當(dāng)前位置:賽默飛電子顯微鏡>>技術(shù)文章展示
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行業(yè)產(chǎn)品
當(dāng)前位置:賽默飛電子顯微鏡>>技術(shù)文章展示
2025
04-07場發(fā)射掃描電子顯微鏡在材料科學(xué)中的應(yīng)用
場發(fā)射掃描電子顯微鏡是一種高分辨率的顯微鏡,廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)中。與傳統(tǒng)的掃描電子顯微鏡相比,它具有更高的電子束亮度和更小的電子源尺寸,這使得其能夠獲得更精細(xì)的圖像,并且具有更高的空間分辨率。其核心優(yōu)勢在于它能夠在納米級別上提供高質(zhì)量的圖像,廣泛應(yīng)用于材料表面、結(jié)構(gòu)和成分的分析。場發(fā)射掃描電子顯微鏡在材料科學(xué)中的應(yīng)用如下:一、材料表面形貌分析廣泛用于材料科學(xué)中的表面形貌研究,尤其是在納米材料、復(fù)合材料以及微電子器件的制造過程中。通過使用,研究人員可以在納米尺度上對材料的表面進行詳細(xì)的觀察,揭示其2025
04-04sem掃描電鏡的技術(shù)原理與應(yīng)用領(lǐng)域
sem掃描電鏡是一種利用電子束掃描樣品表面,產(chǎn)生高分辨率的圖像并分析樣品的表面形貌、成分和結(jié)構(gòu)的顯微分析工具。通過將電子束聚焦到樣品表面,并檢測與電子相互作用后產(chǎn)生的信號,如二次電子、反射電子等,來獲得圖像信息。sem掃描電鏡的工作原理基于電子束和樣品表面相互作用時產(chǎn)生的各種信號。在顯微鏡中,電子槍產(chǎn)生高速電子束,通過一系列電磁透鏡將電子束聚焦成細(xì)小的光斑,照射到樣品的表面。電子束與樣品表面原子相互作用,產(chǎn)生不同類型的信號,主要包括:1、二次電子(SE):電子束打擊樣品時,樣品原子外層的電子被激2025
04-03掃描電鏡首入藥典!賽默飛電鏡助力藥企研發(fā)-環(huán)掃篇
2025年3月25日,2025年版《中國藥典》正式發(fā)布。該版藥典首次將“掃描電子顯微鏡法”這樣一種常用的、先進的微觀表征分析技術(shù)納入,闡述其檢測原理、樣品制備及檢測方法等,以擴大其在藥品研發(fā)和藥品質(zhì)量控制領(lǐng)域中的進一步應(yīng)用。不管是臺式還是落地式,鎢燈絲還是場發(fā)射,賽默飛為廣大藥企客戶提供了全系列的掃描電鏡產(chǎn)品線。在賽默飛全系列掃描電鏡中,獨具特色的環(huán)境掃描電鏡Quattro是經(jīng)典的Quanta系列的繼任型號,不僅可實現(xiàn)高分辨觀察,而且同時其三種真空模式:高真空,低真空及環(huán)境掃描(ESEM)模式可2025
04-03聚焦前沿丨突破性催化劑技術(shù)登上《Nature》:球差校正環(huán)境透射電鏡助力揭示合成氣高效轉(zhuǎn)化新路徑
近日,國家能源集團北京低碳清潔能源研究院及其合作單位埃因霍溫理工大學(xué)在國際頂級期刊《Nature》發(fā)表突破性研究,揭示了合成氣高效轉(zhuǎn)化為線性α-烯烴(LAOs)的新型催化劑技術(shù)[1]。北京低碳清潔能源研究院王鵬研究員,蔣復(fù)國研究員,門卓武研究員以及荷蘭埃因霍芬理工大學(xué)的EmielJ.M.Hensen教授參與此項研究。合成氣高效轉(zhuǎn)化:從低效碳利用到精準(zhǔn)催化石油長期以來是燃料與化學(xué)品生產(chǎn)的主要原料,但煤炭、天然氣和生物質(zhì)等替代資源的開發(fā)日益受到關(guān)注。這些資源通過氣化生成合成氣(CO/H2混合物),隨2025
04-012025
01-02以電鏡視角切入神經(jīng)科學(xué)的跨尺度研究(一):神經(jīng)退行性疾病
