原位桿 透射電鏡原位MEMS氣氛加熱測量系統(tǒng)
- 公司名稱 北京麥迪森科技有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號 原位桿
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
- 更新時間 2025/6/10 12:51:58
- 訪問次數(shù) 884
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北京麥迪森科技有限公司（Madison Technology Co., Ltd.）成立于 2017 年，憑借專業(yè)的服務(wù)和技術(shù)支持（包括研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)、檢測等各個環(huán)節(jié)），致力于為實驗室和研發(fā)領(lǐng)域提供高性能的真空產(chǎn)品和全面的真空系統(tǒng)解決方案。
作為超高真空產(chǎn)品供應(yīng)商，麥迪森科技專注服務(wù)于需要超高真空環(huán)境的各個應(yīng)用領(lǐng)域，如表面科學(xué)、原子物理等，為客戶提供定制化真空系統(tǒng)、專用真空設(shè)備及配套產(chǎn)品。包括用于分析 X 射線、同步輻射光源、自由電子激光和中子散射所需的光束線及相關(guān)部件，如高精度狹縫系統(tǒng)、復(fù)合折射透鏡系統(tǒng)、位移臺等；各種真空獲得設(shè)備和真空應(yīng)用組件，如真空泵、高真空 / 超高真空閥門、真空腔體、饋通（feedthrough) 等；以及真空脂、真空潤滑油等真空密封潤滑產(chǎn)品。此外，我們還提供系統(tǒng)控制、數(shù)據(jù)采集和數(shù)據(jù)分析相關(guān)的軟硬件產(chǎn)品。
攜手國際真空設(shè)備制造商和科研院所，麥迪森科技以優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品、專業(yè)的方案、高效的服務(wù)，助力科學(xué)發(fā)展。
Edwards真空泵，Allectra真空饋通，Apeizon真空潤滑脂，
| 價格區(qū)間 | 面議 | 儀器種類 | 冷場發(fā)射 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產(chǎn)業(yè),農(nóng)林牧漁,石油 |
透射電鏡原位MEMS氣氛加熱測量系統(tǒng)，在透射電子顯微鏡中制造氣氛及高溫環(huán)境，實現(xiàn)高1 Bar & 800 ℃的觀測條件。該系統(tǒng)使研究者可以在原子尺度上實時觀測催化反應(yīng)、氧化還原反應(yīng)、低維材料生長/合成以及各類腐蝕反應(yīng)，將您的透射電鏡從一臺靜態(tài)成像工具升級為一套功能強大的納米實驗室。
透射電鏡原位MEMS氣氛加熱測量系統(tǒng)系統(tǒng)組成：
① 原位氣氛環(huán)境樣品桿：由樣品桿主體、氣流通道、四電極加熱模塊和MEMS反應(yīng)微腔組成。樣品被安置于上下兩片MEMS芯片以及配套的O圈組成的密封微腔內(nèi)。
② 真空檢漏系統(tǒng)：由進口分子泵組、高真空腔體和高倍顯微鏡組成。用于實驗前驗證MEMS反應(yīng)微腔密封情況，確保在TEM中抽真空后不會有氣體泄漏。
③ MEMS反應(yīng)微腔：由上下兩片MEMS芯片組成，用于搭載實驗樣品。樣品觀測區(qū)域覆蓋有高質(zhì)量、高透過率的氮化硅薄膜窗口，窗口上覆蓋有四電極加熱區(qū)域，樣品搭載在加熱電極上。該MEMS反應(yīng)微腔與外接氣路通道以及加熱模塊高度耦合，從而在TEM中實現(xiàn)氣氛環(huán)境與高溫環(huán)境準確可控的原位觀測。
④ 氣氛環(huán)境控制箱：由三通道混氣模塊、渦輪真空泵、氣壓控制模塊、氣流控制模塊及配套附件組成。用于在實驗中準確、穩(wěn)定地控制MEMS反應(yīng)微腔中的氣氛環(huán)境，控制微反應(yīng)腔中的氣壓及氣體流速。
⑤ 高性能PC及配套控制軟件：該系統(tǒng)中的加熱及氣氛環(huán)境均為軟件控制，多種工作模式可選，功能強大，方便易用。
⑥ 溫控儀：用于控制MEMS反應(yīng)微腔中的溫度，四個電極通道，帶溫度反饋。
⑦ 樣品桿載具、裝樣附件及其他工具。
性能指標
透射電鏡指標：
● 兼容型號電鏡及極靴；
● 通氣后透射電子顯微鏡分辨率優(yōu)于0.1 nm。
加熱指標：
● 溫度范圍：室溫至800 ℃；
● 溫度準確度：優(yōu)于5% ；
● 溫度穩(wěn)定性：優(yōu)于±0.1 ℃；
● 四電極加熱，帶溫度反饋；
● 軟件控制。
氣體流動指標：
● 三通道混氣
● 氣壓范圍：0 - 1 Bar；
● 氣壓準確度：30 mBar；
● 氣體流速： 0.01 - 0.4 ml/min；
● 可通氣體：H2, N2, O2, He, Ar, CO, CO2, CxHy等；
● 軟件控制。
MEMS反應(yīng)微腔指標：
● 高質(zhì)量氮化硅膜厚度25 nm；
● 樣品漂移優(yōu)于0.7 nm/min。
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