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低真空化學氣相沉積設備

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北京瑞科中儀科技有限公司專注半導體材料研究分析設備的研發(fā)和應用。專業(yè)的團隊,專精的服務,提供理想的解決方案。

我們長期專注于半導體材料研究與分析設備的經銷和代理,為高校、企業(yè)科研工作者提供專業(yè)的分析解決方案。以專業(yè)技能為導向,用科技來解決用戶在科研中遇到的難題。專業(yè)的技術工程師和科研工作者進行現(xiàn)場演示和技術交流,打消顧慮,彼此協(xié)作,為我國的科研領域譜寫新篇章。

北京瑞科中儀科技有限公司長期代理銷售供應多種分子材料的研究分析設備,其中包括但不限于掃描電子顯微鏡、感應耦合等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)、離子束刻蝕機、等離子清洗機、物理氣相沉積系統(tǒng)以及各品牌的光學顯微鏡以及實驗室設備儀器。

客戶至上的服務理念,以人為本的企業(yè)文化,我們始終為用戶提供專業(yè)的服務!

合作丨共贏,選擇我們,選擇未來!

 

半導體材料分析,材料刻蝕

應用領域 環(huán)保,化工,電子/電池

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低真空化學氣相沉積設備(LPCVD)是一種化學氣相沉積技術,利用熱能在基板表面上引發(fā)前驅氣體的反應。表面的反應是形成固化材料的原因。低真空用於減少氣相反應,還可以提高整個基板的均勻性。除此之外,該過程取決於溫度控制,過程溫度越高,維持性越好。與大氣壓下的傳統(tǒng)CVD製程相比,LPCVD的優(yōu)勢在於:每批製程可裝載更多的晶圓(每批100-200個晶圓)、晶圓內的厚度均勻性得到了改善(<±3%),並且降低生產成本。SYSKEY的系統(tǒng)可以精準的控制製程氣體與監(jiān)控其數(shù)據(jù)(壓力、載臺溫度),並提供高品質的薄膜。

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低真空化學氣相沉積設備參數(shù)

應用領域腔體
  • 碳納米管和石墨烯的製程。

  • SiOx、SiNx、a-Si、DLC和其他薄膜

    製程。

  • 熱退火。

  • 擴散製程。

  • 氧化製程。

  • 加熱爐配置:水平或垂直,結合

    傳送機構。



配置和優(yōu)點選件
  • 客製化的基板尺寸,最大直徑可達8寸

    晶圓。

  • 單載片或多載片。

  • 優(yōu)異的薄膜均勻度小於±5%。

  • 精準流量控制器,氣體分佈高度均勻,最多可容納10條氣體管線。

  • 穩(wěn)定的溫度控制,可將載盤加熱至1700°C。

  • 可以與傳送腔(單載臺或多載臺)整

    合在一起。




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