超高分辨率場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡 SU9000專(zhuān)門(mén)為電子束敏感樣品和需大300萬(wàn)倍穩(wěn)定觀(guān)察的*半導(dǎo)體器件，高分辨成像所設(shè)計(jì)。

特點(diǎn)
新的電子槍和電子光學(xué)設(shè)計(jì)提高了低加速電壓性能。
0.4 nm / 30 kV (SE)
1.2 nm / 1 kV (SE)
0.34 nm / 30 kV (STEM)
用改良的高真空性能和的電子束穩(wěn)定性來(lái)實(shí)現(xiàn)高效率截面觀(guān)察。
采用全新設(shè)計(jì)的Super E x B能量過(guò)濾技術(shù)，高效，靈活地收集SE / BSE/ STEM信號(hào)。
 
主要特點(diǎn)：

1.  新型電子光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)達(dá)到掃描電鏡世界高分辨率：二次電子0.4nm（30KV），STEM0.34nm（30KV）。

2.  用改良的高真空性能和的電子束穩(wěn)定性來(lái)實(shí)現(xiàn)高效率截面觀(guān)察。

3.  采用全新設(shè)計(jì)的Super E x B能量過(guò)濾技術(shù)，高效，靈活地收集SE / BSE/ STEM信號(hào)。

超高分辨率場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡 SU9000技術(shù)指標(biāo)
二次電子分辨率 0.4nm （加速電壓30kV，放大倍率80萬(wàn)倍）
1.2nm （加速電壓1kV，放大倍率25萬(wàn)倍）
STEM分辨率 0.34nm（加速電壓30kV，晶格象）
觀(guān)測(cè)倍率 底片輸出 顯示器輸出
LM模式 80~10,000x 220~25,000x
HM模式 800~3,000,000x 2,200~8,000,000x
樣品臺(tái) 側(cè)插式樣品桿
樣品移動(dòng)行程 X ±4.0mm
Y ±2.0mm
Z ±0.3mm
T ±40度
標(biāo)準(zhǔn)樣品臺(tái) 平面樣品臺(tái)：5.0mm×9.5mm×3.5mmH
截面樣品臺(tái)：2.0mm×6.0mm×5.0mmH
樣品臺(tái) 截面樣品臺(tái)：2.0mm×12.0mm×6.0mmH
雙傾截面樣品臺(tái)：0.8mm×8.5mm×3.5mmH
信號(hào)檢測(cè)器 二次電子探測(cè)器
TOP 探測(cè)器（選配）
BF/DF 雙STEM探測(cè)器（選配）
應(yīng)用領(lǐng)域：

1.      半導(dǎo)體器件

2.      高分子材料

3.      納米材料

4.      生命科學(xué)