1.掃描范圍：200mm （x,y） ；
2.掃描速度：zui大20mm/s（x,y）；
3.掃描分辨率：2 μm ；
4.平均曲率分辨率：< 2e-5 （1/m） 1-sigma （100km radius） ；
5.平均翹曲測量重復性：< 5e-6 （radians） ；
6.平均曲率重復性：<2×10e-5 1/m；

7.應力測量范圍：10E-2MPa~幾十Gpa

1.程序化控制掃描模式：選定區(qū)域、多點線性掃描、全面積掃描；
2.成像功能：樣品表面2D曲率成像，定量薄膜應力2D成像分析；
3.測量功能：曲率、曲率半徑、應力強度、應力和翹曲等；
4.支持變溫熱應力測量功能，溫度范圍-65C to 1000C；
5.薄膜殘余應力測量；

世界*薄膜應力測量系統(tǒng)，又名薄膜應力計或薄膜應力儀！MOS*！曾榮獲2008 Innovation of the Year Awardee！

采用非接觸MOS激光技術；不但可以精確的對樣品表面應力分布進行統(tǒng)計分析，而且還可以進行樣品表面二維應力、曲率成像分析；并且這種設計始終保證所有陣列的激光光點始終在同一頻率運動或掃描，從而有效的避免了外界振動對測試結果的影響；同時大大提高了測試的分辨率；適合各種材質(zhì)和厚度薄膜應力分析；

該設備已經(jīng)廣泛被*高等學府（如：Harvard University 2套，Stanford University，Johns Hopkins University，Brown University 2套，Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute，西安交通大學等）、半導體制和微電子造商（如IBM.，Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC，Nissan ARC,Nichia Glass Corporation）等所采用；

相關產(chǎn)品：

實時原位薄膜應力儀：同樣采用*的MOS技術，可裝在各種真空沉積設備上（如：MBE, MOCVD, sputtering, PLD, PECVD, and annealing chambers ects），對于薄膜生長過程中的應力變化進行實時原位測量和二維成像分析；