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深能級瞬態(tài)譜儀-半導(dǎo)體表征

具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 科睿設(shè)備有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號
  • 產(chǎn)地
  • 廠商性質(zhì) 代理商
  • 更新時間 2025/2/27 14:44:25
  • 訪問次數(shù) 2494
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深能級瞬態(tài)譜儀

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科睿設(shè)備有限公司(Cross-Tech Equipment Co.,Ltd )為多家國外高科技儀器廠家在中國地區(qū)的代理。科睿公司一貫秉承『誠信』、『品質(zhì)』、『服務(wù)』、『創(chuàng)新』的企業(yè)文化,為廣大中國用戶提供儀器、設(shè)備,周到的技術(shù)、服務(wù)和*的整體解決方案。在科技日新月異、國力飛速發(fā)展的中國,納米科學(xué)研究、薄膜材料(包括半導(dǎo)體)生長和表征、表面材料物性分析、生物藥物開發(fā)、有機高分子合成等等領(lǐng)域,都需要與歐美發(fā)達(dá)國家*接軌的儀器設(shè)備平臺來實現(xiàn)??祁TO(shè)備有限公司有幸成長在這個火熱的年代,我們愿意化為一座橋梁,見證中國科技水平的提升,與中國科技共同飛速成長。
      科睿設(shè)備有限公司(Cross-Tech Equipment Co.,Ltd)總部設(shè)在中國香港,在中國上海設(shè)立了分公司,在國內(nèi)多個城市設(shè)立了辦事處或維修站,旨在為客戶提供*的產(chǎn)品和服務(wù)。2010年,科睿設(shè)備有限公司在上海設(shè)立備品倉庫及維修中心,同時提供在大陸的各項技術(shù)服務(wù)和后期的維修保障服務(wù),我們擁有專業(yè)的應(yīng)用維修人員,并且都曾到國外廠家進行了專門的培訓(xùn)。上海配備了多種維修部件,能使我們的服務(wù)更加快捷和方便。我們承諾24小時電話響應(yīng),72小時內(nèi)趕到現(xiàn)場維修。以利于更好、更快的為中國大陸服務(wù)!
      因為信任,所以理解.我們理解用戶的困難和需求。我們已經(jīng)為國內(nèi)眾多科研院所和大學(xué)根據(jù)用戶的要求配制和提供了上百套系統(tǒng),主要用戶包括:中科院物理所,中科院半導(dǎo)體所,中科院大連化學(xué)物理研究所,國家納米中心,上海納米中心,北京大學(xué),清華大學(xué),中國科技大學(xué),南京大學(xué),復(fù)旦大學(xué),上海交通大學(xué),華東理工大學(xué),浙江大學(xué),中山大學(xué),西安交通大學(xué),四川大學(xué),中國工程物理研究院,香港大學(xué),香港城市大學(xué),香港中文大學(xué),香港科技大學(xué)等。



光刻機,鍍膜機,磁控濺射鍍膜儀,電子束蒸發(fā)鍍膜儀,開爾文探針系統(tǒng)(功函數(shù)測量),氣溶膠設(shè)備,氣溶膠粒徑譜儀,等離子增強氣相沉積系統(tǒng)(PECVD),原子層沉積系統(tǒng)(ALD),快速退火爐,氣溶膠發(fā)生器,稀釋器,濾料測試系統(tǒng)

產(chǎn)地類別 進口 應(yīng)用領(lǐng)域 能源,電子/電池,電氣

深能級瞬態(tài)譜儀-半導(dǎo)體表征

深能級瞬態(tài)譜儀(DLTS)
    深能級瞬態(tài)譜(Deep Level Transient Spectroscopy)是半導(dǎo)體領(lǐng)域研究和檢測半導(dǎo)體雜質(zhì)、缺陷深能級、界面態(tài)等的重要技術(shù)手段。根據(jù)半導(dǎo)體P-N 結(jié)、金-半接觸結(jié)構(gòu)肖特基結(jié)的瞬態(tài)電容(△C~t)技術(shù)和深能級瞬態(tài)譜(DLTS)的發(fā)射率窗技術(shù)測量出的深能級瞬態(tài)譜,是一種具有*檢測靈敏度(檢測靈敏度通常為半導(dǎo)體材料中摻雜濟濃度的萬分之一)的實驗方法,能檢測半導(dǎo)體中微量雜質(zhì)、缺陷的深能級及界面態(tài)。通過對樣品的溫度掃描,可以給出表征半導(dǎo)體禁帶范圍內(nèi)的雜質(zhì)、缺陷深能級及界面態(tài)隨溫度(即能量)分布的DLTS 譜。集成多種全自動的測量模式及全面的數(shù)據(jù)分析,可以確定雜質(zhì)的類型、含量以及隨深度的分布。
    Semetrol DLTS集成多種自動的測量模式及全面的數(shù)據(jù)分析,可以確定雜質(zhì)的類型、含量以及隨深度的分布,也可用于光伏太陽能電池領(lǐng)域中,分析少子壽命和轉(zhuǎn)化效率衰減的關(guān)鍵性雜質(zhì)元素和雜質(zhì)元素的晶格占位,確定是何種摻雜元素和何種元素占位影響少子壽命。該儀器測量界面態(tài)速度快,精度高,是生產(chǎn)和科研中可廣為應(yīng)用的測試技術(shù).

主要特點 :
• 自動連線檢測;
• 自動電容補償功能;
• 探測靈敏度高
• 瞬態(tài)電流測量;
• 傅里葉轉(zhuǎn)化功能;
• 深能級瞬態(tài)譜分析;
   
應(yīng)用領(lǐng)域 :
•檢測Si、ZnO、GaN等半導(dǎo)體材料中微量雜質(zhì)、缺陷的深能級及界面態(tài)。



深能級瞬態(tài)譜儀-半導(dǎo)體表征

Semetrol DLTS系統(tǒng)配置:
- 脈沖發(fā)生器
電壓范圍: ±20.4 V (±102 V opt.)
脈沖寬度:1 µs - 1000 s
- 電容測量
高頻信號100 mV @ 1 MHz (20 mV 可選)
電容范圍 [pF] 3, 30, 3000 3000 (自動或手動)
靈敏度 0.01 fF
- 電壓測量:
范圍 ±10 V
靈敏度 < 1 µV

溫度范圍:30K~450K
電阻范圍:0.1 mOhm - 10 GOhm



多種測量模式:
  C-DLTS(電容模式)
  CC-DLTS (定電容模式)
  I-DLTS (電流模式)
  DD-DLTS (雙關(guān)聯(lián)模式)
  Zerbst-DLTS (Zerbst模式)
  O-DLTS (光激發(fā)模式)
  FET-Analysis (FET分析)
  MOS-Analysis (MOS分析)
  ITS (等溫瞬態(tài)譜)
  Trap profiling
  CCSM(俘獲截面測量)
  I/V,I/V(T) (查理森Plot分析)
  C/V, C/V(T)
  TSC/TSCAP
  PITS (光子誘導(dǎo)瞬態(tài)譜)
  DLOS (特殊系統(tǒng))




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