薄膜、TEM納米孔氮化硅膜

【基本信息】

中文名稱：TEM納米孔氮化硅膜

純度：99.9%

材料：LPCVD 氮化硅薄膜

介電常數(shù)：6-7

介電強度：10（106 V/cm ）

電阻率：1016Ω-cm

粗糙度（Ra)：0.28±5%nm

楊氏模量：270GPa

粗糙度(Rms)：0.40±5%nm

存儲：-20℃冷藏、密封、避光

保存時間：1年

規(guī)格：mg

用途：僅用于科研，不能用于人體

薄膜、TEM納米孔氮化硅膜

【詳情描述】

TEM納米孔氮化硅膜指的是通過透射電子顯微鏡（Transmission Electron Microscopy，TEM）觀察的具有納米孔結構的氮化硅薄膜。這可能涉及到納米孔技術、薄膜技術和電子顯微鏡等多個領域。

TEM（透射電子顯微鏡）：

定義： TEM是一種高分辨率的電子顯微鏡，能夠通過樣品中透射的電子來產(chǎn)生高分辨率的圖像。它常用于觀察納米級和亞納米級尺度的材料結構。

納米孔氮化硅膜：

定義： 納米孔氮化硅膜指的是在氮化硅薄膜中具有納米級孔隙結構的材料。這種結構可能用于控制材料的電學、光學或傳感性質(zhì)。

【推薦產(chǎn)品】

二硫化鉬(MoS2) 、CVD二維薄膜

二硫化鎢(WS2) 、CVD二維薄膜

二硒化鉬(MoSe2)、CVD二維薄膜

二硒化鎢(WSe2)、CVD二維薄膜

二硒化鉑(PtSe2)、CVD二維薄膜

二硒化鈀(PdSe2)、CVD二維薄膜

以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2024.1.31.

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體及其他用途。