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2022
01-26

1100℃ 1500℃ 高溫真空探針臺(tái)溫度穩(wěn)定±1℃
1100℃1500℃高溫真空探針臺(tái)溫度穩(wěn)定±1℃樣品臺(tái)26x26mm同時(shí)可用于光學(xué)測(cè)試電學(xué)測(cè)試光學(xué)反射透窗距樣品間距9mm可擴(kuò)展透視窗透孔2mm電學(xué)測(cè)試4探針外接3同軸bnc腔體不銹鋼材質(zhì)180x90x37mm上下面水冷該腔體設(shè)計(jì)有進(jìn)氣口和抽真空接口其真空度用機(jī)械泵可達(dá)＜5Pa分子泵可達(dá)＜-3Pa。真空信號(hào)連接處使用真空電極信號(hào)接頭，保證氣密性及抗干擾性能。使用時(shí)將需將待檢測(cè)的器件方在加熱臺(tái)面，探針頂尖處由3軸可移動(dòng)探針手動(dòng)調(diào)節(jié)移動(dòng)至被測(cè)試器件的引腳處，外部信號(hào)線連接測(cè)試儀器來(lái)測(cè)試電學(xué)信號(hào)。
2022
01-26

真空探針臺(tái)優(yōu)勢(shì)和適用于那些科研
KT-Z1604T探針臺(tái)主要應(yīng)用于傳感器，半導(dǎo)體，光電，集成電路以及封裝的測(cè)試。廣泛應(yīng)用于復(fù)雜、高速器件的精密電氣測(cè)量的研發(fā)，旨在確保質(zhì)量及可靠性，并縮減研發(fā)時(shí)間和器件制造工藝的成本。該探針臺(tái)的承載臺(tái)為60x60不銹鋼臺(tái)面，臺(tái)面最高可升溫到最高350℃。真空腔體設(shè)計(jì)有進(jìn)氣口和抽真空接口。探針臂為X/Y/Z三軸移動(dòng)，三個(gè)方向均可在真空環(huán)境下精密移位調(diào)節(jié)，其中X方向調(diào)節(jié)范圍：0－30mm；y方向調(diào)節(jié)范圍：0－20mm；z方向調(diào)節(jié)范圍：0－20mm；用戶可根據(jù)需要自行調(diào)節(jié)。使用時(shí)將需檢測(cè)的器件固定在加
2022
01-26

等離子清洗機(jī)150W 13.56MHz適用半導(dǎo)體
鄭科探等離子清洗機(jī)150W13.56MHz主要應(yīng)用于半導(dǎo)體、鍍膜工藝、PCB制程、PCB制程、元器件封裝前、COG前、真空電子、連接器和繼電器等行業(yè)的精密清洗，塑料、橡膠、金屬和陶瓷等表面的活化以及生命科學(xué)實(shí)驗(yàn)等。KT-S2DQX型等離子清洗機(jī)電源屬于150W13.56MHz的射頻電源。作為一種精密干法清洗設(shè)備，主要應(yīng)用于半導(dǎo)體、鍍膜工藝、PCB制程、PCB制程、元器件封裝前、COG前、真空電子、連接器和繼電器等行業(yè)的精密清洗，塑料、橡膠、金屬和陶瓷等表面的活化以及生命科學(xué)實(shí)驗(yàn)等。該鄭科探KT-
2021
06-01

In Situ Assembly of Ordered Hierarchical CuO Microhemisphere Nanowire Arrays for High-Performance
InSituAssemblyofOrderedHierarchicalCuOMicrohemisphereNanowireArraysforHigh-PerformanceBifunctionalSensingApplicationsTiantianDai,ZanhongDeng,XiaodongFang,*HuadongLu,YongHe,JunqingChang,ShimaoWang,NengweiZhu,LiangLi,*ａndGangMeng*1.IntroductionDevicefa
2021
03-24

