1.設(shè)備用途：磁控濺射設(shè)備2 是一種超高真空多靶磁控濺射沉積鍍膜實驗平臺，用磁控濺射的方法制備孤立分散的量子點和納米晶顆粒等薄膜、半導(dǎo)體薄膜、氧化物薄膜及Fe和Cu等金屬薄膜。該設(shè)備可以根據(jù)工藝的需要選擇單靶獨立工作、四靶輪流工作或四靶任意組合共濺等工作模式。該設(shè)備由主腔室和預(yù)備室兩個真空室組成。主腔室用于鍍制薄膜，完成用戶主要鍍膜工藝過程。預(yù)備室通過高真空插板閥與主腔室相連，可以用于鍍膜前基片與鍍膜后薄膜的等離子清洗，并可以在不破壞主腔室真空的條件下更換基片。

　　2. 靶、基片及加熱材料

　　磁控濺射設(shè)備2可以采用單靶獨立工作或四只靶輪流工作、任意兩靶組合共濺、三靶組合共濺等工作模式，向心濺射，射頻直流兼容。

　　所有靶面均可以沿軸向電動位移，所有靶上都帶有電動檔板，以防止靶面在未工作時被污染。

　　3. 基片有效鍍膜直經(jīng)：可達4吋，整個基片上的薄膜厚度不均勻度≤5﹪，基片架采用框式結(jié)構(gòu)，樣品交接容易，基片架不變形，鍍膜時基片轉(zhuǎn)動，旋轉(zhuǎn)速度5～60轉(zhuǎn)/分可調(diào)，鍍膜均勻。基片有擋板，防止污染。樣品加熱溫度：常溫～1000○C可調(diào), 常溫～1400○C可調(diào), 常溫～1700○C可調(diào)。

　　該設(shè)備配有基片擋板，以防止束源未穩(wěn)定工作時污染基片。樣品架在鍍膜時旋轉(zhuǎn)，基片上薄膜生長均勻，其整個基片上的薄膜厚度不均勻度≤3﹪。

　　4、真空參數(shù)

　　磁控濺射室極限真空：2×10-6Pa。可鍍直徑4英寸基片一片,.恢復(fù)真空：從大氣到7×10-4Pa ≦30min（新平臺充干燥氮氣）。平臺總體漏率：關(guān)機12小時真空度≤1Pa。

　　真空室材質(zhì)不銹鋼，表面玻璃丸噴砂處理，并電拋光處理。

　　進樣室極限真空：5×10-5Pa，恢復(fù)真空：從大氣到7×10-4Pa ≦30min（新平臺充干燥氮氣）。平臺總體漏率：關(guān)機12小時真空度≤1Pa,4位樣品庫。

　　整個平臺真空腔體除進樣室前開門采用氟膠圈密封外其余密封全部采用金屬密封技術(shù)，所有電極引線全部采用金屬—陶瓷封接件，基片升降機構(gòu)采用金屬焊接波紋管，基片旋轉(zhuǎn)采用磁力耦合技術(shù)，進樣室預(yù)留清洗部位。