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F50 膜厚測量儀

F50可以非常簡單地獲得最大直徑450毫米的樣品薄膜厚度分布圖。采用r-θ 極坐標(biāo)移動平臺，可以快速定位所需的測試點(diǎn)并且實(shí)時(shí)獲得測試厚度，大約每秒測試兩點(diǎn)。

相關(guān)應(yīng)用：半導(dǎo)體制造（光刻膠、氧化物/氮化物/SOI、晶圓背面研磨）；LCD 液晶顯示器（聚酰亞胺、ITO 透明導(dǎo)電膜）；光學(xué)鍍膜（硬涂層、抗反射層）；MEMS 微機(jī)電系統(tǒng)（光刻膠、硅系膜層）。

P7 臺階儀

P-7可以對臺階高度、粗糙度、翹曲度和應(yīng)力進(jìn)行2D和3D測量，其掃描可達(dá)150mm而無需圖像拼接。

相關(guān)應(yīng)用：薄膜/厚膜臺階；蝕刻深度量測；光阻/光刻膠臺階；柔性薄膜；表面粗糙度/平整度表征；表面曲率和輪廓分析；薄膜的2D stress量測；表面結(jié)構(gòu)分析；表面的3D輪廓成像；缺陷表征和缺陷分析。

F54-XY-200 薄膜厚度測量儀

F54-XY-200配備自動化薄膜厚度繪圖系統(tǒng)，借助F54-XY-200先進(jìn)的光譜反射系統(tǒng)，可以快速輕松地測量最大200 x 200mm樣品的薄膜厚度。

相關(guān)應(yīng)用：半導(dǎo)體制造（光刻膠、氧化物/氮化物/SOI、晶圓背面研磨）；LCD 液晶顯示器（聚酰亞胺、ITO 透明導(dǎo)電膜）；光學(xué)鍍膜（硬涂層、抗反射層）；MEMS 微機(jī)電系統(tǒng)（光刻膠、硅系膜層）。

Profilm3D 白光干涉光學(xué)輪廓儀

Profilm3D 使先進(jìn)的垂直干涉掃描 (WLI) 與高精度的相位干涉 (PSI) 技術(shù)。以強(qiáng)大的性價(jià)比實(shí)現(xiàn)次納米級的表面形貌研究。

相關(guān)應(yīng)用：粗糙度測量;三維形貌表征;臺階高度測量

FS-1 多波長橢偏儀

Film Sense FS-1多波長橢偏儀采用壽命長 LED 光源和非移動式部件橢偏探測器，可在操作簡單的緊湊型橢偏儀中實(shí)現(xiàn)可靠地薄膜測量。

相關(guān)應(yīng)用：二氧化硅和氮化物，高介電和低介電材料，非晶和多晶材料，硅薄膜，光刻膠。高和低指數(shù)薄膜，如 SiO2, TiO2, Ta2O5, MgF2 。TCO（如 ITO），非晶硅薄膜，有機(jī)薄 膜（OLED 技術(shù)）等