真空加熱腔體論文文獻(xiàn)
鄭州科探儀器設(shè)備有限公司是集開(kāi)發(fā)、制造、經(jīng)營(yíng)為一體的材料設(shè)備創(chuàng)新型企業(yè)，如今公司的產(chǎn)品已經(jīng)遍布國(guó)內(nèi)大多數(shù)實(shí)驗(yàn)室及科學(xué)院校，科探儀器已經(jīng)成為老師同學(xué)和信任的品牌。公司以科技創(chuàng)新為主，服務(wù)社會(huì)為宗旨，積極設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)新型材料制備設(shè)備，奉獻(xiàn)于教育和科學(xué)，經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期的研發(fā)和不斷地技術(shù)積累，擁有熱工，制造，控制相關(guān)技術(shù)10余項(xiàng)，為化學(xué)，物理，材料，電子，高分子工程，新材料制備和研發(fā)領(lǐng)域的科學(xué)研究提供了精良設(shè)備。公司通過(guò)和院校老師同學(xué)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，形成了有效的信息，技術(shù)交流平臺(tái)，為科探儀器了解市場(chǎng)需求提供了強(qiáng)有力的支
2020
12-02

等離子體處理對(duì) 硅表面氧空位缺陷工程
ElectronicSupplementaryInformationForSurfaceoxygenvacancydefectengineeringofp-CuAlO2viaAr&H2plasmatreatmentforenhancingVOCssensingperformancesBinTong,abGangMeng,*acZanhongDeng,acMatiHorprathum,dAnnopKlamchueneandXiaodongFang*acaAnhuiProvincialKeyLabo
2020
07-24

掃描電鏡超導(dǎo)碳黑的特征觀察
為超導(dǎo)碳黑的進(jìn)一步鑒別、研究及碳紙各屬間親緣關(guān)系的鑒定提供依據(jù)。[方法]應(yīng)用掃描電鏡對(duì)超導(dǎo)碳黑進(jìn)行磁控濺射(鄭州科探)-Ag/碳紙(30mA+2min磁控濺射(鄭州科探)-Ag/碳紙(30mA+2min)磁控濺射(鄭州科探)-Ag/碳紙(30mA+4min磁控濺射(鄭州科探)-Ag/碳紙(60mA+4min)進(jìn)行觀察。[結(jié)果]在不同時(shí)間的線性規(guī)律性挺好根據(jù)這個(gè)表證結(jié)果我還想用PT靶濺射在碳材料上在里面加一個(gè)磁場(chǎng)，這樣表面氧化物有機(jī)薄膜。
2020
07-13

石英管真空封管機(jī)步驟和原理
第1步，石英管縮頸抽真空后開(kāi)始燒結(jié)縮頸，縮頸部位燒至凹陷即可Step1:SilicatubeneckingFrittheneckingafterthevacuumizinguntiltheneckingpartgetssunken第2步，裝樣裝石英柱將樣品裝入石英管，將石英柱下滑至縮頸處卡住Step2:SilicacolumnsampleloadingPutthesampleintosilicatubesａndslidethesilicacolumntotheneckingforlocking第
2020
05-11

氣體質(zhì)量流量控制器的自我診斷技術(shù)
1.自我診斷技術(shù)自我診斷技術(shù)是在不停機(jī)或基本不拆機(jī)的情況下，通過(guò)各種檢測(cè)分析來(lái)判斷設(shè)備狀態(tài)是否正常，異常或故障的原因、部位、程度以及壽命的預(yù)測(cè)。自我診斷技術(shù)的主要作用是獲得設(shè)備的結(jié)果狀態(tài)信息，即根據(jù)設(shè)備在各種工況下，表現(xiàn)出來(lái)的精度超差，零點(diǎn)漂移，內(nèi)漏等所有狀態(tài)信息的綜合分析來(lái)識(shí)別產(chǎn)品的狀態(tài)、異常類型和異常的嚴(yán)重程度，其本質(zhì)是一個(gè)包含信號(hào)采集、信息提取、信息綜合、故障識(shí)別和信息利用的過(guò)程。自我診斷的目標(biāo)是確保產(chǎn)品在功能、精度、效率和可靠性方面均能穩(wěn)定運(yùn)行2.自我診斷技術(shù)在氣體質(zhì)量流量控制器中的應(yīng)用
2020
04-28