近年來,電子顯微鏡技術(shù)在神經(jīng)科學(xué)研究中取得了令人矚目的進展。通過高分辨率和三維成像技術(shù),科學(xué)家們能夠深入探索神經(jīng)細(xì)胞和組織的超微結(jié)構(gòu),可以研究許多以前難以處理的靶點,如膜蛋白、異質(zhì)蛋白復(fù)合物和巨型復(fù)合物組裝。它已被用于神經(jīng)科學(xué)的幾乎所有主要領(lǐng)域,讓我們得以一窺神經(jīng)元細(xì)胞內(nèi)隱藏的分子機制。賽默飛強大的電子顯微鏡家族,為科學(xué)家們的跨尺度研究提供強有力的技術(shù)支撐。從單顆粒分析技術(shù)(SPA)、冷凍電子斷層掃描(Cryo-ET)到體電子顯微鏡(VolumeEM),多種技術(shù)路線,串起從分子、蛋白質(zhì)、亞細(xì)胞、2025
01-022024
12-17半導(dǎo)體行業(yè)如何“變道超車”——賽默飛Helios 5 Hydra助力封裝技術(shù)革新
半導(dǎo)體行業(yè)正處在新形勢和新趨勢的十字路口,半導(dǎo)體技術(shù)進入后摩爾時代,人工智能(AI)逐步成為從云-邊-端的現(xiàn)象級應(yīng)用并驅(qū)動產(chǎn)業(yè)增長,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來產(chǎn)業(yè)鏈的重新調(diào)整。通過先進封裝彌補先進制造,實現(xiàn)“變道超車”,成為一種廣泛認(rèn)同的方式。在后摩爾時代,半導(dǎo)體面臨“四堵墻”的限制:?存儲墻:TB級帶寬難以滿足P級和E級算力需求;?面積墻:芯片面積接近光罩極限,導(dǎo)致可用內(nèi)核占比下降;?功耗墻:功耗增大,并且散熱困難;?功能墻:單一芯片襯底可實現(xiàn)的功能有限;各類先進封裝技術(shù)應(yīng)運而生,以突破這“四堵墻”的2024
12-172024
12-082024
12-022024
11-092024
11-092024
11-072024
11-012024
10-23比較SEM掃描電鏡與光學(xué)顯微鏡在景深、放大倍數(shù)和分辨率方面的差異
SEM掃描電鏡與光學(xué)顯微鏡在景深、放大倍數(shù)和分辨率方面存在顯著的差異,這些差異使得它們各自在特定的科學(xué)研究和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域中發(fā)揮著不可替代的作用。首先,從景深的角度來看,光學(xué)顯微鏡的景深相對較淺,通常在2-3um之間。這意味著在觀察樣品時,只有很薄的一層樣品表面能形成清晰的圖像,對樣品的表面平滑度要求很高。而SEM掃描電鏡的景深則要大得多,可以達(dá)到幾毫米。這一特性使得SEM能夠觀察樣品表面不同深度的形態(tài)結(jié)構(gòu),對樣品表面的幾何形狀和光滑程度要求較低,樣品的準(zhǔn)備也相對簡單。其次,在放大倍數(shù)方面,光學(xué)顯2024
10-232024
10-232024
10-23SEM掃描電鏡中,如何保證圖像的高分辨率和高質(zhì)量?
在SEM掃描電鏡中,保證圖像的高分辨率和高質(zhì)量是實驗成功的關(guān)鍵。以下是一些關(guān)鍵步驟和注意事項,以確保獲得高質(zhì)量的圖像:1.選擇合適的加速電壓加速電壓決定了電子束的能量和穿透能力。較低的加速電壓(如1-5kV)通常適用于高分辨率的表面成像,因為它能減少電子在樣品中的散射,從而提高表面細(xì)節(jié)的分辨率。然而,對于較厚的樣品,可能需要較高的加速電壓(如10-30kV)來穿透樣品并獲取內(nèi)部信息。因此,選擇合適的加速電壓是平衡穿透深度和分辨率的關(guān)鍵。2.優(yōu)化工作距離工作距離是電子束從透鏡到樣品表面的距離。較短2024
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