化合物半導(dǎo)體用快速退火爐詳情：

1、可適用基片類(lèi)型：
硅和化合物半導(dǎo)體晶圓，GaN /藍(lán)寶石和碳化硅晶圓，多晶硅晶圓，玻璃，金屬，高分子聚合物，石墨和碳化硅托盤(pán)等等。

2、應(yīng)用：
注入退火、歐姆接觸退火(III-V and SiC)、碳化硅、快速熱氧化RTO、快速熱氮化RTN、致密和結(jié)晶、硒化、快速熱CVD（多晶硅、SiO2, SiNx）

3、產(chǎn)品特性：
多區(qū)紅外線鹵素?zé)敉嘶馉t配有閉環(huán)空氣冷卻
不銹鋼冷壁腔室技術(shù)
快速數(shù)字PID溫度控制器
熱電偶和高溫計(jì)控制
大氣和真空工藝性能
配有針閥的吹掃氣路
多6條工藝氣路，配有MFC
配有以太網(wǎng)通訊的PC控制，用于快速數(shù)據(jù)記錄
可選配渦旋泵和壓力控制
手動(dòng)或盒到盒裝載

4、多配置選擇：
S20: 標(biāo)準(zhǔn), 6個(gè)區(qū)域, *高到1150°C，升溫速率可達(dá)100°C/s
S20 HT: 高溫, 6 個(gè)區(qū)域, *高到1450°C，升溫速率可達(dá)200°C/s
2000: 增強(qiáng)均勻性, 10個(gè)區(qū)域, *高到1250°C，升溫速率可達(dá)150°C/s
2000 HT: 可在S20 HT或2000配置中運(yùn)行
多溫度端口位置以滿足不同基片尺寸
可選配適用于低真空工藝的抽真空腔室
氣體面板用于CVD應(yīng)用的退火
可選配壓力控制
可選配渦輪泵
盒到盒版本

化合物半導(dǎo)體用快速退火爐