蘇州原位芯片科技有限責(zé)任公司成立于2015年，由清華大學(xué)和中科院微電子專業(yè)人士共同創(chuàng)立，并獲得國內(nèi)VC機構(gòu)*投資。公司專注于新型MEMS芯片與模組的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。掌握40多項MEMS技術(shù)，擁有芯片設(shè)計、工藝開發(fā)、流片生產(chǎn)和測試的全流程自主研發(fā)、自主生產(chǎn)能力。

      為滿足科研人員對樣品的觀測需求，原位芯片采用*的微電子工藝，設(shè)計并制造了專門用于同步輻射線站及掃描電子顯微鏡（SEM）、TEM氮化硅膜窗格的標(biāo)準(zhǔn)氮化硅膜窗格。原位芯片氮化硅膜窗格具有高潔凈度，高X-射線透射性，低應(yīng)力，高強度且膜厚均勻*的特性，適用于高溫（～1000℃）實驗以及不同壓力環(huán)境的測試。為適用于多種實驗條件，原位芯片為科研人員提供了單窗格，多窗格及微孔窗格三種標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品。氮化硅膜采用低應(yīng)力技術(shù)（＜250MPa），氮化硅膜薄透且不易破損，非常適合于前沿的生物、材料、物理、化學(xué)等方面的研究。

 超潔凈

100級潔凈環(huán)境

嚴(yán)格選用硅襯底材料

*的工藝水平

高強度

薄膜應(yīng)力<250Mpa

薄膜較薄可至10nm

窗口大小可至2cm

超平整

粗糙度低于0.5nm

均勻性優(yōu)于5%

理化穩(wěn)定性優(yōu)良

耐酸，耐堿，耐有機溶劑

易使用等離子體清洗

X射線透過率高