真空快速退火爐AS-One

AS-One是一種通用的RTP系統(tǒng)，可用于開發(fā)快速熱退火和快速熱CVD工藝。

可以搭配分子泵實現(xiàn)高真空下熱處理工藝。

ZG溫度1500 ℃，升溫速率200℃/Second。

全程PC軟件控制升溫程序，保證溫度不過沖，控溫精度準確。

應用：

• RTA（快速熱退火）

• RTO（快速熱氧化）

• 歐姆接觸退火

• 植入退火

• 石墨烯和hBN的快速熱化學氣相沉積RTCVD

• 硒化，硫化

• 結晶和致密化

產(chǎn)品特點：

1、 紅外鹵素燈管加熱，冷卻采用風冷（低噪音水平，無需壓縮空氣）；

2、加熱由功率控制而非電壓控制，避免了由于燈絲老化電阻改變導致的后續(xù)使用中加熱不均的問題，保證了良好的重現(xiàn)性及均溫性，即使在后續(xù)使用過程中更換了部分新的燈管也可以達到最初的熱處理效果；

3、石英腔體，腔體冷卻采用水冷，冷壁設計，雙層不銹鋼；

冷壁水冷技術優(yōu)點在于：1、無記憶，2、工藝重復性高，3、冷卻速度快；

4、反應腔室的設計，氣體的進入口設計在wafer的表面，避免在退火過程中冷點的產(chǎn)生。很好的保證了樣品在加熱過程中的均溫性；

5、快速數(shù)字PID控溫；

6、熱電偶配合高溫計控溫，測試樣品的溫度，控溫JZ；

7、大氣和真空工藝均適合，凈化氣體配針閥；

8、最多5路工藝氣體，配數(shù)字質量流量控制器；

9、電腦通過以太網(wǎng)連接更快的數(shù)據(jù)傳輸速度；

10、可選配石墨托盤表面涂SiC薄膜設計，用于小樣品測試；

11、可選配分子泵，用于高真空測試；

產(chǎn)品標準配置及規(guī)格參數(shù)：

1、樣品ZD尺寸：AS-One100：4-inch；AS-One150 ：6-inch；

2、溫度范圍：AS-One100室溫~1250 ℃；（室溫~1500 ℃可選）

AS-One150室溫~1200 ℃；（室溫~1300 ℃可選）

3、升溫速率：AS-One100 ：0.1 ℃~250 ℃/s ；

AS-One150 ：0.1 ℃~200 ℃/s ；

4、溫度控制：快速數(shù)字PID控制；

5、熱電偶：2個K型熱電偶；

6、低溫高溫計溫度范圍：150℃~1100 ℃；

7、高溫高溫計溫度范圍：400℃~1500 ℃；

8、工藝氣體氣路配質量流量計；

9、配置真空泵及真空規(guī)；