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KDKLT-1 高頻光電導(dǎo)少子壽命測(cè)試儀(學(xué)校用) 型號(hào):KDKLT-1 中慧

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靜摩擦系數(shù)測(cè)試儀,浮游生物培養(yǎng)器,數(shù)字測(cè)滑儀

高頻光電導(dǎo)壽命測(cè)試儀/高頻光電導(dǎo)少子壽命測(cè)試儀(學(xué)校用) 
型號(hào):KDKLT-1
貨號(hào):ZH8202
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
τ:10~6000μs,ρ>3Ω·cm ,配數(shù)字示波器;用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測(cè)量,除需要有一個(gè)測(cè)量平面外,對(duì)樣塊體形嚴(yán)格要求,可測(cè)塊狀和片狀單晶壽命。壽命測(cè)量可靈敏地反映單晶體內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況,是單晶質(zhì)的重要檢測(cè)項(xiàng)目。
設(shè)備組成
1.光脈沖發(fā)生裝置:
重復(fù)頻率>25次/s
脈    寬>60μs
光脈沖關(guān)斷時(shí)間<1μs
紅外光源波長(zhǎng):1.06~1.09μm(測(cè)量硅單晶)
脈沖電流:5A~20A
如測(cè)量鍺單晶壽命需配置適當(dāng)波長(zhǎng)的光源
2.高頻源:
頻    率:30MHz低輸出阻抗
輸出功率>1W
放大器和檢波器:
頻率響應(yīng):2Hz~2MHz
3.配用示波器:
配用示波器:頻帶寬度不低于10MHz,Y軸增益及掃描速度均應(yīng)連續(xù)可調(diào)。
測(cè)量范圍:
可測(cè)硅單晶的電阻率范圍:ρ≥0.1Ω·㎝(歐姆·厘米)
壽命值的測(cè)量范圍:5~6000μs(微秒)


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