晶圓Bonding機(jī)技術(shù)方案

一、設(shè)備組成概述

設(shè)備由加壓力系統(tǒng)，壓力控制系統(tǒng)，加熱系統(tǒng)，真空系統(tǒng)，氣路系統(tǒng)，電氣控制系統(tǒng)，

二、設(shè)備技術(shù)要求

1、設(shè)備極限真空度≤1Pa；

2、鍵合平臺尺寸≥200mm×200mm(長×寬)；平臺平行度：0.05mm；

3、可鍵合晶圓厚度，0~140mm；

可鍵合芯片尺寸≥150mm×150mm(長×寬)

4、壓力范圍：0~3.5KN；鍵合壓力在量程內(nèi)也任意可編程設(shè)置與控制；

? 壓力顯示精度：±0.1KN

5、真空系統(tǒng)1套

真空腔、真空機(jī)械油泵，手動(dòng)角閥，真空計(jì)，微正壓泄壓閥，進(jìn)氣口、進(jìn)氣閥、及進(jìn)氣浮子流量計(jì)。

6、控溫范圍室溫~300℃；上下板溫差：3℃；

溫度可以靈活設(shè)置和編程，溫控精度：±1%（100℃以下±1℃）；

均勻升溫速率：4℃/min（100℃以下）；3℃/min（100℃~200℃）；2℃/min（200℃以上）；快速升溫速率：10℃/min；支持溫度編程段數(shù)：10 段控溫；

上下壓盤部分采用高溫合金制造，上下壓盤同時(shí)加熱控溫，能在600度高溫下加壓不變形，保證加壓基板的平整度。

7、電氣控制系統(tǒng)1套。

8、電源功率要求:220V,3.5KW

三、設(shè)備主要配置方案

1、設(shè)備采用機(jī)械泵（型號：TRP-24），以實(shí)現(xiàn)極限真空度：1Pa。

2、鍵合平臺方案：上壓頭采用球頭軸，保證兩壓頭之間的平行度，

3、加壓力系統(tǒng)1套：

采用伺服電動(dòng)缸（型號：外徑75）；粘合壓力：0～ 750Kg可控；壓力可以

斜率上升（線 性）。上升速率：0.5～5Kg/s。從而達(dá)到壓力范圍：0~3.5KN；

伺服電機(jī)加壓時(shí)，配合壓力傳感器進(jìn)行測量，PLC，實(shí)時(shí)在線監(jiān)測，保證壓

力精度的準(zhǔn)確性。

鍵合壓力在量程內(nèi)也任意可編程設(shè)置與控制，壓力顯示精度：±0.1KN。   

4、控制系統(tǒng)1套：

 由plc和控制模塊對伺服電動(dòng)缸的加壓系統(tǒng)和樣品臺加熱系統(tǒng)進(jìn)行控制，可隨意設(shè)置和更改參數(shù)。

5、真空系統(tǒng)1套

真空機(jī)械油泵，手動(dòng)角閥，真空計(jì)，微正壓泄壓閥，進(jìn)氣口、進(jìn)氣閥、及進(jìn)氣浮子流量計(jì)。

6、加熱系統(tǒng)1套：

采用鎧裝加熱絲加熱形式，表面功率大，升溫速度快，加熱均勻；壓盤部分

采用高溫合金制造。K型熱電偶進(jìn)行溫度反饋，固態(tài)繼電器進(jìn)行PID溫度調(diào)

節(jié)。鎧裝電阻絲采用鋁合金壓板固定，不需要隔熱裝置。

常用溫度：室溫 ～ 300 ℃ ± 1℃ 。要求斜率上升，可設(shè)定上升曲線，10

段控溫 。常用溫度上升速率：均勻升溫速率：4℃/min（100℃以下）；3℃

/min（100℃~200℃）；2℃/min（200℃以上）；快速升溫速率：10℃/min,

要求加熱部件要均勻，上下板溫差：3℃；

7、電氣控制系統(tǒng)1套。

工作說明：1.將下基片底放在下壓頭上，將上基片放在上基片支撐機(jī)構(gòu)上。（此時(shí)兩基片中間有間隙，為了抽下基片氣泡）

          2.抽真空除氣泡完畢后，上基片支撐機(jī)構(gòu)的幾個(gè)支撐板會于上基片拖開，上基片下落到下基片上。

          3.利用基片對準(zhǔn)整合機(jī)構(gòu)將上下基片整合對準(zhǔn)。

          4.設(shè)定壓合工藝，利用上下壓頭對兩基片進(jìn)行壓合。

維意真空高真空鍵合機(jī)支持定制

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