深圳市三佛科技有限公司 供應 20V 3A P溝道MOS 替代AP2301GN，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷

 HN2301參數(shù)：  -20V -3A SOT-23       P溝道 MOS管/場效應管 
品牌：HN
型號：HN2301GN
VDS:  -20V
IDS: -3A
封裝：SOT-23
溝道：  P溝道
HN2301GN原裝現(xiàn)貨，HN2301GN優(yōu)勢熱銷

HN2301GN泛運用于電源，充電頭，控制板，計算機，家電，通訊設備等產(chǎn)品上.

售后服務：公司免費提供HN2301GN樣品，并提供HN2301GN產(chǎn)品運用的技術(shù)支持。

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HN2301可以替代：CJ2301，AO2301，AP2301GN，PL2301，NCE2301E，AP2301EN，si2301，NCE2301C，AP2301BGN-HF，NCE2301E。

 場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應用。

 場效應管工作原理：就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結(jié)反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過渡層的擴展因為不很大，根據(jù)漏極-源極間所加VDS的電場，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型，ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。
在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象。其次，VGS向負的方向變化，讓VGS=VGS(off)，此時過渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài)。而且VDS的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。

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