掃描探針顯微鏡多功能組合探針系統(tǒng)研制
掃描探針顯微鏡是目前一種用途廣泛的表面分析儀器,它不僅廣泛應(yīng)用于物理、化學(xué)、生物、醫(yī)學(xué)等基礎(chǔ)研究領(lǐng)域,還在微納制造和微電子等的應(yīng)用研究領(lǐng)域中發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。然而,目前商業(yè)化的掃描探針顯微鏡主要為單一探針的工作模式,其功能相對(duì)單一,難以實(shí)現(xiàn)一些較為復(fù)雜的實(shí)驗(yàn)及檢測(cè)功能。例如,在特殊環(huán)境下(如真空或輻射環(huán)境)的微觀磨損實(shí)驗(yàn)中,若采用單一探針模式,在完成磨損實(shí)驗(yàn)后,需要更換曲率半徑更小的針尖才能對(duì)表面磨損區(qū)域進(jìn)行原位的高分辨形貌掃描與觀測(cè)。然而,在更換針尖的過(guò)程中,微觀磨損的實(shí)驗(yàn)環(huán)境勢(shì)必會(huì)遭到
2020
04-28

PVD制備K型薄膜熱電偶的研究
熱電偶元件是在工業(yè)、科研中廣泛使用的一種溫度傳感器,具有測(cè)溫范圍廣,堅(jiān)固耐用,無(wú)自發(fā)熱現(xiàn)象,使用方便等優(yōu)點(diǎn)。薄膜熱電偶除了繼承上述普通熱電偶的優(yōu)點(diǎn)外,還具有熱容小,響應(yīng)速度快,幾乎不占用空間,對(duì)被測(cè)物體影響小的優(yōu)點(diǎn)。本研究為制備K型薄膜熱電偶選擇了電子束蒸發(fā)鍍,磁控濺射,多弧離子鍍?nèi)NPVD方法。其中一部分樣片的NiCr/NiSi薄膜均由磁控濺射均由磁控濺射沉積,另一部分樣片的NiCr薄膜由磁控濺射沉積,而NiSi薄膜由電子束蒸發(fā)沉積。所制備得到的薄膜熱電偶樣片使用SEM(EDS),數(shù)顯溫度儀,
2020
04-28

快速退火爐系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
快速退火爐是現(xiàn)代大規(guī)模集成電路生產(chǎn)工藝過(guò)程中的關(guān)鍵裝備主要用于離子注入后雜質(zhì)的激活、淺結(jié)制作、生長(zhǎng)高質(zhì)量的氧化膜層和金屬硅化物合金形成等工藝。隨著集成電路工藝技術(shù)的飛速發(fā)展,開(kāi)展快速退火爐系統(tǒng)的技術(shù)研究,對(duì)國(guó)內(nèi)開(kāi)發(fā)和研究具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的快速退火爐裝備,有著十分重要的理論意義和工程應(yīng)用價(jià)值。本文針對(duì)現(xiàn)代半導(dǎo)體器件退火工藝對(duì)快速退火爐系統(tǒng)的技術(shù)要求,在綜合分析國(guó)內(nèi)外各種快速退火爐系統(tǒng)技術(shù)基礎(chǔ)上,通過(guò)深入的分析研究,設(shè)計(jì)了系統(tǒng)總體技術(shù)方案。擬定采用燈光輻射型熱源裝置,上下兩排成正交的燈管組對(duì)位于其中
2020
04-28

