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Savannah G2 ALD 全自動原子層沉積系統(tǒng)(ALD)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 香港電子器材有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號 Savannah G2 ALD
  • 產(chǎn)地 美國
  • 廠商性質(zhì) 代理商
  • 更新時(shí)間 2020/8/27 17:14:14
  • 訪問次數(shù) 819

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香港電子器材有限公司 成立于一九八五年,是一間為亞太地區(qū)半導(dǎo)體、電子及光電產(chǎn)業(yè)提供設(shè)備、材料以及技術(shù)銷售與服務(wù)的公司。早在九零年代中就分別在中國臺灣和新加坡設(shè)立分公司,以加強(qiáng)在遠(yuǎn)東地區(qū)的銷售及服務(wù)能力。九零年代末期,亦在上海設(shè)立辦事處,以迎接廿一世紀(jì)中國地區(qū)高科技領(lǐng)域飛騰時(shí)代的來臨。到目前為止, 公司已于香港、新加坡、中國臺灣、馬來西亞及中國多個城市(包括北京、成都、大連、上海、深圳、蘇州、天津、武漢及西安)設(shè)有服務(wù)中心, 為客戶提供ZJ的服務(wù)。
香港電子 作為多種高科技設(shè)備制造商在遠(yuǎn)東地區(qū)的總代理,主要服務(wù)于半導(dǎo)體封裝廠、芯片生產(chǎn)廠、液晶顯示器廠、發(fā)光二極管廠、電路板廠,以及各大專院校和研究機(jī)構(gòu)。完善的售后服務(wù)是香港電子一直以來所秉持的原則,為了維持良好的售后服務(wù),工程師均定期的前往設(shè)備制造原廠接受培訓(xùn)或再培訓(xùn),務(wù)求能為客戶提供ZX的市場和產(chǎn)品信息,以及ZY質(zhì)的售后服務(wù)。

其中光學(xué)產(chǎn)品線:美國普林斯頓CCD、光譜儀,加拿大Sciencetech太陽能模擬器、BNC延遲脈沖器、Gentec光電探測器、海洋光學(xué)光譜產(chǎn)品、Laser Quantum激光器、Crystalaser激光器、EOS紅外探測器、Sydor Instruments X射線超高速掃描照相機(jī) 

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美國普林斯頓CCD、光譜儀,加拿大Sciencetech太陽能模擬器、BNC延遲脈沖器、Gentec光電探測器、海洋光學(xué)光譜產(chǎn)品、半導(dǎo)體前道產(chǎn)品、Crystalaser激光器、EOS紅外探測器、半導(dǎo)體后道產(chǎn)品

產(chǎn)地類別 進(jìn)口 價(jià)格區(qū)間 面議
應(yīng)用領(lǐng)域 醫(yī)療衛(wèi)生,生物產(chǎn)業(yè),能源,電子/電池,航空航天

 全自動原子層沉積系統(tǒng)(ALD)

Veeco(之前稱之為Cambridge Nanotech)已經(jīng)有15年以上的ALD研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。2003年Cambridge Nanotech成立于哈佛大學(xué),05年搬到Boston并生產(chǎn)出Thermal ALD - Savannah, 之后生產(chǎn)出Plasam ALD - Fuji、批量生產(chǎn)ALD-Phoenix。2017年被Veeco收購,并更新了Batch HVM ALD - Firebird。至今為止,Veeco在ALD設(shè)備已有15年多的經(jīng)驗(yàn),已安裝五百多臺ALD設(shè)備。

方式: Thermal ALD (plasma option)

優(yōu)勢: 高性能,低成本,易于操作和維護(hù)

薄膜: 氧化物Al2O3, HfO2, La2O3, Li2O, Li7La3Zr2O12, LiFePO4, SIO2, TiO2, ZnO, ZrO2, Ta2O5, In2O3, SnO2, Fe2O3, MnOx, Nb2O5, MgO, Er2O3, WOx, MoO3, V2O3 硫化物ZnS, SnS, Cu2S, In2S3, Cu2ZnSnS4,PbS, CoS等

反應(yīng)腔體大小: S100: 可達(dá)100 mm / S200: 可達(dá)200 mm  / S300: 可達(dá)300 mm

設(shè)備尺寸: S100: 585 x 560 x 980 mm / S200: 585 x 560 x 980 mm / S300: 686 x 560 x 980 mm

操作模式: 連續(xù)模式(高速) / 曝光模式(超高深寬比)

功率: 115 VAC / 220 VAC,1900 W (不包含泵) (S300 2000W)

ZG溫度: S100: RT - 400 °C / S200: RT - 350 °C / S300: RT - 350 °C

沉積均一性: Al2O3:<1% (1σ)

循環(huán)時(shí)間: <2s per cycle with Al2O3 at 200°C

兼容: 標(biāo)準(zhǔn)二端口,可增加至六端口。每一個源瓶均可放固態(tài)/液態(tài)/氣態(tài)前驅(qū)體,可獨(dú)立加熱至200°C

閥門: 高速ALD閥門,10ms響應(yīng)

前驅(qū)體源瓶: 獨(dú)立可加熱50ml不銹鋼氣瓶,可選擇更大容量

載氣/排氣: N2,100SCCM

原位分析選項(xiàng): 原位QCM, 原位橢便儀, 殘余氣體分析, LVPD, 批量生產(chǎn), 集成手套箱等, 臭氧發(fā)生器, 批量生產(chǎn), 自組裝單層膜(SAMs)顆粒鍍膜, 等離子體加強(qiáng)

 



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