基于PIPS探測器的中子探測器為中子探測和成像提供了小型化的解決方案。由于中子不帶電荷，測量中子通常利用中子同某些材料發(fā)生反應的次級效應來實現(xiàn)。這里我們使用的中子轉換膜是基于10B (n,a) 7Li反應或6Li (n,a) 3H反應，用PIPS探測器來測量反應產物（7Li+α或3H +α），可以實現(xiàn)對中子的探測。
成都晶威科技有限公司采用新型鈍化離子注入平面硅探測器（PIPS）來探測轉換膜的次級帶電粒子。PIPS探測器具有能量分辨率高（<1%）、工作偏壓低、死層厚度小、漏電流小、等優(yōu)點。
采用半導體制成的中子探測器，具有體積小、成本低廉、工作偏壓低（通常<100V）、時間相應快（ns量級）、位置分辨率高（微米量級）、對磁場不靈敏、能量線性好等特點。
對于有效面積為1cm2 的PIPS中子探測器，如采用6LiF 轉換層，探測效率約為4.8%。
中子劑量測量范圍：≥1.0μsV/h
能量相應范圍：熱中子-10MeV
應用領域
中子個人劑量計
便攜式中子劑量計
中子散射
中子測井
裂變材料檢測和測量
中子成像/照相
反應堆中子通量測量