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QBT-T 雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統(tǒng)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱(chēng) 廈門(mén)韞茂科技有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號(hào) QBT-T
  • 產(chǎn)地 廈門(mén)
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間 2025/5/8 14:35:42
  • 訪問(wèn)次數(shù) 1948

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廈門(mén)韞茂科技有限公司成立于2018年,由硅谷海歸團(tuán)隊(duì)創(chuàng)立,核心成員擁有超20年薄膜沉積工藝及設(shè)備開(kāi)發(fā)產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn),2021年入選高新技術(shù)企業(yè),2022年入選廈門(mén)專(zhuān)精特新技術(shù)企業(yè),是一家以納米級(jí)薄膜沉積工藝技術(shù)為核心的多領(lǐng)域全棧式薄膜沉積方案供應(yīng)商,為客戶(hù)提供全面的技術(shù)解決方案以及先進(jìn)的納米材料薄膜沉積裝備,針對(duì)先進(jìn)制造國(guó)產(chǎn)化的痛點(diǎn),開(kāi)發(fā)自主設(shè)備。

 

 

ALD,PVD,CVD,原子層沉積設(shè)備 原子層沉積系統(tǒng)

價(jià)格區(qū)間 面議 應(yīng)用領(lǐng)域 綜合
    一、核心參數(shù):

    產(chǎn)地類(lèi)別:國(guó)產(chǎn)原子層沉積系統(tǒng)(ALD)

    襯底尺寸:6寸

    工藝溫度:RT-300℃

    前驅(qū)體數(shù):最大可包括3組等離子體反應(yīng)氣體,8組液體或固體反應(yīng)前驅(qū)體

    重量:300KG

    尺寸(WxHxD):1400*1000*1900mm

    均勻性:99%

    二、原子層沉積(Atomiclayerdeposition)是通過(guò)將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù),具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應(yīng)用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無(wú)針孔、高保形的納米薄膜。

    三、產(chǎn)品描述:

    廈門(mén)韞茂科技公司的雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統(tǒng)(QBT-T),設(shè)備采用雙腔體設(shè)計(jì),腔體之間可實(shí)現(xiàn)獨(dú)立控制,雙倍產(chǎn)出。腔體分別為PEALD腔室,粉末ALD腔室。由于雙腔體雙功能的設(shè)計(jì),使設(shè)備可以在平片上實(shí)現(xiàn)等離子體ALD的生長(zhǎng)工藝以及粉末ALD包覆工藝,設(shè)備配有獨(dú)立控制的300℃完整加熱反應(yīng)腔室系統(tǒng),保證工藝溫度均勻。該系統(tǒng)具有粉末樣品桶、晶圓載盤(pán)、全自動(dòng)溫度控制、ALD前驅(qū)體源鋼瓶、自動(dòng)溫度控制閥、工業(yè)級(jí)安全控制,以及現(xiàn)場(chǎng)RGA、QCM、臭氧發(fā)生器、手套箱、極片架等設(shè)計(jì)選項(xiàng)。是*能源材料、催化劑材料、新型納米材料,半導(dǎo)體領(lǐng)域研究與應(yīng)用的最佳研發(fā)工具之一。

    四、廈門(mén)韞茂科技有限公司為您提供雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統(tǒng)QBT-T的參數(shù)、價(jià)格、型號(hào)、原理等信息,QBT-T產(chǎn)地為福建、品牌為韞茂,型號(hào)為QBT-T,價(jià)格為100萬(wàn)-200萬(wàn)RMB,更多相關(guān)信息可咨詢(xún),公司客服電話(huà)7*24小時(shí)為您服務(wù)。

    五、技術(shù)參數(shù):

國(guó)產(chǎn)原子層沉積系統(tǒng)(ALD)



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