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MOCVD設(shè)備 PC-008 MOCVD設(shè)備

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鵬城半導體技術(shù)(深圳)有限公司(簡稱:鵬城半導體),由哈爾濱工業(yè)大學(深圳)與有多年實踐經(jīng)驗的工程師團隊共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術(shù)前沿與市場前沿的交叉點,尋求創(chuàng)新yin/ling與可持續(xù)發(fā)展,解決產(chǎn)業(yè)的痛點和國產(chǎn)化難題,爭取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。


公司核心業(yè)務(wù)是微納技術(shù)與gao duan精密制造,具體應(yīng)用領(lǐng)域包括半導體材料、半導體工藝和半導體裝備的研發(fā)設(shè)計和生產(chǎn)制造。


公司人才團隊知識結(jié)構(gòu)完整,有以哈工大教授和博士為核心的高水平材料研究和工藝研究團隊;還有來自工業(yè)界的高級裝備設(shè)計師團隊,他們具有20多年的半導體材料研究、外延技術(shù)研究和半導體薄膜制備成套裝備設(shè)計、生產(chǎn)制造的經(jīng)驗。


公司依托于哈爾濱工業(yè)大學(深圳),具備*的半導體研發(fā)設(shè)備平臺和檢測設(shè)備平臺,可以在高起點開展科研工作。公司總部位于深圳市,具備半導體裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、調(diào)試以及半導體材料與器件的中試、生產(chǎn)、銷售的能力。





半導體材料,工藝和裝備的研發(fā)設(shè)計,生產(chǎn)制造

MOCVD設(shè)備

材料的輸運采取了超純的氣路系統(tǒng),源的切換和輸入采用了多路組合閥進氣技術(shù)。由于組合閥具有極小的死空間,使得源的殘留量非常少,有利于生長具有陡峭界面的材料。

MOCVD設(shè)備  

采用壓差控制技術(shù)控制組合閥的旁路和主路之間的壓力,大大降低了源的壓力和濃度波動,有利于材料生長的重復性和穩(wěn)定性。

  采用了管道鑲嵌式進氣噴頭,使反應(yīng)源在襯底表面均勻混合并反應(yīng),大大降低了預反應(yīng)的發(fā)生。

  采用電阻式快速升降溫加熱爐。

鵬城半導體技術(shù)(深圳)有限公司,由哈爾濱工業(yè)大學(深圳)與有多年實踐經(jīng)驗的工程師團隊共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術(shù)前沿與市場前沿的交叉點,尋求創(chuàng)新可持續(xù)發(fā)展,解決產(chǎn)業(yè)的痛點和國產(chǎn)化難題,爭取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。

公司核心業(yè)務(wù)是半導體材料、工藝和裝備的研發(fā)設(shè)計、生產(chǎn)制造。

公司人才團隊知識結(jié)構(gòu)完整,有以哈工大教授和博士為核心的高水平材料研究和工藝研究團隊;還有來自工業(yè)界的高級裝備設(shè)計師團隊,他們具有20多年的半導體材料研究、外延技術(shù)研究和半導體薄膜制備成套裝備設(shè)計、生產(chǎn)制造的經(jīng)驗。

公司依托于哈爾濱工業(yè)大學(深圳),具備*的半導體研發(fā)設(shè)備平臺和檢測設(shè)備平臺,可以在高起點開展科研工作。公司總部位于深圳市光明區(qū),設(shè)有中試基地,并在沈陽市設(shè)有全資子公司,具備半導體裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、調(diào)試以及半導體材料與器件的中試、生產(chǎn)、銷售的能力。

公司已投放市場的部分半導體設(shè)備

|物理氣相沉積(PVD)系列

磁控濺射鍍膜機、電子束鍍膜機、熱蒸發(fā)鍍膜機,激光沉積設(shè)備PLD、離子束濺射鍍膜機、磁控與離子束復合鍍膜機

|化學氣相沉積(CVD)系列

MOCVD、PECVD、LPCVD、微波等離子體CVD、熱絲CVD、原子層沉積設(shè)備ALD

|超高真空系列

分子束外延系統(tǒng)(MBE)、激光分子束外延系統(tǒng)(LMBE)

|成套設(shè)備

團簇式太陽能薄膜電池中試線、OLED中試設(shè)備(G1、G2.5)

|其它

金剛石薄膜制備設(shè)備、硬質(zhì)涂層設(shè)備、磁性薄膜設(shè)備、電極制備設(shè)備、合金退火爐

|真空鍍膜機專用電源/真空鍍膜機控制系統(tǒng)及軟件

直流濺射電源、RF射頻濺射電源、高精度熱蒸發(fā)電源、高能直流脈沖電源(中頻可調(diào)脈寬)、控制系統(tǒng)及軟件




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