NTT Innovative Devices二極管模塊FMB
- 公司名稱 天津瑞利光電科技有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
- 更新時間 2025/8/6 21:04:13
- 訪問次數(shù) 248
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| 產(chǎn)地類別 | 進口 | 價格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子/電池,電氣 | 組成要素 | 自由電子激光器 |
NTT Innovative Devices二極管模塊FMB
產(chǎn)品型號：IOD-FMB-18001
產(chǎn)品介紹：
IOD-FMB-18001模塊是應(yīng)用超低噪聲平方律檢測的理想選擇。獲得的電壓靈敏度在300GHz時高達2MV/W，在1THz時高達0.2MV/W。
噪聲等效功率（NEP）估計在300GHz時低至5.0pW/Hz0.5，在1THz時低至45pW/Hz 0.5。
Femi-level managed barrier（FMB）二極管模塊是一種基于InP/InGaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)的超低噪聲太赫茲探測器。代替肖特基勢壘二極管（SBD）中的金屬/半導(dǎo)體界面，在FMB二極管中使用InGaAs/InP異質(zhì)界面（勢壘高度～100meV）。
此低勢壘高度提供低二極管差分電阻（Rd）以及二極管與寬帶蝴蝶結(jié)天線之間的良好阻抗匹配。
性能特點：
異質(zhì)勢壘結(jié)構(gòu)由n-InGaAs、未摻雜的InP和n-InP層組成。由于高摻雜n-InGaAs中的費米能級可以遠高于導(dǎo)帶邊緣，這取決于載流子密度，異質(zhì)界面處的勢壘高度（ΦBn）可以降低到100meV或更小。由于低勢壘高度，F(xiàn)MB二極管產(chǎn)生約5.0pW/Hz0.5的良好NEP。
技術(shù)參數(shù)：
• 型號：IOD-FMB-18001
• 模塊配置：帶運算放大器的零偏置FMB二極管
• 天線類型：自帶蝴蝶結(jié)天線
• 透鏡類型和直徑：超半球形（直徑10mm）
• 太赫茲帶寬：>200GHz
• 前置放大器類型：低噪聲運算放大器
• 前置放大器帶寬：20Hz-15kHz
• 輸出連接器：SMA（內(nèi)螺紋）
• 電源：DC±5V
• 產(chǎn)地：日本
噪聲等效功率（NEP）：
• 5pW/sqrt（Hz）@300GHz
• 1000GHz時為45pW/sqrt（Hz）
電壓靈敏度：
• 2MV/W@300GHz
• 0.2MV/W@1000GHz
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