1.掃描范圍：200mm （x,y） ；
2.掃描速度：zui大20mm/s（x,y）；
3.掃描分辨率：2 μm ；
4.平均曲率分辨率：< 2e-5 （1/m） 1-sigma （100km radius） ；
5.平均翹曲測量重復(fù)性：< 5e-6 （radians） ；
6.平均曲率重復(fù)性：<2×10e-5 1/m；

7.應(yīng)力測量范圍：10E-2MPa~幾十Gpa

1.程序化控制掃描模式：選定區(qū)域、多點線性掃描、全面積掃描；
2.成像功能：樣品表面2D曲率成像，定量薄膜應(yīng)力2D成像分析；
3.測量功能：曲率、曲率半徑、應(yīng)力強度、應(yīng)力和翹曲等；
4.支持變溫?zé)釕?yīng)力測量功能，溫度范圍-65C to 1000C；
5.薄膜殘余應(yīng)力測量；

世界*薄膜應(yīng)力測量系統(tǒng)，又名薄膜應(yīng)力計或薄膜應(yīng)力儀！MOS*！曾榮獲2008 Innovation of the Year Awardee！

采用非接觸MOS激光技術(shù)；不但可以精確的對樣品表面應(yīng)力分布進行統(tǒng)計分析，而且還可以進行樣品表面二維應(yīng)力、曲率成像分析；并且這種設(shè)計始終保證所有陣列的激光光點始終在同一頻率運動或掃描，從而有效的避免了外界振動對測試結(jié)果的影響；同時大大提高了測試的分辨率；適合各種材質(zhì)和厚度薄膜應(yīng)力分析；

該設(shè)備已經(jīng)廣泛被*高等學(xué)府（如：Harvard University 2套，Stanford University，Johns Hopkins University，Brown University 2套，Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute，西安交通大學(xué)等）、半導(dǎo)體制和微電子造商（如IBM.，Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC，Nissan ARC,Nichia Glass Corporation）等所采用；

相關(guān)產(chǎn)品：

實時原位薄膜應(yīng)力儀：同樣采用*的MOS技術(shù)，可裝在各種真空沉積設(shè)備上（如：MBE, MOCVD, sputtering, PLD, PECVD, and annealing chambers ects），對于薄膜生長過程中的應(yīng)力變化進行實時原位測量和二維成像分析；