電漿輔助式化學(xué)氣相沉積設(shè)備（PECVD）是一種使用電漿的化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)，可為沉積反應(yīng)提供一些能量。與傳統(tǒng)的CVD方法相比，PECVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜且不會降低薄膜質(zhì)量。

電漿輔助式化學(xué)氣相沉積設(shè)備PECVD比半導(dǎo)體行業(yè)中的其他CVD技術(shù)更廣泛地使用，且可以在較低的工作溫度（低於350°C）下沉積薄膜，並具有不同形狀的均勻沉積與良好的覆蓋率。SYSKEY的系統(tǒng)可以精準(zhǔn)的控制製程氣體與監(jiān)控其數(shù)據(jù)(壓力、載臺溫度)，並提供高品質(zhì)的薄膜。

我們也開發(fā)不同機(jī)器但共用零組件，以達(dá)到節(jié)省成本。