單片集成 7bit 可調(diào)光延時器芯片高速切換
2025-05-07
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硅基單片集成 7bit 可調(diào)光延時器芯片
〖簡介Introduction〗
梓冠光電的單片集成多比特光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開關(guān)和硅波導(dǎo)延時
路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關(guān)使其延時態(tài)切換速度達到 1 μs 以下，硅波導(dǎo)延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達到工程應(yīng)用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)品。
〖特性Features〗
n 高速切換
n 高延時精度
n 超小尺寸
n 超寬帶工作
n 全固態(tài)波導(dǎo)芯片可靠性強
〖應(yīng)用Applications〗
n 光控相控陣?yán)走_系統(tǒng)、電子對抗系統(tǒng)
〖主要性能指標(biāo) Specifications〗
性能指標(biāo) Parameter | 單位 Unit | 典型值 Typical value | 備注 Notes |
延時位數(shù) Delay bits | / | 7 | 可定制 Can be customized |
最小延時步進 Min.step-delay | ps | 2 | 可定制 Can be customized |
可調(diào)節(jié)最大延時量 Adjustable max.delay | ps | 254 | |
延時偏差 Delay deviation | ps | ≤±0.5 | ≤±1@max |
延時切換時間 Delay switching time | µs | ≤1 | |
插入損耗 Insertion loss | dB | 14 | |
各延時態(tài)損耗差異 Delay state loss difference | dB | ±0.5 | |
回波損耗 Return loss | dB | 45 | |
芯片尺寸 Chip dimension | mm | 19×11×0.7 |
單片集成 7bit 可調(diào)光延時器芯片高速切換
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