藏的快速震蕩的信號。IsoVu™探頭技術實際上通過光學隔離消除了共模干擾。這樣就可以按100V/ns或更快的速度在±60kV的基準電壓上提供精確的差分測量。借助我們的IsoVuGeneration2設計，您能獲得IsoVu技術的所有優(yōu)勢，但大小僅為原來探頭尺寸的1/5。IsoVuGen2探頭憑借多功能MMCX連接器以及帶寬、動態(tài)范圍和共模抑制組合，為隔離探頭技術設定新的標準。二、應用（1）開關模式電源設計（2）寬禁帶GaN和SiC設備的功率FET設計/
2023
11-03

示波器MSO68B光隔離探頭的產(chǎn)品介紹
一、概述IsoVu光隔離探頭發(fā)現(xiàn)非隔離探頭隱藏的快速震蕩的信號。IsoVu™探頭技術實際上通過光學隔離消除了共模干擾。這樣就可以按100V/ns或更快的速度在±60kV的基準電壓上提供精確的差分測量。借助我們的IsoVuGeneration2設計，您能獲得IsoVu技術的所有優(yōu)勢，但大小僅為原來探頭尺寸的1/5。IsoVuGen2探頭憑借多功能MMCX連接器以及帶寬、動態(tài)范圍和共模抑制組合，為隔離探頭技術設定新的標準。二、應用（1）開關模式電源設計（2）寬禁帶GaN和SiC設備的功率FET設計/
2023
11-03

美國TEKTRONIX光隔離探頭的產(chǎn)品介紹
一、概述IsoVu光隔離探頭發(fā)現(xiàn)非隔離探頭隱藏的快速震蕩的信號。IsoVu™探頭技術實際上通過光學隔離消除了共模干擾。這樣就可以按100V/ns或更快的速度在±60kV的基準電壓上提供精確的差分測量。借助我們的IsoVuGeneration2設計，您能獲得IsoVu技術的所有優(yōu)勢，但大小僅為原來探頭尺寸的1/5。IsoVuGen2探頭憑借多功能MMCX連接器以及帶寬、動態(tài)范圍和共模抑制組合，為隔離探頭技術設定新的標準。二、應用（1）開關模式電源設計（2）寬禁帶GaN和SiC設備的功率FET設計/

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