PlasmaPro 100 ICPCVD
具體成交價以合同協(xié)議為準
- 公司名稱 牛津儀器(上海)有限公司
- 品牌
- 型號
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時間 2022/11/30 12:45:42
- 訪問次數(shù) 545
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X射線熒光光譜儀;直讀光譜儀;涂鍍層測厚儀;顯微分析;刻蝕,沉積和生長;低溫恒溫器與超導(dǎo)磁體系統(tǒng);臺式磁共振(NMR)分析儀和低場磁共振成像(MRI);X光管和相關(guān)產(chǎn)品;低溫泵系統(tǒng)
- 在低溫度下沉積低損傷的薄膜
- 可沉積的典型材料包括: SiO2、Si3N4 、 SiON、Si 和 SiC,襯底溫度可低至5ºC
- 65mm、180mm、300mm 尺寸的ICP源 提供了工藝的均勻性
- 晶圓尺寸高至200mm
- 電極的溫度范圍為5ºC至400ºC
- 已獲得ICPCVD氣體配送技術(shù)
- 實時監(jiān)測清洗工藝, 并且可自動停止工藝

SiO2 deposited using TEOS and O2 by ICP CVD in ~50μm deep trench 4:1 aspect ratio

SiNx deposited by ICP CVD at room temperature for 22nm T-gate HEMT