HCPL100 大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱 武漢普賽斯儀表有限公司
品牌 其他品牌
型號(hào) HCPL100
產(chǎn)地 湖北武漢
廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間 2022/3/10 15:19:58
訪問次數(shù) 510

產(chǎn)品標(biāo)簽

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公司介紹 主營(yíng)產(chǎn)品

武漢普賽斯儀表自主研發(fā)的高精度臺(tái)式數(shù)字源表、插卡式源表、窄脈沖電流源、VCSEL測(cè)試系統(tǒng)等，*國(guó)產(chǎn)空白。主要應(yīng)用于半導(dǎo)體器件的測(cè)試工藝，為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動(dòng)程序和高效算法軟件組合，幫助用戶構(gòu)建自定解決方案。為半導(dǎo)體封測(cè)廠家提供相關(guān)測(cè)試儀表、測(cè)試平臺(tái)，以及相關(guān)技術(shù)服務(wù)，滿足行業(yè)對(duì)測(cè)試效率、測(cè)試精度，以及低成本的挑戰(zhàn)。

武漢普賽斯將以服務(wù)客戶為中心，追求可持續(xù)發(fā)展，精益求精，堅(jiān)持不懈，努力將自身打造成。

武漢普賽斯儀表公司成立于2019年，是武漢普賽斯電子技術(shù)有限公司的全資子公司。坐落于國(guó)家*產(chǎn)業(yè)基地“武漢·中國(guó)光谷”，是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)于一體的技術(shù)型企業(yè)，擁有以碩士、博士為主的研發(fā)團(tuán)隊(duì)和經(jīng)驗(yàn)豐富的管理服務(wù)團(tuán)隊(duì)。

武漢普賽斯電子技術(shù)有限公司是一家高科技企業(yè)，專業(yè)研究和開發(fā)光通信器件產(chǎn)線監(jiān)測(cè)和測(cè)試方案和自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備。產(chǎn)品覆蓋CHIP、BAR、TO、OSA等器件、光收發(fā)模塊、BOB等生產(chǎn)線?？蛻舭ǎ喝A為、海思、中興、光迅、海信、正源光子、旭創(chuàng)等，公司旨在為光電器件生產(chǎn)企業(yè)提供完美的服務(wù)，針對(duì)產(chǎn)線生產(chǎn)的痛點(diǎn)問題，模擬現(xiàn)實(shí)應(yīng)用環(huán)境，進(jìn)行半導(dǎo)體光器件性能指標(biāo)生產(chǎn)監(jiān)測(cè)和測(cè)試，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品生產(chǎn)過程實(shí)時(shí)可監(jiān)控、可追溯。具有綜合性、完備性、穩(wěn)定性、半自動(dòng)化或自動(dòng)化等特點(diǎn)，從而提高用戶產(chǎn)線產(chǎn)品的生產(chǎn)效率、可靠性、穩(wěn)定性、一致性。

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源表,數(shù)字源表,脈沖電流源,VCSEL測(cè)試儀器,插卡式多通道源表,脈沖源表

詳細(xì)信息 在線詢價(jià)

產(chǎn)地類別	國(guó)產(chǎn)	電動(dòng)機(jī)功率	0.3kW
外形尺寸	19英寸1U機(jī)箱mm	應(yīng)用領(lǐng)域	醫(yī)療衛(wèi)生,化工,電子/電池
重量	6kg	單臺(tái)PW	高達(dá)12V/1000A，可多臺(tái)并聯(lián)
CW	高達(dá)3000V/100mA	最小分辨率	30uV/10pA

大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表，普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向，深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域，在I-V測(cè)試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)，先后推出了直流源表，脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測(cè)單元等測(cè)試設(shè)備，廣泛應(yīng)用于高校研究所、實(shí)驗(yàn)室，新能源，光伏，風(fēng)電，軌交，變頻器等場(chǎng)景。

IGBT簡(jiǎn)介：

IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是常見的功率器件，期間經(jīng)常使用在強(qiáng)電流高電壓的場(chǎng)景中，如電動(dòng)汽車、變電站等。器件結(jié)構(gòu)由MOSFET及BGT組合而成，兼具了高輸入阻抗及低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)，IGBT是電力電子設(shè)備的“cpu”，被國(guó)家列為重點(diǎn)研究對(duì)象。

IGBT測(cè)試難點(diǎn)：

1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多個(gè)測(cè)量模塊協(xié)同測(cè)試。

2、IGBT的漏電流越小越好，所以需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測(cè)試。

3、IGBT動(dòng)態(tài)電流范圍大，測(cè)試時(shí)需要量程范圍廣，且量程可以自動(dòng)切換的模塊進(jìn)行測(cè)試。

4、由于IGBT工作在強(qiáng)電流下，自加熱效應(yīng)明顯，脈沖測(cè)試可以減少自加熱效應(yīng)，所以MOSFET需要進(jìn)行脈沖IV測(cè)試，用于評(píng)估期間的自加熱特性。

5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容，且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系。所以IGBT的電容測(cè)試非常重要。

6、IGBT開關(guān)特性非常重要，需要進(jìn)行雙脈沖動(dòng)態(tài)參數(shù)的測(cè)試。

那么IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試需要哪些儀器呢？

E系列高電壓源測(cè)單元具有輸出及測(cè)量電壓高（3000V）、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)（1nA）的特點(diǎn)。設(shè)備工作在第一象限，輸出及測(cè)量電壓0~3000V，輸出及測(cè)量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時(shí)支持豐富的I-V掃描模式。

用于IGBT擊穿電壓測(cè)試,IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測(cè)試,壓敏電阻耐壓測(cè)試等場(chǎng)合。其恒流模式對(duì)于快速測(cè)量擊穿點(diǎn)具有重大意義。

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E300高電壓源測(cè)單元

HCPL100型高電流脈沖電源為脈沖恒流源，具有輸出電流大（1000A）、脈沖邊沿陡（10uS）、支持兩路脈沖電壓測(cè)量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。

設(shè)備可應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測(cè)試場(chǎng)合，使用該設(shè)備可以獨(dú)立完成“電流-導(dǎo)通電壓”掃描測(cè)試。

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HCPL100型高電流脈沖電源

P系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達(dá)10A，Z大輸出電壓達(dá)300V，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。P系列源表適用于各行各業(yè)使用者，特別適合現(xiàn)代半導(dǎo)體、納米器件和材料、有機(jī)半導(dǎo)體、印刷電子技術(shù)以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。

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P系列脈沖源表

大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀簡(jiǎn)介

功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)集多種測(cè)量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA。該系統(tǒng)可測(cè)量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級(jí)電阻，p*電流精準(zhǔn)測(cè)量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。