ZG-硅基光延時(shí)芯片
2025-05-07
 |
- 產(chǎn) 地：
- 經(jīng)開(kāi)區(qū)電子制造產(chǎn)業(yè)園16棟3樓
- 所在地區(qū)：
- 四川綿陽(yáng)市
硅基單片集成 6 比特光延時(shí)芯片
〖簡(jiǎn)介Introduction〗
梓冠光電的單片集成 6 比特光延時(shí)芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開(kāi)關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開(kāi)關(guān)使其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下，硅波導(dǎo)延時(shí)使其延時(shí)精度提升 1 個(gè)量級(jí)，厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達(dá)到工程應(yīng)用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時(shí)器的體積大、可靠性差問(wèn)題，是可全方面滿(mǎn)足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)品。
硅基光延時(shí)芯片
硅基光延時(shí)芯片
特性Features〗
n 高速切換
高延時(shí)精度
n 超小尺寸
n 超寬帶工作
n 全固態(tài)波導(dǎo)芯片可靠性強(qiáng)
〖應(yīng)用Applications〗
n 光控相控陣?yán)走_(dá)系統(tǒng)、電子對(duì)抗系統(tǒng)
〖主要性能指標(biāo) Specifications〗
性能指標(biāo) Parameter | 單位 Unit | 典型值 Typical value | 備注 Notes |
延時(shí)位數(shù) Delay bits | / | 6 | 可定制 Can be customized |
最小延時(shí)步進(jìn) Min.step-delay | ps | 59.2 | 可定制 Can be customized |
可調(diào)節(jié)最大延時(shí)量 Adjustable max.delay | ps | 3729.6 | |
延時(shí)偏差 Delay deviation | ps | ≤±0.5 | ≤±1@max |
延時(shí)切換時(shí)間 Delay switching time | µs | ≤1 | |
插入損耗 Insertion loss | dB | 14 | |
各延時(shí)態(tài)損耗差異 Delay state loss difference | dB | ±0.5 | |
波損耗 Return loss | dB | 45 | |
芯片尺寸 Chip dimension | mm | 22×10×0.7 |
〖2×2 光開(kāi)關(guān)（圖 1）的“交叉”、“直通”傳輸狀態(tài)定義如下〗
〖The "Cross" and "Bar" transmission states of the 2×2 optical switch (Figure 1) is defined as follows〗
“交叉”狀態(tài)（Cross 態(tài)）：從輸入 A 端輸入，輸出端 D 有光信號(hào)輸出，輸出端 C 沒(méi)有光信號(hào)輸出時(shí)，即為”交叉“態(tài)（A→D）；類(lèi)似定義，從輸入端 B 輸入，輸出端 C 光信號(hào)輸出，輸出端 D 沒(méi)有光信號(hào)輸出，也為”交叉“態(tài)（B→C）。
“直通”態(tài)（bar 態(tài)）：從輸入端 A 處輸入，輸出端 C 有輸出光信號(hào)，輸出端 D 沒(méi)有光信號(hào)輸出時(shí)，即為”直通“態(tài)（A→C）；類(lèi)似定義，從輸入端 B 輸入，輸出端 D 有光信號(hào)輸出，輸出端 C 沒(méi)有光信號(hào)輸出，也為“直通”態(tài)（B→àD。
序號(hào)No. | 名稱(chēng)Name | 描述 Description | 序號(hào) No. | 名稱(chēng) ame | 描述 Description |
1 | DMY | dummy | 19 | CH5+C | 開(kāi)關(guān) 5 正極 cross 態(tài) |
2 | DMY | dummy | 20 | CH5- | 開(kāi)關(guān) 5 負(fù)極 |
3 | DMY | dummy | 21 | CH5+B | 開(kāi)關(guān) 5 正極 bar 態(tài) |
4 | DMY | dummy | 22 | CH6+C | 開(kāi)關(guān) 6 正極 cross 態(tài) |
5 | DMY | dummy | 23 | CH6- | 開(kāi)關(guān) 6 負(fù)極 |
6 | DMY | dummy | 24 | CH6+B | 開(kāi)關(guān) 6 正極 bar 態(tài) |
7 | CH4+B | 開(kāi)關(guān) 1 正極 bar 態(tài) | 25 | CH7+C | 開(kāi)關(guān) 7 正極 cross 態(tài) |
8 | CH4- | 開(kāi)關(guān) 1 負(fù)極 | 26 | CH7- | 開(kāi)關(guān) 7 負(fù)極 |
9 | CH4+C | 開(kāi)關(guān) 1 正極 cross 態(tài) | 27 | CH7+B | 開(kāi)關(guān) 7 正極 bar 態(tài) |
10 | CH3+B | 開(kāi)關(guān) 2 正極 bar 態(tài) | 28 | CH8+ | To be defined |
11 | CH3- | 開(kāi)關(guān) 2 負(fù)極 | 29 | CH8- | To be defined |
12 | CH3+C | 開(kāi)關(guān) 2 正極 cross 態(tài) | 30 | CH8+ | To be defined |
13 | CH2+B | 開(kāi)關(guān) 3 正極 bar 態(tài) | 31 | DMY | dummy |
14 | CH2- | 開(kāi)關(guān) 3 負(fù)極 | 32 | DMY | dummy |
15 | CH2+C | 開(kāi)關(guān) 3 正極 cross 態(tài) | 33 | DMY | dummy |
16 | CH1+B | 開(kāi)關(guān) 4 正極 bar 態(tài) | 34 | DMY | dummy |
17 | CH1- | 開(kāi)關(guān) 4 負(fù)極 | 35 | DMY | dummy |
18 | CH1+C | 開(kāi)關(guān) 4 正極 cross 態(tài) | 36 | DMY | dummy |
四川梓冠光電科技有限公司
- 類(lèi)型：
- 生產(chǎn)廠家
- 聯(lián) 系 人：
- 陳經(jīng)理
聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)說(shuō)明在化工儀器網(wǎng)上看到的，謝謝。
- 等離子體芯片開(kāi)封機(jī),IC封裝脫封,開(kāi)帽
- FPNIP-PL221-進(jìn)口激光開(kāi)封機(jī),激光開(kāi)帽
- FPNIP-ES373-進(jìn)口干法刻蝕機(jī),LSI失效分
- ZG-SOI芯片光電探測(cè)器陣列
- ZG-SOI芯片光電探測(cè)器
- 硅基單片集成 7bit 可調(diào)光延時(shí)器芯片
- SOI芯片式高速多通道光衰減器
- 硅基單片集成 7bit 可調(diào)光延時(shí)芯片
- ZG-單片集成 6 比特光延時(shí)芯片
- ZG-SOI芯片式高速光開(kāi)關(guān)
- ZG-VOA-SOI芯片式高速光衰減器
- ZG-SOI芯片光電探測(cè)器集成度高
采購(gòu)中心