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產(chǎn)      地:
日本
所在地區(qū):
四川成都市
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NDK電磁測器 高壓電容器 SCB-4540

NDK電磁測器 高壓電容器 SCB-4540

SCB系列

特長

使用模擬控制器的低成本通用充磁器。

提供高輸出型。 低阻抗磁化

可配備消磁器類型。

可安裝在消磁器型

用途

微型電機(jī)、伺服電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)、主軸電機(jī)、VCM、電氣設(shè)備用多極電機(jī)

定格

充電電壓:1000 (V) ~ 6000 (V)... 500 (V) 單位

電容電容:200 (μF) ~ 5000 (μF)... 200 (μF) 單位

最大允許電流:30 (kA)

高容量電容器:電子系統(tǒng)的能量“心臟”

高容量電容器(High-Capacitance Capacitors)是一類以超大電荷存儲能力為核心價值的電子元件,其容量通常在數(shù)百微法(μF)至數(shù)萬法拉(F) 范圍,遠(yuǎn)超常規(guī)電容(nF~μF級)。它們充當(dāng)電路中的“能量緩沖池”,在毫秒至分鐘級時間尺度內(nèi)快速充放電,為現(xiàn)代電子設(shè)備提供瞬態(tài)功率支撐、電壓維穩(wěn)與能量回收的關(guān)鍵服務(wù)。

技術(shù)演進(jìn)與挑戰(zhàn)

材料突破:

納米摻雜薄膜: 提升介電常數(shù)(ε_r>10)同時保持低損耗(如Al?O?/PP復(fù)合膜)。

新型陶瓷: 弛豫鐵電陶瓷(如BZT-BCT)實現(xiàn)高儲能密度(>4J/cm3)與90%效率。

結(jié)構(gòu)創(chuàng)新:

3D堆疊薄膜電容: 通過垂直互聯(lián)提升體積比容(如Vishay的“POWER-STACK”)。

集成化模組: 電容-電感-散熱一體化設(shè)計(如英飛凌的HybridPACK™)。

瓶頸挑戰(zhàn):

熱管理: 高頻下介質(zhì)損耗發(fā)熱(薄膜電容溫升ΔT>20℃影響壽命)。

局部放電: 長期高壓下絕緣材料內(nèi)部微放電加速老化(需精密浸漬工藝)。

成本壓力: 高性能金屬化膜(如Schoeller效應(yīng)處理)成本占比超50%。

SCB-1506型SCB-2510型SCB-2520型SCB-3530型SCB-4540型
最大充電電壓 (V)1500250035004500
電容電容 (μF)6001000200030004000
電源輸入(V)*1單相
AC200V,15A
單相AC200V,30A
單相AC200V,50A
單相
AC200V,70A
單相
AC200V,70A
最大允許電流 (kA)2030
充電時間(秒)*23468
參考尺寸(mm)*3600×640×1250670×660×1250750×800×1450電話:740×730×16501350×1300×1900
參考質(zhì)量(kg)1302504008001000


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