探針臺(tái)精準(zhǔn)控制關(guān)鍵技術(shù)研究
集成電路自動(dòng)化裝備-探針臺(tái)是晶圓測(cè)試領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)。由于晶圓片上晶粒很小,達(dá)到微米級(jí),所以要求探針臺(tái)要保持很高的定位精度和運(yùn)動(dòng)精度才能保證探針與晶粒的準(zhǔn)確對(duì)針和測(cè)試。因此,本文主要研究的問(wèn)題是如何保證探針臺(tái)高精密控制,從而達(dá)到微米級(jí)定位要求。本文來(lái)自于國(guó)家02專項(xiàng)-面向12”晶圓片的全自動(dòng)探針臺(tái)關(guān)鍵技術(shù)研究。首先,本文介紹了探針臺(tái)兩大部分-LOADER和PROBER的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)和運(yùn)動(dòng)流程；其次,本文重點(diǎn)對(duì)預(yù)對(duì)位、Z軸升降、XY平臺(tái)三個(gè)關(guān)鍵部件的精準(zhǔn)控制進(jìn)行研究,分析影響控制精度的多維度因素,并提出
2020
04-17

磁控濺射沉積系統(tǒng)設(shè)計(jì)
針對(duì)光學(xué)和介電功能薄膜制備中的離化率低和靶面污染問(wèn)題,設(shè)計(jì)了一種磁控濺射沉積系統(tǒng),系統(tǒng)包括磁控濺射靶裝置、等離子體源和陽(yáng)極清洗裝置。主要結(jié)論有:(1)在磁控濺射靶裝置設(shè)計(jì)中,采用磁流體密封替代橡膠軸承密封,提高了靶裝置的密封性,極限真空度可達(dá)10-6Pa;采用旋轉(zhuǎn)磁鋼代替固定磁鋼,使靶材的利用率從30%提高到60%,同時(shí)避免了靶裝置在預(yù)先清洗時(shí)的污染;設(shè)計(jì)了靶裝置的驅(qū)動(dòng)端,完成了電機(jī)、傳動(dòng)裝置和軸承的選型。(2)設(shè)計(jì)等離子體源來(lái)改善沉積系統(tǒng)離化率不足的問(wèn)題。選擇0.2mm鎢絲制成陰極,坩堝作為陽(yáng)
2020
04-02

基于真空探針臺(tái)的紅外焦平面自動(dòng)測(cè)試的關(guān)鍵技術(shù)研究
紅外熱成像技術(shù)由于自身各種優(yōu)勢(shì)在軍事領(lǐng)域和民用領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景,因此備受各國(guó)重視,競(jìng)相發(fā)展相關(guān)技術(shù)。由于國(guó)外對(duì)紅外熱成像技術(shù)的研究比較早,而我國(guó)在紅外熱成像技術(shù)領(lǐng)域起步較晚,所以差距很大。近年來(lái)我國(guó)在紅外熱成像技術(shù)的相關(guān)領(lǐng)域取得了一些進(jìn)展,但很多方面還是遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于世界水平。因此,還需要加快紅外熱成像技術(shù)的研究。本課題以加快紅外熱成像技術(shù)的研究進(jìn)度、減小研究周期、提升研究效率,降低研究及生產(chǎn)成本為目標(biāo),以紅外熱成像系統(tǒng)的核心部分非制冷紅外焦平面為基礎(chǔ),研究紅外焦平面封裝前自動(dòng)化測(cè)試的技術(shù)。提
2020
03-20

PVD真空鍍膜技術(shù)知識(shí)問(wèn)答
Q1:什么是PVD?真空電鍍加工真空鍍膜技術(shù)A1:PVD是英文PhysicalVaporDeposition的縮寫，中文意思是“物理氣相沉積”，是指在真空條件下，用物理的方法使材料沉積在被鍍工件上的薄膜制備技術(shù)。鄭州科探儀器設(shè)備有限公司新研發(fā)一款小型蒸鍍儀KT-Z1650DM是一款小型臺(tái)式加熱功率可控蒸發(fā)鍍膜儀，儀器雖小功能齊全，配備有電壓電流反饋,樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn)，樣品高度調(diào)節(jié)，及電動(dòng)擋板功能。通過(guò)定時(shí)調(diào)節(jié)預(yù)熱功率及蒸發(fā)功率，可對(duì)大部分金屬進(jìn)行均勻蒸發(fā)沉積，真空腔室為透明石英玻璃減少樣品污染，樣品臺(tái)

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